【課題】低コストで高さが均一且つ平滑であり、低荷重で接続される金属端子の形成が可能であり、低ダメージの実装を可能とし、高信頼性を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】電極５及び絶縁膜６を共に常温では固体であり接着性を示さず、これより高温の第１の温度以上で接着性を発現し、これよりも高温の第２の温度以上で硬化する性質を有する材料から形成し、ダイヤモンド等からなる硬質のバイトを用いて、半導体チップ１ａの電極５の表面及び絶縁膜６の表面が連続して平坦となるように切削加工し、平坦化処理する。 （もっと読む）

【課題】 エリアアレイ型電子部品を、電気的に接合される電子回路基板の接合位置に対して高精度に位置決め可能にする。
【解決手段】 電子回路基板１は、エリアアレイ型電子部品４の突起電極６に接続される複数個の電極ランド２を有し、最外周の少なくとも４隅に他の電極ランド２に比較して大きなアライメントランド２ａを設ける。一方、エリアアレイ型電子部品４は前記アライメントランド２ａに接合される低融点のはんだ材料からなるアライメント電極５を有し、それ以外の突起電極６を高融点のはんだ材料で構成する。リフローはんだ付け工程において、電子回路基板１とエリアアレイ型電子部品４間で、融点の差により、前記低融点のはんだ材料が先に溶融し、この優先溶融はんだ７の表面張力の作用により、エリアアレイ型電子部品４の接合位置決めが行われる。 （もっと読む）

アセンブリ（１００）ははんだ接続を介して相互接続される第１のチップ（２０）及び第２のチップ（３０）を備える。これらは前記第１のチップにアンダーバンプメタライゼーション及びはんだバンプを有し、第２のチップにメタライゼーションを有する。この場合、はんだバンプを接触角９０°未満の流体層として備え、前記第２のチップのメタライゼーションに基づいて金属間化合物が形成され、組成の少なくとも１元素がはんだバンプとして塗布される。
（もっと読む）

【課題】 リフロー過程における接合不良を防止することができる電子部品実装システムおよび電子部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板３に電子部品１５を半田接合により実装して実装基板を製造する電子部品実装において、基板３に搭載された電子部品１５の上にこの電子部品１５を自重により基板に対して押し付ける押付部材１６を載置する。この状態で基板３をリフローに送り、加熱することにより電子部品１５の半田バンプ１５ａを溶融させて基板３の回路電極３ａと半田接合する。これにより、半田溶融時に電子部品１５を押付部材１６の押し付け力によって適正に沈み込ませることができ、接合不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 低コストで信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体装置の実装構造を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体素子１の電極形成面を封止した封止樹脂層を貫通して電極と導通して形成された導電部を有する半導体装置１’を製造する半導体装置の製造方法において、半導体素子１の電極２上に金属バンプ３を形成し、非接着性表面を有し封止用の樹脂５が塗布されたフラットニングステージ４に対して半導体素子１の金属バンプ形成面側を押圧することにより金属バンプ３の端部を平坦にするとともに樹脂５を固化させて封止樹脂層５’を形成して半導体装置１’を得る。これにより封止樹脂層５’を貫通する導電部３’を金属バンプによって充分な厚さで形成することができ、信頼性に優れた半導体装置１’を低コストで製造することが出来る。 （もっと読む）