【課題】２つの部材を複数本のボンディングワイヤにより接続するとともに、これら複数本のボンディングワイヤをゲル部材により封止してなる電子装置において、ダミーのボンディングワイヤを用いることなく、ゲル部材によるボンディングワイヤのダメージを抑制する。
【解決手段】パワーＩＣチップ７０と回路基板２０とを接続する第１のワイヤ５１と第２のワイヤ５２とにおいて、第１のワイヤ５１におけるゲート用のパッド７０ａとの接続部および第１の回路基板２０のパッド２１との接続部を結ぶ線Ｌ１と、第２のワイヤ５２におけるソース用のパッド７０ｂとの接続部および第１の回路基板２０のパッド２１との接続部を結ぶ線Ｌ２とが交差した位置関係にある。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤループと１本の隣接するワイヤループとの間のクリアランスを広く取りワイヤ間ショートを防止する。
【解決手段】第１，第２のワイヤループ１２，１３が上部から見ると重なる構造に形成して、これにより第１，第２のワイヤループ１２，１３と１本の隣接するワイヤループ１４との間でクリアランスが広く取れ、封止時において樹脂によるワイヤ流れによって生じるワイヤ間ショートを防止することができる。さらに、パッド１０においてボンディング部分を重ねることでパッド１０のサイズを変えることなく、また、１つのパッド１０と１つのリード端子１１に第１，第２のワイヤループ１２，１３をボンディングすることで、半導体素子８の縮小を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に配設される中継部材のボンディングパッドの配列及び当該ボンディングパッドを結ぶ配線を任意に設定できるようにして、異なる構造を有する他の半導体装置に対しても適用することができる当該中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置に配設される中継部材５０は、第１の端子５１と第２の端子５２とを備える。第１の端子５１に接続される第１端子用配線５６の端部及び第２の端子に接続される第２端子用配線５７の端部のうち少なくとも１つにより連結部６０が形成される。少なくとも前記連結部に接続部材６１が形成され、第１の端子５１と第２の端子５２が接続される。 （もっと読む）

【課題】 発振トランジスタのベース及びエミッタ用ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスを低減して、発振周波数近傍における位相雑音特性の良好な数ギガヘルツ帯の発振回路を提供する。
【解決手段】 発振トランジスタのベースとベース端子１２とを接続する第１のボンディングワイヤ１５と、エミッタとエミッタ端子１３とを接続する第２のボンディングワイヤ１６とを備え、ベース端子とエミッタ端子の配線方向が直角であり、且つ第１及び第２のボンディングワイヤの配線方向が直角であるようにする。ボンディングワイヤ間もしくはベース端子とエミッタ端子との間に磁気シールド材を挿入しても良い。ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスが低減され発振周波数近傍における位相雑音特性の良好な発振回路が得られる。 （もっと読む）

【課題】 周波数が１ＧＨｚ以上の高速差動伝送に使用されるワイヤーのワイヤー長を等しくするという手段を採ることにより、ＩＣ設計の際に、問題となる個々のワイヤーのインダクタを考慮して設計する必要のない、設計容易な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 周波数１ＧＨｚ以上の高速差動伝送を行う半導体装置において、基板７の配線に垂直な方向から見て、同一機能内の送信、受信、送受信に使用する差動信号ペアに使用されるボンディングワイヤー３、４、５、６のワイヤー長を全て等しくする。 （もっと読む）

【課題】パッド上に形成したバンプにワイヤループの途中部分を接続することで、安定した接続を行いながらループを低くして半導体装置の薄型化を図る。
【解決手段】外部に露出する端子部をもつベース部３３と、前記ベース部３３に固着されるチップ３２と、前記チップ３２のパッド４０上に形成されるバンプ４１と、前記ベース部３３と前記チップ３２のパッド４０との間を接続するワイヤ３８と、全体を覆う封止樹脂３９とを備えた半導体装置であって、ワイヤ３８の１本以上がパッド４０からベース部３３に至る途中でバンプ４１に接続される構成とすることで、ループ高さを低くすることが可能となり、半導体装置の薄型化を実現する。 （もっと読む）

