【課題】凹凸部の凹凸の均一化を図り、半導体発光素子間での発光出力のばらつきを抑える。
【解決手段】半導体基板の上に、第１半導体層及び第２半導体層を１つのペアとする複数のペア層３３を積層して光反射部３０を形成する工程と、光反射部３０の上に、第１クラッド層と、活性層と、第２クラッド層と、をこの順に積層して発光部４０を形成する工程と、発光部４０の上に、電流分散層を形成する工程と、電流分散層の表面に凹凸部６１を形成する工程と、を有し、凹凸部６１を形成する工程の前に、電流分散層の表面をＯ_２プラズマに曝す工程を行う。 （もっと読む）

【課題】光抽出が向上したＬＥＤを提供する。
【解決手段】関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層（１０）と、関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、ｐ型層とｎ型層との間の活性領域（１８）とを有するＬＥＤ（１０）は、ｐ型材料層またはｎ型材料層のいずれかの中に形成された閉じ込め構造（２０）を備える。閉じ込め構造（２０）は、ＬＥＤ（１０）の主放射上面のコンタクト（２２）とほぼ一列に並んでおり、閉じ込め構造（２０）および上面コンタクト（２２）の面積と一致する活性領域（１８）の面積からの光の放射を実質的に妨げる。ＬＥＤ（１０）は、さらに光抽出を向上させるために、粗面処理された放射側面（２５）を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】光効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【解決手段】本発明による発光素子は、導電性支持層と、導電性支持層上に、第１電気伝導性を有する第１の透明伝導層及び第１電気伝導性よりも低い第２電気伝導性を有する第２の透明伝導層を含む透明伝導層と、透明伝導層上に、第１導電型の半導体層、第２導電型の半導体層及び第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、発光構造層上に、第２の透明伝導層と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部分が配置される電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光量低下や素子全体の大型化等を招くことなく、従来構成よりも絶縁耐圧を向上させてＥＳＤ耐量を十分に確保できるようにする。
【解決手段】基板１１上に、第１導電型半導体層１２、発光機能層１３および第２導電型半導体層１４が順に積層され、前記第１導電型半導体層１２上の露出部分には第１導電型用電極１５が導通し、前記第２導電型半導体層１４には第２導電型用電極１６が導通し、前記発光機能層１３、前記第２導電型半導体層１４および前記第２導電型用電極１６と前記第１導電型用電極１５との間が絶縁層１７によって絶縁されてなる発光素子において、前記絶縁層１７に付設絶縁層１８を付設する。そして、前記付設絶縁層１８の付設によって、前記第２導電型半導体層、前記発光機能層および前記第１導電型半導体層が構成するダイオードとは逆方向の整流作用の仮想ダイオードが構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】電荷注入により発光させる無機ＥＬ素子用の発光材料として有用であり、発光輝度に優れ長寿命を有する半導体の提供。
【解決手段】第１２−１６族化合物の少なくとも１種または２種以上の混晶を母体材料とする半導体であって、母体材料を構成する第１６族元素とは異なる第１６族元素をドーパントとして含むことを特徴とする、半導体。 （もっと読む）

【課題】 格子不整合、電子ブロック層に比較的高い極化現象がある、多層界面において光線が容易に失われる等の問題を解決する、発光ダイオードの提供。
【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、電子障壁層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＢＬ）と活性層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）の間にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ材料から成り、かつ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である極化減少中間層（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）を形成した。 （もっと読む）

