【課題】誤動作の原因となる電源・ＧＮＤノイズを低減し、信号に対する電源及びＧＮＤ双方のリターンパスを確保する。
【解決手段】パッケージ１００の上に半導体素子１０４が実装され、ボンディングワイヤ１０１〜１０３によってパッケージ１００と半導体素子１０４の電気的接続をとる。半導体素子１０４においては、信号用パッド２０１の外側と内側にＧＮＤ用パッド２０２と電源用パッド２０３が配置され、パッケージ１００においては、信号用パッド３０１の内側と外側にＧＮＤ用パッド３０２と電源用パッド３０３が配置される。信号用ボンディングワイヤ1０1を上下方向から電源用ボンディングワイヤ1０３とＧＮＤ用ボンディングワイヤ１０２によって挟むことで、電源・ＧＮＤノイズに対するシールド及びリターンパスを構成する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ全体としての配線インピーダンスを、配線経路によらず一定にする。
【解決手段】インターポーザ基板１２０と半導体チップ１００とを接続するための配線用チップ１１０であって、前記半導体チップ１００側に放射線状に設けられた複数の第１ボンディングパッド１１２と、前記インターポーザ基板１２０側に放射線状に設けられた複数の第２ボンディングパッド１１４と、前記複数の第１ボンディングパッド１１２と前記複数の第２ボンディングパッド１１４とを接続する複数の配線１１６と、を備え、前記複数の配線１１６は、それぞれ、同じ長さ及び同じ幅を有することを特徴とする配線用チップ１１０。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を積層して樹脂封止するにあたって、上段側半導体素子に接続されたボンディングワイヤの樹脂封止時におけるワイヤ流れ等を抑制する。
【解決手段】積層型半導体装置１は、回路基板２上に積層して搭載された複数の半導体素子４、６、７を具備する。これら半導体素子４、６、７はそれぞれ金属ワイヤ５、８、９を介して回路基板２の接続パッド３と電気的に接続されている。上段側の半導体素子６、７に接続された金属ワイヤ８、９は、少なくともそれらの間に充填された樹脂固定部１１で固定されている。積層された半導体素子４、６、７は金属ワイヤ５、８、９と共に樹脂封止部１０で封止されている。 （もっと読む）

【課題】 ボンドパッドサイズとボンドパッドピッチ減少の限界を克服できる集積回路チップを提供する。
【解決手段】 集積回路チップ１０は、センターパッド型チップ設計による集積回路が形成されたセル領域Ａ_cell1、Ａ_cell2の間に周辺領域Ａ_periを有する半導体基板１１と、該半導体基板１１上に集積回路と接続されるボンドパッド配線パターン１２とを含む。ボンドパッド配線パターン１２は、従来のボンドパッドが形成される層に所定のパターンを有するライン形態で形成され、一端が周辺領域Ａ_periに位置する。周辺領域Ａ_periの幅は、ボンドパッド領域が確保されていなくて、ライン形態である一部のボンドパッド配線パターン１２だけが存在するので、従来と比べて狭くなっている。これにより、半導体基板１１は、ボンドパッド領域のために必要な幅だけ減少された全体幅を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリチップを複数積層する際の実装面積の増加を抑制する。
【解決手段】実装基板１０１の一方の面にこの順に搭載された第一メモリチップ１０３ａおよび第二メモリチップ１０３ｂは、矩形の平面形状を有し、矩形の一辺に沿って一列にのみ配置された複数の電極パッドを含む。第二メモリチップ１０３ｂの電極パッド列は、第一メモリチップ１０３ａの電極パッド列に平行に配置される。電極パッド列の一方の端部にチップセレクトパッドが配置される。第一メモリチップ１０３ａのコントロール、アドレスまたはデータパッド１１３ａが、矩形の一辺に沿って一列に配置された第一ステッチ１０９にワイヤボンディングされ、チップセレクトパッド１２１ａおよびチップセレクトパッド１２１ｂは、チップセレクトパッド１２１ａの側の隣接辺に沿って一列に配置された第二ステッチ１１１にワイヤボンディングされる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ等のパワー半導体装置においてチップ面内の発熱による温度分布を均一化し、パワーサイクル寿命の向上を企図した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置１０は、半導体チップ（ＩＧＢＴ素子１１等）の表裏のチップ面に電極を備え、オン動作時に一方のチップ面の電極と他方のチップ面の電極の間で電流が流れる半導体装置であり、半導体チップの一方のチップ面の電極（エミッタ電極２２−１〜２２−６）には複数のワイヤ１５が不均一な配置分布で接続され、かつ、所定の基準に基づいて、一方のチップ面の周辺部に接続されるワイヤの本数は一方のチップ面の中央部に接続されるワイヤの本数よりも多くされるように構成される。 （もっと読む）