集積回路パッケージ内で集積回路ダイを積層化するための改良された技術が開示される。これらの改良された技術によれば、集積回路パッケージ内の集積回路ダイの積層化密度をより大きくすることができる。更に改良した積層化技術によれば、従来の接合技術を用いて種々の集積回路ダイを互いに、又は基板に電気的に接続することができる。これら改良された方法は、同じサイズ（多くの場合同じ機能）の集積回路ダイを集積回路パッケージ内に積層化するのに特に有用である。そのような集積回路パッケージの一例として、積層体内に配置される複数の類似したサイズのメモリ保存集積回路ダイを備えた不揮発性メモリ集積回路パッケージが挙げられる。
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デバイスパッケージは、細長い長さの少なくとも１つの電極を有する、少なくとも１つの半導体デバイスを含んでいる。デバイスパッケージはまた、電極の細長い長さに平行に延びる、少なくとも１つの導電性パッドも含んでいる。端子リードは、導電性パッドと一体であるのがよい。複数の大体同じ長さのワイヤボンドにより、導電性パッドおよび半導体デバイスの細長い電極に電気的に接続するのがよい。別の案として、第２半導体デバイスを、導電性パッドに取り付け、複数のワイヤボンドを、この第２デバイスおよび第１半導体デバイスの細長い電極に電気的に接続するのがよい。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子４に設けられた電極パッド１０と、制御素子５に設けられた電極パッド１０とを導通接続する２本のワイヤ８であって、第１のワイヤ１１は、ファーストボンド１１ａが受光素子４の電極パッド１０に接続され、かつセカンドボンド１１ｂが制御素子５の電極パッド１０に接続され、第２のワイヤ１２は、第１のワイヤ１１のセカンドボンド１１ｂとした位置にセキュリティボンドとしたファーストボンド１２ａが接続され、かつ第１のワイヤ１１のファーストボンド１１ａが接続された位置とは異なる位置にセカンドボンド１２ｂが接続されている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増大することなく、周辺回路と電極パッドとを接続する配線幅を大きくして電力供給能力を増大することを可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】内部回路３と、内部回路の周囲に配列した複数の周辺回路ユニットからなる周辺回路４と、周辺回路ユニットにそれぞれ配線で接続され、半導体チップの周辺に沿って配列した複数の電極パッド２とを備える半導体装置であって、周辺回路ユニット４Ａ，４Ｂを半導体チップの周囲に沿って複数列の千鳥状に配置し、電極パッド２Ａ，２Ｂはそれぞれ対応する周辺回路ユニット内に配置する。周辺回路ユニットの周方向の幅寸法を大きくでき、周辺回路ユニットと電極パッドとを接続する配線の配線幅を増大し、半導体装置の電極パッドにおける電力供給能力を改善する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上にスイッチング電源などのようにスイッチング動作により機能する回路を形成した場合でも、１次電源側にノイズ除去用部品をつけることなく、高周波電流成分による高周波ノイズの半導体チップ外への漏れを低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ上の電極パッドを複数並べ、それぞれの電極パッドとこれに対応する内部端子とを結線するワイヤ線を、同じ方向に電流が流れる向きのもの同士で組合せ、それぞれのワイヤ線の組内では、ワイヤ線がほぼ平行でほぼ同一の長さになるようにワイヤボンディングする。 （もっと読む）

【課題】 チップの小型化に関わらず、ＥＳＤ保護回路の容量を大きく維持したまま、Ｉ／Ｏ回路と信号伝送路との間のインピーダンス整合を高精度で維持し、チップに接続可能な信号線数を十分に多く確保する半導体装置、を提供する。
【解決手段】 第一と第二とのボンディングパッド(3、4)はチップ(2)上に、その周に沿って密に形成される。第一のボンディングパッド(3)はチップ(2)の周辺部に形成され、第二のボンディングパッド(4)はその周辺部より内側に形成される。第一のボンディングパッド(3)にはＥＳＤ保護回路(7)が接続され、第二のボンディングパッド(4)にはＩ／Ｏ回路(8)が接続される。第一と第二とのボンディングワイヤ(5、6)は第一と第二とのボンディングパッド(3、4)を同じパッケージピン(1)に接続する。第二のボンディングワイヤ(6)は、第一のボンディングパッド(3)のピッチに関わらず、第一のボンディングワイヤ(5)より十分に長く設定される。 （もっと読む）

