【課題】本発明の実施形態は、処理の終点に対する検出精度を向上させることができる処理の終点検出方法および処理の終点検出装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る処理の終点検出方法は、被処理物の処理に伴って時間とともに変化する検出情報を所定の期間収集して単位空間を定義し、前記単位空間を構成する検出情報について平均値と、標準偏差と、を求める。そして、以下の（９）式に基づいて終点検出の判定対象となる検出情報を基準化し、以下の（１０）式に基づいて距離を求め、前記距離に基づいて処理の終点を検出する。
Ｘｔ＝（Ｘ−Ｘｍ）／σｍ ・・・（９）
Ｄ^２＝Ｘｔ^２ ・・・（１０）
ここで、Ｘｍは前記単位空間における平均値、σｍは前記単位空間における標準偏差、Ｘは前記終点検出の判定対象となる任意の時間における検出情報、Ｘｔは基準化された検出情報、Ｄ^２は距離である。 （もっと読む）

本発明は、大幅に改良されたシリコン層に関する選択性を有する、改良されたエッチングペースト組成物を利用した、選択エミッタを含むソーラーセルの製造方法に関する。
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光電池において使用するための薄膜アモルファス、単結晶または多結晶シリコンウエハー基板であり、ｐｎまたはｎｐ接合および部分的なホスホシリケートまたはボロシリケートガラス層の少なくとも１つを該ウエハー基板の上面に有する該ウエハー基板を処理して、（ａ）該ウエハーのシート抵抗および（ｂ）前記ウエハーから作製された該光電池の出力密度レベルの少なくとも一方を増大させること。少なくとも１種の水酸化テトラアルキルアンモニウム、酢酸、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、少なくとも１種の金属キレート剤、アンモニアの無金属供給源、フッ化物イオンの無金属供給源および水を有する緩衝酸化物エッチング（ＢＯＥ）溶液を、酸化剤溶液および場合により水と混合した酸処理溶液である、処理溶液。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜（１４）を堆積する方法であって、ａ）少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、ｃ）前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
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【課題】所望のエッチングレートを確保しつつリーニングの問題を本質的に解消することができるキャパシタ電極の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ上に形成されたシリコン酸化膜をエッチングしてホールを形成する工程と、ホールの内面に導電体膜を成膜する工程と、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させてキャパシタ電極とする工程とを有するキャパシタ電極の製造方法において、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させる工程は、薬液を用いたウエットプロセスにより前記シリコン酸化膜を途中まで除去した後、ガスを用いたドライプロセスによりシリコン酸化物の残部を除去することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたドープガラス層と酸化物層のうちドープガラス層を選択的に、しかも良好にエッチング除去することができる高圧処理方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素（ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）からなる洗浄成分と、メタノール（第１溶剤）と、純水とからなる洗浄組成物がＳＣＣＯ2に供給されて処理流体が調製される。そして、この処理流体が処理チャンバーに供給される。このため、処理チャンバーでは、メタノールの比誘電率に対応する比誘電率環境で洗浄成分（ＨＦ＋ＮＨ_４Ｆ）が基板に接触してエッチング除去が行われる（第１洗浄工程）。また、第１洗浄工程に続く第２洗浄工程においても、メタノールを含む環境調整剤をＳＣＣＯ2に混合してなる処理流体が処理チャンバーに供給されるため、処理チャンバー内がメタノール（第２溶剤）に対応する比誘電率環境に整えられている。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリ
コン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二
酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、
温度１５０〜３５０℃および圧力７．５〜１２ＭＰａの条件下、導電膜および絶縁膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、エッチングを行うエッチン
グ工程、ならびに
温度３１〜８０℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、レジストを除去するレジスト
剥離工程、
のうち少なくとも２つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法
。 （もっと読む）

本発明は、スルホン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸またはこれらの任意の２以上の混合物、およびフッ化物を含む湿式エッチング組成物、および窒化物、高窒素含量酸窒化ケイ素、金属、ケイ素またはシリサイドと対比して酸化物を選択的にエッチングするプロセスに関する。該プロセスは、酸化物および１以上の窒化物、高窒素含量酸窒化ケイ素、金属、ケイ素またはシリサイドを含む基板であって、該酸化物がエッチングされるべき基板を提供する工程、該基板から所望の量の酸化物を除去するために十分な時間、該基板に該エッチング組成物を付与する工程、および該エッチング組成物を除去することで、該酸化物が選択的に除去される工程を包含する。
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本発明は、少なくとも1X10^-6の水性酸解離定数を持つ一種以上のカルボン酸成分が、酸化物（二酸化ケイ素もしくはドープした二酸化ケイ素など）のエッチングの間に利用される方法を含む。二種以上のカルボン酸も利用できる。カルボン酸の例としては、トリクロロ酢酸、マレイン酸、クエン酸を含む。 （もっと読む）