【課題】第１パッドを有する半導体チップに対しても、不必要な端子を増やすことなく検査を行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】第１半導体チップに設けられた第１パッドを、少なくとも仮ボンディングワイヤを介して外部と電気的に接続させる仮ボンディング工程と、前記仮ボンディング工程の後に実施され、外部から前記仮ボンディングワイヤを介して電気信号を前記第１パッドに入出力させ、前記第１半導体チップを検査する検査工程と、前記仮ボンディングワイヤを取り外す仮ボンディング離脱工程と、前記仮ボンディング離脱工程の後に実施され、前記第１半導体チップを、少なくとも前記第１パッドが被覆される様に、封止する封止工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】密集して配置される金属細線のレイアウトが工夫された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、リード１６と一体で設けられたアイランド１４と、アイランド１４の上面に固着された半導体素子１８と、アイランド１４に一端が接近して他端が外部に露出するリード１６と、半導体素子１８の上面に設けられたボンディングパッドとリード１６とを接続する金属細線２０と、これらの構成要素を被覆して一体的に支持する封止樹脂１２とを概略的に具備する構成となっている。そして、半導体素子１８の上面のボンディングパッド２４は、複数の金属細線２０を経由してリードの接続領域３０と接続され、線長が長い金属細線２０を、他の金属細線よりも半導体素子１８の側辺に対して直角に近い角度で引き出している。 （もっと読む）

【課題】金属細線の垂れ下がりに起因したショートの発生を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態の半導体装置の製造方法は、アイランド１４に半導体素子１８を実装する工程と、半導体素子１８の上面に設けたボンディングパッドとリード１６とを金属細線２０により接続する工程とを具備する。更に、本実施の形態では、金属細線２０を形成する工程に於いて、アイランド１４とリード１６との間で、保持部５０により金属細線２０の中間部を保持している。このことにより、ワイヤボンディングの工程における金属細線２０の垂れ下がりを防止して、金属細線２０と半導体素子１８とのショートを防止できる効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ数及び長を低減し、接合信頼性を実現することを目的とする。
【解決手段】一方の端部が第１ボンディング点にボールボンディングされ、他方の端部が第２ボンディング点にボンディングされてなる第１のワイヤループを有する半導体装置であって、前記第１のワイヤループのボール部の上面は、頂上部分がワイヤの一部を含めて潰された状態であり、前記ボール部の上面と第３のボンディング点とを架橋する第２のワイヤループを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】多ピンの半導体チップを用いる半導体装置のボンディングワイヤどうしの接触をなくし、歩止まりを向上させる。
【解決手段】半導体チップ２の１主面上に形成された複数の電極３と前記半導体チップ２の周囲に配された導体部の内部電極４とを接続して互いに上下に配されるワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃの内、最下位のワイヤ５ａに剛性が最も小さいものを用い、上位のワイヤ５ｂ，５ｃに剛性がより大きいものを用いる。最下位のワイヤ５ａは剛性が最も小さいことから、ワイヤ高さを低くできる。それよりも上位のワイヤ５ｂ，５ｃの剛性が大きいと、ボンディング時にループ形状の制御が容易であるだけでなく、ボンディング後のループの変形が抑えられる。このため、ワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃどうしの接触を回避することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 設計側と製造側の作業負担や作業分担の適正化、設計・製造の効率化、時間短縮、コスト削減を図ることができる半導体パッケージの設計・製造システムを提供する。
【解決手段】 プロセス技術者が作成したプロファイルタイプやループパラメータ等のボンディング用データをＣＡＤシステム２０へ送信し、ＣＡＤシステム２０でボンディング用データを用いてワイヤ隙間検査を行う。また、ワイヤ隙間検査後のデータをワイヤボンダ装置４０または仮想ワイヤボンダ制御手段６０に送信し、ワイヤボンダ装置４０のワイヤボンダ制御手段４２または仮想ワイヤボンダ制御手段６０によりキャピラリ軌跡座標データを作成し、キャピラリ軌跡座標データをＣＡＤシステム２０へ送信または出力し、ＣＡＤシステム２０でキャピラリ軌跡座標データを用いてキャピラリ干渉検査を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板上に半導体チップが搭載され、半導体チップ上の接続パッドと基板上の上層接続パッドとがボンディングワイヤを介して接続され、半導体チップを含む基板上に封止膜が設けられた半導体装置において、ボンディングワイヤの基板に平行な方向のピッチが狭くなっても、封止膜を形成するための液状樹脂からなる封止膜形成用膜中の気泡がボンディングワイヤに引っかからずに大気中に抜け出るようにする。
【解決手段】 ボンディングワイヤ１１、１２とは１本おきに配置されている。ボンディングワイヤ１２の最高点はボンディングワイヤ１１の最高点よりも３０μｍ以上高い位置にある。これにより、ボンディングワイヤ１１、１２の基板１に平行な方向のピッチが狭くなっても、相隣接するボンディングワイヤ１１、１２の各最高点間の間隔をピッチよりも大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの各電極パッドと、半導体チップの周囲に配列されて相互に隣り合う２つのリードのそれぞれとを接続する複数本のワイヤーのうち、相互に最も近づくワイヤー同士の間で電気的な短絡が発生することを防止できるようにする。
