【課題】水分濃度低下を防ぎ、沸騰力を長く持続させたリン酸水のライフ長期化が可能なシリコン窒化膜をエッチングするエッチング半導体装置などの半導体製造装置を提供する。
【解決手段】蓋１のエッチング液３と対向する内側には、その周縁部に少なくとも２列の突起構造物８、９が複数配列されている（例えば、２列）。この複数配列構造は全体的に見ると千鳥状配列になっている。この複数配列構造において、蓋１の外側の配列を第１の配列とし、内側の配列を第２の配列とする。第１の配列の互いに隣接する突起構造物８間の間隔（Ａ）は、この間隔（Ａ）に対向する第２の配列の突起構造物９の長さ（Ｂ）と等しいかそれより短くなっている（Ａ≦Ｂ）。槽内の圧力が必要以上に上がらず、しかもエッチング槽外へ水分が流れ出ない事を両立できる。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との距離を一定に保持して、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、半導体ウエハ（基材）３と、支持基材１と、樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤とを用意する工程と、支持基材１の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２１を形成するとともに、半導体ウエハ３の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２２を形成する工程と、犠牲層２１と犠牲層２２とを接触させることで、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる工程と、半導体ウエハ３の他方の面を加工する工程と、犠牲層２１、２２を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に、仮固定剤を用いて優れた密着性をもって薄膜を形成して、これにより、この薄膜を均一な膜厚を有するものとし、その結果、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を支持基材１の一方の面にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２を形成する第１の工程と、犠牲層２を介して、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層２を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる第４の工程とを有し、支持基材１は、その仮固定剤に対する親和性が、機能面３１の仮固定剤に対する親和性とほぼ等しくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

光電（ＰＶ）ソーラーセル装置アーキテクチュアの大量生産のための高生産性で且つ所有コストが低い製造装置を提供することが、本開示の目的である。気相原料シリコンを使用することによって、現存する技術と比較して、材料処理ステップ及び材料コストを低減することが、本開示のさらなる目的である。本開示は、気相基板成長プロセスに適合する犠牲基板ベース層の製造を教示する。多孔質シリコンが、本開示で犠牲層として使用される。さらに、本開示は、犠牲多孔質シリコンＰＶセル基板ベース層を製造する装置を提供する。
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プレート状物体を保持、回転させるスピンチャックと、該プレート状物体の該スピンチャックに面する側に非回転流体ノズルを通して流体を導く流体供給手段と、を具備するプレート状物体のウェット処理用の装置が開示されるが、該スピンチャックは該プレート状物体を該プレート状物体のエッジで保持する手段と、該プレート状物体のスピンチャックに面する側に向かうようガスを導くガス供給手段と、を備えており、該ガス供給手段は該プレート状物体と該スピンチャックの間にガスクッションを提供するために該スピンチャックと共に回転するガスノズルを有している。 （もっと読む）

【課題】薬液制御機器内において薬液の流路を形成する複数の部材間に薬液が浸透すること。
【解決手段】薬液制御弁１０の薬液導入路２０及び薬液流出路２２は、バルブ２６によって連通及び遮断される。すなわち、バルブ２６は、通常、ピストンロッド２８を介してスプリング３０の弾性力が及ぼされるために閉弁されている。これに対し、シリンダ１６の側面に形成されているエア導入路３２から加圧エアが導入されると、ピストンロッド２８がスプリング３０の力に打ち勝って変位し、ひいては、バルブ２６が開弁する。上記バルブ２６は、ボディ１４及びシリンダ１６間に嵌め込まれている。バルブ２６とボディ１４との接触面には、薬液との接触角を増大させるための凹凸構造が備えられている。 （もっと読む）

【課題】不要なエッチングの進行が防止される表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造方法は、相互に間隔をおいて対向するように設けられた一対のガラス基板１１，１２を有する表示パネル１０の外周部の少なくとも一部分について、一対のガラス基板１１，１２の両側端面を被覆保護するように耐エッチング材２０を設ける被覆処理ステップと、両側端面を被覆するように耐エッチング材２０を設けた一対のガラス基板１１，１２のそれぞれの露出部分をエッチング処理することにより薄肉化するエッチング処理ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面のみを薬液で処理する基板処理方法において、基板の脱離の際に基板表面に所望しない異物の付着を防止し得る吸着パット及びこれを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板と吸着した状態で該基板を溶液に浸漬して処理を行う基板処理装置に使用する吸着パットであって、該基板と吸着する主面と、該基板の外周に沿って配置される外側面と、該主面に形成される吸引孔とを有し、該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの端面を構造的に保護することにより、ウエハ剥がれ等の処理不良を防止できる。
【解決手段】 処理部分の円Ｃを除くウエハＷの非処理面Ｓ２が保護部材５により覆われリップパッキン７を介して保護部材５を円板状部材３に積層した状態で、円板状部材３、保護部材５、ウエハＷの処理面Ｓ２、リップパッキン７で形成される空間ｓｐの気体を連通口９から排出する。保護部材５が円板状部材３に吸着されるので、ウエハＷの処理部分の円Ｃ以外は処理液に触れることがない。よって、ウエハＷの端面が処理液で処理されたり、基盤にウエハＷを接着しているワックス等が処理液に浸食されて剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。その上、連通口９から排気するだけという簡単な動作でウエハ端面保護装置１をウエハに取り付けられ、空間ｓｐ内の負圧を解消するだけで取り外せる。 （もっと読む）