【課題】 高周波電力増幅回路を有する電子装置の高周波特性の合わせ込みを容易にする。
【解決手段】 携帯電話等に用いるＲＦパワーモジュールＰＭの増幅回路部を構成する半導体チップ１５ｂが実装されたモジュール基板の主面の周囲に、平面蛇行形状の電極１２Ｅ２を配置し、半導体チップ１５ｂのボンディングパッドＰと、上記電極１２Ｅ２とを、その各々に接触した状態で接続されたボンディングワイヤＢＷによって電気的に接続する。ここで、上記電極１２Ｅ２に対するボンディングワイヤＢＷの着地位置（接触位置）を変えることにより、ＲＦパワーモジュールＰＭの出力電力および効率を調整する。 （もっと読む）

本発明の一態様は、デバイスのパワーまたはグラウンドとＢＧＡパッケージとを接続する経路のインピーダンスを減らすことに関する。一つの特定の実現例では、シグナルボンドワイヤ（１１５）から所定の距離を置いてグラウンドストラップ（１３０）を配置することによって、シグナルボンドワイヤのインピーダンスを制御する。関係する実施形態では、ワイヤボンド（１１５）の近傍でデバイスダイ（１４０）とパッケージとの間に低インピーダンスのパワーまたはグラウンド接続を設ける。集積回路（１４０）は、複数のグラウンドパッド、シグナルパッド、パワーパッド、及び前記集積回路を実装するためのパッケージを含む。パッケージ（１００）は、複数のパッドランディング（１１０）、集積回路（１４０）を取り囲むグラウンドリング（１０５）、及び集積回路のグラウンドパッド（１２０）にグラウンドリング（１０５）を結合するグラウンドストラップ（１３０）を備える。
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【課題】 リードフレーム基盤及び基板基盤半導体パッケージ用ボンディング構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体素子パッケージのボンディング構造において、チップダイのサイズが増加されないながらボンディングワイヤーのボンディング角が許容限界内に維持されるダイ−対−パッケージボンディング構造に関するものである。これにより、隣接したボンディングワイヤーの間の短絡発生が緩和されるか、或いは除去され、製造中の素子ネットダイカウント（ネットダイ数）を増加することができる （もっと読む）

【課題】 低い製造コストと高い信頼性で半導体デバイスを製作する方法を提供する。
【解決手段】 多層ワイヤボンディング半導体デバイスをパッケージ化する方法は、多層ワイヤボンディング半導体デバイスにおいて各層で素子間の接続をする複数の導線の少なくとも２本の一部のみを横切って絶縁材料を適用することを含む。その方法は、又、導線と素子を封止することにより、半導体デバイスをパッケージ化することを含む。 （もっと読む）

半導体パッケージでは、ボンドワイヤを介してダイボンドパッドと接続する様々な形態の導電性トレースが用いられる。一形態では、隣接するボンドワイヤが、その中間点付近で意図的に交差することで、導電体の自己インダクタンスが低減され、自己インダクタンスが最小化される。更に別の形態では、介入する関連しないボンドパッドを有するボンドパッドと接続したボンドワイヤ同士が交差する。更に、導電性トレースは、個別の部分に分割され、交差ジャンパワイヤやボンドワイヤによって、電気的に接続される。各トレースに対し、任意の数の個別部分を形成してもよいが、偶数が好ましい。更に別の形態において、あるトレースが連続性で、別のトレースが二つ以上の部分に分割される。複数の部分が、それを覆うボンドワイヤによって接続される。裸のボンドワイヤ及び被覆ボンドワイヤのいずれを用いてもよい。
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密接配置したボンディング・ワイヤを種々の異なるパッケージング用途に用いると、電気的性能の向上を図ることができる。一実施形態では、ワイヤ群内にある２本の隣接するボンディング・ワイヤが密接配置されているのは、２本の隣接するワイヤのうちの短い方の長さの少なくとも５０パーセントで、これら２本の隣接するワイヤ間において分離距離Ｄが満たされる場合である。一実施形態では、分離距離Ｄは、２本の隣接するワイヤのうちの直径が大きい方のワイヤの直径の多くとも２倍である。別の実施形態では、分離距離Ｄは、２本の隣接するワイヤ間のワイヤ間ピッチの多くとも３倍である。各ワイヤ群は、２本以上の密接配置ワイヤを含むことができる。密接配置ボンディング・ワイヤのワイヤ群を用いると、例えば、電力−信号−接地の三重組、信号−接地対、信号−電力対、あるいは差動信号対または三重組を形成することができる。
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