【課題】ダウンホールモジュールで使用する接続信頼性の良好な電子アセンブリを提供する。
【解決手段】電子アセンブリ２００は、多層セラミックアセンブリと、多層セラミックアセンブリ上に配置される電子部品２４０とを有し、多層セラミックアセンブリは、セラミック基板２２０と、セラミック基板２２０上に配置されるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に配置される０．５ミクロン未満の厚さを有する金めっき層と、を含み、電子部品２４０と金めっき層とは、アルミニウムワイヤでワイヤボンドされる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程３００と、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程３０２と、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程３０４と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程３０６と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程３１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】小型でかつ高い信頼性を有する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂６から複数のリード１が突出した電力用半導体装置１００が、第１ダイパッド部１ｂを含む第１リード１ａと、第１ダイパッド部の表面に載置されたパワーチップ２と、第２ダイパッド部を含む第２リード１ｃと、第２ダイパッド部上に載置された制御チップ３と、パワーチップと制御チップとを接続する金を主成分とするワイヤ４と、第１リードと第２リードの端部がそれぞれ突出するように制御チップとパワーチップとを埋め込むモールド樹脂とを含み、ワイヤは、その第１端部が制御チップにボールボンディングされ、その第２端部がパワーチップにステッチボンディングされる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌパッド上にボンディングワイヤを形成することによるＡｌパッドとＡｕ配線層との反応を抑制すること。
【解決手段】本発明は、化合物半導体層１２上に設けられ、Ａｌを含み、かつボンディング領域２８を避けて設けられた配線接続部２６を有するパッド２０と、パッド２０の配線接続部２６に電気的に接続されたＡｕを含む配線層３４と、配線接続部２６と配線層３４との間に設けられたバリア層３２と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板に実装するためのＡｕバンプとＡｌ電極の間に形成してＡｕとＡｌの拡散を防止するためのエッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜、並びにこのエッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲットを提供する。
【解決手段】Ｔｉ：５〜２０質量％、Ｆｅ：２５〜１００ｐｐｍを含有し、残部がＷおよび不可避不純物からなる組成を有するエッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するスパッタリング用Ｔｉ−Ｗターゲット。 （もっと読む）

【課題】ボールボンディングを行なう際に初期の合金化率を高める。
【解決手段】ボンディングパッド１０には、凹部３０が設けられている。ボンディングパッド１０及び凹部３０は、略円形に形成されている。凹部３０は、配線層２４に向かうに従って面積が狭まるように傾斜した側面３０ａを有している。ワイヤ５４は、ボール５４ａの直径が凹部３０の直径と同じか又はわずかに大きくなるワイヤ径のものが選定される。この状態でボンディングを行なうと、ボール５４ａの外周付近が凹部３０の側面３０ａと接触し、熱や超音波振動が外周付近にも正確に伝わるようになる。これにより、接合界面の全域に亘って正常なＡｕ−Ａｌ合金層５４ｂが形成される。 （もっと読む）

半導体装置（１０）は、ボンディングパッド（２８）と最終相互接続層（１６）との間にコンタクトを有し、そのコンタクトは、最終相互接続層（１６）とボンディングパッドとの間にバリアメタル（２６）を含む。パッシベーション層（１８）及びポリイミド層（２２）の両方により、最終相互接続層（１６）とボンディングパッド（２８）とが分離される。パッシベーション層（１８）は、最終相互接続層（１６）と接するように第一の開口（２０）を形成すべくパターン化される。また、ポリイミド層（２２）も、パッシベーション（１８）を貫通する第一の開口（２０）よりも内側にあって、それゆえにより小さな第二の開口（２４）を残存させるようにパターン化される。次に、バリア層（２２）が最終相互接続層（１６）と接して堆積されて、ポリイミド層（２２）により境界を形成する。次に、バリア（２６）と接してボンディングパッド（２８）が形成されると、その後、ボンディングパッド（２８）に対してワイヤボンド（３０）が形成される。
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【課題】従来は、１層のＡｌの金属電極層を素子領域にコンタクトさせ、当該金属電極層上にＡｕのボンディングワイヤを固着していた。この場合時間経過に伴いＡｕ／Ａｌ共晶層が形成され、素子領域に悪影響を及ぼす問題があった。
【解決手段】金属電極層を、第１電極層、Ｔｉを含むバリアメタル層、第２電極層の３層の構造にする。バリアメタル層により、第１電極層、第２電極層の膜厚を従来と同等としてもＡｕ／Ａｌ共晶層が素子領域に到達することを防止できる。また３層の金属電極層は同一チャンバー内で連続して形成し、１つのマスクで一度のエッチング工程でパターンニングが可能である。抵抗の増大、素子領域への不均一な電圧印加、製造工程の増加や生産効率の悪化等の弊害を招くことなく、Ａｕ／Ａｌ共晶層による不良を回避できる。 （もっと読む）

【課題】従来は、１層の金属電極層を素子領域にコンタクトさせ、当該金属電極層上にボンディングワイヤを固着していた。装置のオン抵抗を低減するには、金属電極層の膜厚を厚くすることが望ましいが、パターニングの精度に限界がある。また、ボンディングワイヤにＡｕ細線を採用すると、時間経過に伴いＡｕ／Ａｌ共晶層が形成され、素子領域の層間絶縁膜にプレッシャーを与える問題があった。
【解決手段】金属電極層を２層とする。第１電極層は、従来通り素子領域に合わせた微細な離間距離でパターニングする。一方第２電極層は第１電極層とコンタクトすればよく、離間距離が広がっても問題はない。つまり第２電極層を所望の膜厚にすることができる。また、ワイヤボンド領域下方の第１電極層上に窒化膜を配置することで、Ａｕ／Ａｌ共晶層による体積膨張が起こった場合でもそのストレスが素子領域に伝わることを防止できる。 （もっと読む）