【課題】0.9〜1.2μｍの中心波長の光を発光する、高出力化可能な光半導体素子を得る。
【解決手段】 GaAs基板1と、該GaAs基板1の上方に設けられた、InGaAsからなる２層以上の量子井戸層を有する多重量子井戸構造5とを備えてなる、発光ストライプ幅が４μｍ以下の光半導体素子において、レーザ発振を抑制するレーザ発振抑制機構を有し、多重量子井戸構造5に、少なくとも、1.05μｍ以上の第１の中心波長の光を発光する量子井戸層5a₁と、第１の中心波長とは異なる第２の中心波長の光を発光する量子井戸層5a₂と、該量子井戸層間に設けられた、30ｎｍ以上、50ｎｍ以下の厚みの、GaAs基板に格子整合する組成の障壁層5bとを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】 高発光効率を有する電流狭窄型半導体発光素子、および、このような電流狭窄型半導体発光素子を低コストで製造することができる電流狭窄型半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電型積層体、発光層、第２導電型積層体、電流狭窄層、第１開口を有する第１電極を順に具え、さらに、前記発光層の、前記第２導電型積層体側とは反対側に配設される第２電極を具える電流狭窄型半導体発光素子において、
前記電流狭窄層は前記第２導電型積層体を露出する第２開口を有し、前記第２開口は前記第１開口と中心を同じくしてなり、前記第２開口の面積は前記第１開口の面積よりも大きく、前記第１電極の一部が前記第２導電型積層体と接し、かつ前記第１開口から前記第２導電型積層体の一部が露出するように配置され
前記第１導電型積層体の、前記発光層側とは反対側に、ピーク波長が２００〜３５０ｎｍの範囲に対し、高い反射率の反射面を具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光出力を高くしつつＦＦＰの形状を狭く制御した発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第２ブラッグ反射型ミラー層１０８と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層１０５と、を具備する発光素子であって、前記発光素子の設計波長をλＰＬとし、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。
λＰＬ＜λcnt（単位：ｎｍ）≦λＰＬ＋１０ （もっと読む）

【課題】発光効率が向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 （もっと読む）

【課題】空乏層の厚さを制御して漏洩電流の抑制ができる半導体発光素子及びこれを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】半導体発光素子は、支持用基板に、ｐ側電極層１２、ｐ型コンタクト層１４、ｐ型クラッド層１６、活性層１８、ｎ型クラッド層２０、ｎ型コンタクト２４層、ｎ側電極層２６を有し、ｎ側電極層がｎ型コンタクト層及びｎ型クラッド層上に接触して積層され、ｎ型コンタクト層とオーミック接合を形成し、ｎ型クラッド層とショットキー接合を形成するように構成される。逆バイアス印加時、ｎ型コンタクト層の下方でｎ型クラッド層に空乏層２２が形成され、逆バイアスの増大と共に空乏層が拡大され、漏洩電流が抑制される。ｎ型コンタクト層の直径が２０μｍ以下である。この半導体発光素子が２次元マトリックス状に配列され表示装置が構成され、半導体発光素子が単純マトリックス駆動される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いた、特に可視光波長領域における炭化珪素発光素子等の発光デバイスを提供すること。
【解決手段】絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板上に、例えば、イオン注入法で形成されたｎ型領域とｐ型領域が、該炭化珪素基板上でｐｎ接合を構成していることを特徴とする発光デバイス。炭化珪素基板としては、ＳＯＩ基板の表面シリコンを薄層化し、その極薄シリコン層を炭化処理により炭化珪素層に変性し、その上にＣＶＤ（化学気相成長）法により炭化珪素エピタキシャル膜を形成させたものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】出力光の利用効率の高い半導体発光チップを提供する。
【解決手段】反射鏡４８を備えた点光源ＬＥＤチップ（半導体発光チップ）１０は、点光源ＬＥＤチップ１０の一面上に固着され、光透過面４２を底面に光学的に露出させる凹穴４６を有する支持層１４と、その凹穴４６の内周面に形成されて光透過面４２から出力される光のうちのその内周面に入射する光を反射する反射鏡４８とを、含むことから、光軸Ａに対して所定角度以上の斜めの光であっても反射鏡４８により反射されて利用可能とされる。たとえば光ファイバ１２の端面５６に入射させられて、出力光の利用効率の高い点光源ＬＥＤチップ１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 （もっと読む）