【課題】基板にムラ無く表面処理を施すことができる表面処理用治具を提供すること。
【解決手段】本発明の表面処理用治具４は、基板２０、３０の裏面（一方の面）２０１、３０１全体を外部に露出させ、基板２０、３０の表面（他方の面）２０２、３０２は外部から保護されるように、吸着・保持するものである。この表面処理用治具４は、全体が弾性材料で構成され、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔４２と、上側および下側の基板当接面４１ａ、４１ｂに開口する複数の凹部４３とが形成されている。貫通孔４２および凹部４３は、それぞれ、基板２０の表面２０２および基板３０の表面３０２とで、閉空間を画成（形成）する。そして、この閉空間を減圧した後、表面処理用治具４を大気圧下に搬出することにより、貫通孔４２および凹部４３内の圧力と大気圧との差（差圧）により、基板２０、３０が表面処理用治具４に吸着・保持される。 （もっと読む）

【課題】 ワックスレスとすることにより工数を低減することができるとともに、ウエハの厚みを局所的に残すことにより、ウエハ強度を保ってハンドリングを容易にすることができる。
【解決手段】 収容器１にウエハＷが載置されて収容器１に蓋部材５が係合され、処理部分の円Ｃに相当する部分だけが化学的にエッチングされてウエハＷの厚みが薄くされる。ウエハＷは、収容器１に載置されているだけであり、ワックス等が使われていないので、貼付や剥離工程を省略することができて工数を低減できる。ウエハＷの外周部の厚みは元のままであり、全面研磨に比較して機械的な強度が高いので、従来から使われている搬送機構やウエハキャリアをそのまま使用できる。したがって、ウエハＷのハンドリングを容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】非接触式シールを用いた構成において、ランニングコストの低減を図ることができる基板保持装置を提供すること。
【解決手段】モータ１１を包囲するカバー部材２４の上端部には、複数本のばね３１を介して円環状の固定環３２が支持されている。一方、スピンベース１０の下カバー１３の下面には、円環状の回転環３４が固定環３２と対向配置されている。回転環３４の下面には、ガス供給源からのクリーンガスが導入されるガス導入溝と、このガス導入溝に連続し、回転環３４の回転時に、固定環３２と回転環３４との間に気体（クリーンガス）の動圧を発生させる動圧発生用溝とが形成されている。モータ１１が駆動され、回転軸９およびスピンベース１０が回転している状態では、ガス導入溝に導入されるクリーンガスの静圧と、動圧発生用溝の作用によるクリーンエアの動圧が発生する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理対象面に部材を接触させることなく基板を部分的に処理する方式を改良し、例えば、処理の均一性を向上させ、及び／又は、基板への異物の付着問題を軽減する。
【解決手段】基板処理装置１００は、第１面１２及び第２面１４を有する基板１０を液体１４５で処理する。基板処理装置１００は、基板１０の第２面１４と接触して基板１０を保持する基板保持部１６０と、基板１０の第１面１２の処理対象領域１２ａに液体１４５を接触させ、基板１０の第１面１２の非処理対象領域１２ｂに気体１３０を接触させるように液体１４５及び気体１３０を保持して処理対象領域１２ａと非処理対象領域１２ｂとを区切る区切り部１２０とを備える。区切り部１２０は、基板１０の少なくとも第１面１２に接触しないように配置され、液体１４５をその周囲を取り囲んで保持する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な工程で、より確実にウェハの微細構造体形成領域を保護しつつ、選択的エッチング処理が可能な方法の提供。
【解決手段】 半導体基板１０の一方面を選択的にエッチングする半導体基板１０のエッチング方法であって、耐エッチング性を有するエッチング保護膜１８を、半導体基板１０のエッチング処理面２２と反対側面２０にエッチング保護膜１８と当該半導体基板１０の外周域が接合領域となるように張り合わせる工程と、半導体基板１０のエッチング処理面２２をエッチングする工程と、エッチング保護膜１８と半導体基板１０との接合領域の内周域をレーザで切断し、エッチング保護膜１８を除去する工程と、を含む、半導体基板１０のエッチング方法により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

処理ヘッドアッセンブリとベースアッセンブリを含むワークピース処理システムであり、処理ヘッドアッセンブリは処理ヘッドと上部ロータを有し、ベースアッセンブリはベースと下部ロータを有している。ベースおよび下部ロータは磁石を備え、この磁石が生成する磁力により、上部ロータは下部ロータと係合可能であり、係合した上下のロータは、処理を受けるために半導体ウエハーが配置される処理チャンバを形成する。ワークピースを処理する処理流体は、処理ヘッドがワークピースを回転させる間に、処理チャンバへ任意に導入される。加えて、処理チャンバの周りと、処理チャンバを通過する気流により、ワークピース上に加わるパーティクルが低減される。
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