【解決手段】各リード７，９における３本のワイヤー１１〜１３，１５〜１７のセカンドボンドをリード７，９の長手方向に並べ、一方のリード７に接続される３本の第１のワイヤー１１〜１３をリード７，９の配列方向に並べられた第１列の電極パッド１９〜２１に接続し、他方のリード９に接続される３本の第２のワイヤー１５〜１７を第１列よりもリード７，９から遠い位置に並べられた第２列の電極パッド２３〜２５に接続し、一方のリード７の最後方に接続される第１のワイヤー１３を第２列の電極パッド２３〜２５に最も近い第１列の電極パッド２１を除く第１列の他の電極パッド２０に接続した半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】クロストークノイズの低減、チップサイズの小型化等を可能にする。
【解決手段】アナログ・デジタル混載半導体装置は、アナログ回路部３２とデジタル回路部３１とが混載された半導体チップ３０と、この半導体チップ３０の周辺部に配設され、デジタル回路部３１に接続された複数のデジタルパッド３５と、半導体チップ３０においてデジタルパッド３５の内側に配設され、アナログ回路部３２に接続された複数のアナログパッド３３と、半導体チップ３０の近傍に設けられ、デジタル回路部３１にデジタルワイヤ３７を介して接続される複数のデジタルポスト２１と、半導体チップ３０の近傍に設けられ、アナログ回路部３２にアナログワイヤ３８を介して接続される複数の第２のアナログポスト２２とを有している。そして、デジタルポスト２１とアナログポスト２２とを異なる配列に配置している。 （もっと読む）

【課題】解読、偽造、捏造等が困難な安全性の高い識別情報を付与した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子５と配線基板のリード２とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ３を用いて、半導体装置１に識別情報を付与する。各ボンディングワイヤ３は、所定の複数の形態のうちのいずれかの形態を有すると共に識別情報を構成する識別要素の１つである。識別情報は、ボンディングワイヤ３の複数の形態の所定の配列ないし組み合わせにより形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ搭載基板で、ワイヤーボンディング接続するときの金属ワイヤーの長さに制限をなくし、基板製造コストの上昇を防止する手段を提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤー１５により基板１１上電極１３とチップ１２上電極１４とを接続する過程で、基板上電極とチップ上電極の中間位置にて金属ワイヤーの一部がワイヤー固定手段１６を介して基板に接する構造を形成する。これにより金属ワイヤーの形状が安定し長い金属ワイヤーが使えるため、離れた位置にある細密ではない形状の基板電極と接続が可能になり、基板製造コストが削減される。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造される電子デバイスを提供する。また平面サイズの小型化をするとともに、薄型化した電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、基板側パッド２４を並べて基板２０上に配設し、ＩＣ側パッド１４が上面に並べて設けられたＩＣチップ１２を、ＩＣ側パッド１４の並べられた方向と基板側パッド２４の並べられた方向とを交差させて基板２０上に設け、基板側パッド２４とＩＣ側パッド１４とをワイヤ３２で接合した構成である。このワイヤ３２は、逆ボンディング法を用いて接合されている。そして電子デバイスには、ＩＣ側パッド１４の並べられた方向に沿うＩＣチップ１２の側辺に隣接して電子部品が基板２０上に設けられ、複数の基板側パッド２４のうちの少なくとも一部と電子部品とが導通している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの配置変換を簡易的確に行う。
【解決手段】ダイパッド３１上には、複数個のボンディングパッド４１を有する半導体チップ４０が固着されている。半導体チップ４０上には、中継チップ５０が固着されている。中継チップ５０は、複数個のボンディングパッド５１を有し、この複数個のボンディングパッド５１が、多層配線構造の配線パターン５２によって相互に接続され、半導体チップ４０側のボンディングパッド４１の配置を異なる方向に変換する。ボンディングパッド４１は、ワイヤ６１によってボンディングパッド５１に接続され、このボンディングパッド５１が、ワイヤ６２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの配置変換を簡易的確に行う。
【解決手段】ダイパッド３１上には、複数個のボンディングパッド４１を有する半導体チップ４０が固着されている。半導体チップ４０上には、これよりもサイズの小さな中継チップ５０が固着されている。中継チップ５０は、複数個のボンディングパッド５１を有し、この複数個のボンディングパッド５１が、多層配線構造の配線パターン５２によって相互に接続され、半導体チップ４０側のボンディングパッド４１の配置を異なる方向に変換する。ボンディングパッド４１は、ワイヤ６１によってボンディングパッド５１に接続され、このボンディングパッド５１が、ワイヤ６２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続されている。 （もっと読む）