発光デバイスは、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層、及びｎ型半導体層とｐ型半導体層との間の活性領域を含む。ワイヤボンドパッドなどの不透明なフィーチャがｐ型半導体層上又はｐ型半導体層の反対側のｎ型半導体層上にあり、導電率低減領域がｐ型半導体層又はｎ型半導体層中にあり、不透明なフィーチャと位置合わせされる。導電率低減領域は、ｎ型半導体層の反対側のｐ型半導体層の表面から活性領域の方に、及び／又はｐ型半導体層の反対側のｎ型半導体層の表面から活性領域の方に延びることができる。
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【課題】半導体発光素子において、導波路の構造不整を少なくし、電流狭窄構造を良好にする。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１導電型半導体基板１１の一方の面に、第１導電型半導体基板１１側から上方に第一導電型の下部クラッド層１３と、半導体活性層１５と、半導体活性層１５の特定領域１５ａに電流を注入するための電流狭窄部２４と、第２導電型コンタクト層２３と第２導電型電極２５とを順次有し、半導体活性層１５の下方に第１導電型電極２６を有する。電流狭窄部２４は、半導体活性層１５側から上方に、第２導電型上部第１クラッド層１７と、前記上部第１クラッド層の層幅より小さい層幅を有しかつ第一導電型電流ブロック層２１で埋め込まれた第２導電型上部第２クラッド層１９とを順次有する。 （もっと読む）

【課題】素子特性の劣化を抑制することができる化合物半導体素子を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】基板１０１の上に、上下に隣接して、不純物がドープされたｐ型クラッド層１０６と、不純物がドープされていない活性層１０４とが設けられている。ｐ型クラッド層１０６と活性層１０４との間に、歪を有する半導体層１０５が設けられている。歪を有する半導体層１０５の結晶は、その格子間結合に歪がかかることにより、無歪の場合に比べて結晶の内部エネルギーが高い状態になる。そのため、ドーパントは、歪のかかったこの格子間を通過し難くなくなる。こうして、ｐ型クラッド層１０６から活性層１０４へのドーパントの拡散が防がれる。 （もっと読む）

【課題】第１のブラッグ反射膜と第２のブラッグ反射膜を積層させたときの格子定数差を解消することにより耐久性が向上し、かつ反射効率が高い反射層を提供する。
【解決手段】本発明に係る反射層は、第１の屈折率を有する第１のブラッグ反射膜２１と、第１のブラッグ反射膜２１上に形成された格子歪み緩衝膜２２と、格子歪み緩衝膜２２上に形成され、第２の屈折率を有する第２のブラッグ反射膜２３とを具備し、格子歪み緩衝膜２２は、第１のブラッグ反射膜２１から第２のブラッグ反射膜２２に近づくにつれて、屈折率が、第１の屈折率から第２の屈折率に近づく方向に変化しているものである。 （もっと読む）

【課題】 光出射側の反射層の構造をより簡単にし、高温側でも発光出力の低下し難い、新規な垂直共振器型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 発光層となる活性層５と、活性層５を挟んで形成された光反射側の第１反射層３及び光出射側の第２反射層９とを有する垂直共振器型発光ダイオード１であって、第１及び第２反射層３，９は、互いに屈折率が異なる半導体交互層を１対として、この対を複数積層した構造を有し、第２反射層９の対数が、第１反射層３の対数の１／１０以上、かつ、１／３以下とする。第１反射層の対数を、１１対以上、かつ、４１対以下とすれば、より発光出力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング後の窒化物半導体の表面が清浄となり、変質層が形成されない窒化物半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０６と、該ｐ型光ガイド層１０６における被エッチング面の上に形成されたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０８とを有している。ｐ型光ガイド層１０６とｐ型コンタクト層１０８との界面における酸素、炭素及びシリコンのうち少なくともシリコンの濃度は、ｐ型光ガイド層１０６におけるドーパント濃度の１０分の１以下である。 （もっと読む）