本発明は、少なくとも1X10^-6の水性酸解離定数を持つ一種以上のカルボン酸成分が、酸化物（二酸化ケイ素もしくはドープした二酸化ケイ素など）のエッチングの間に利用される方法を含む。二種以上のカルボン酸も利用できる。カルボン酸の例としては、トリクロロ酢酸、マレイン酸、クエン酸を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体を製造するリソグラフィ工程での露光照射工程に於ける露光に多価イオンビームを利用することによって、極めて迅速なエッチング速度を得ることができる多価イオンを利用する半導体製造方法の提供。
【解決手段】 半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加工精度を損なうことなく生産性を向上させることができるパターニング方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法、半導体装置、圧電駆動素子の製造方法及び圧電駆動素子を提供する。
【解決手段】 ビアホール３９を有した第２層間絶縁膜３７上側全面にＩＴＯからなる透明導電膜４２形成し、同透明導電膜４２のエッチング領域Ｅに、塩酸Ｌと反応して水素ガスＰを生成する金属膜４５を、亜鉛ペーストを塗布することによって形成した。そして、金属膜４５を有した素子形成面１４ａを塩酸Ｌ中に浸漬して透明導電膜４２をエッチングし、陽極４０を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理体に存在する少なくとも２層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う際に、エッチング選択性の問題が生じず、十分なエッチング速度で２層をエッチング除去することができる処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理体に存在する第１の膜および第２の膜の少なくとも２層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行うにあたり、第１処理液を被処理体の第１の膜に接触させて第１の膜をエッチングし（ステップ２）、第１の膜が除去されたか否かを判断し（ステップ３）、第１の膜が除去されたと判断された際に、第１処理液を、第１処理液とは状態が異なる第２処理液に切り換え（ステップ４）、第２処理液を第２の膜に接触させて第２の膜をエッチングする（ステップ５）。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物に供与する液体の性状に関わらず、特別な装置又は器具等を用いずに、加工対象物を加工し得る方法の提供。
【解決手段】 本発明は、加工対象物上に、液体を配置する第１工程と、前記液体に気体を溶解させ、当該液体を変質させて、前記加工対象物を当該変質後の液体により加工する第２工程とを含む加工方法により、上記課題を解決する。また、前記第１工程が、インクジェット法により前記液体を配置する工程であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 インジウム含有ウエハの特性を精度よく測定することができかつ非破壊試験である水銀Ｃ−Ｖ法を適用可能とするために、水銀除去を確実に行なうことのできるインジウム含有ウエハを提供する。
【解決手段】 本発明にかかるインジウム含有ウエハは、表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とする。ここで、水銀除去層として、化学的水銀除去層または物理的水銀除去層を用いることができる。さらに、２層以上の水銀除去層を設けることもできる。 （もっと読む）

【課題】 工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上に形成されている層間絶縁膜２上に第１マスク３を形成する第１マスク形成工程と、層間絶縁膜２の途中までエッチングして第１凹部４ａを形成する第１エッチング工程と、第１マスク３を除去する第１マスク除去工程と、第１エッチング工程により形成された第１凹部４ａ内に開口部を有するように第２マスク５を形成する第２マスク形成工程と、層間絶縁膜をシリコン基板１の表面に達するまでエッチングしてコンタクトホール４を形成する第２エッチング工程と、第２マスク５を除去する第２マスク除去工程とを有する。 （もっと読む）