【課題】チップオンチップ構造の半導体装置を製造するための部品実装動作を効率よく行うことができる部品実装装置および部品接合方法を提供すること。
【解決手段】下チップ１４に上チップ１５を実装してチップオンチップ構造の実装体１９を形成する部品実装装置において、部品搬入部６から部品搬入ヘッド３３によって取り出した下チップ１４を実装ステージ１８に載置し、第２の部品トレイ１３Ｂから部品移送ヘッド２１によって取り出した上チップ１５を回転軸２１ａ廻りに上下反転させて部品受渡位置［Ｐ１］にて実装ヘッド２７に受渡し、部品実装位置［Ｐ２］にて、実装ステージ１８に保持された下チップ１４に実装ヘッド２７によって保持された上チップ１５を下降させて半田接合により実装する。実装により形成された実装体１９は、部品移動ヘッド２１により実装ステージ１８から搬出され、部品収納部２の第１の部品トレイ１３Ａに収納される。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子をフリップチップ接続によって基板に実装する際に、アンダーフィル樹脂中にボイドが発生することを抑制し、半導体素子の電極パッドが腐蝕したりすることを防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板１０にアンダーフィル樹脂１８を供給し、次いで、前記基板に位置合わせして半導体素子２０Ａをフリップチップ接続により実装する半導体素子の実装方法において、ボンディングツール３０に、チップ本体に設けられた電極パッド２１と該電極パッドに接合されたバンプ２２との接合部に露出する前記電極パッド２１の露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材１８ａによって被覆された半導体素子２０Ａを支持し、前記ボンディングツール３０により前記半導体素子２０Ａを加熱した状態で前記基板１０に前記半導体素子２０Ａを加圧し、前記接続電極１２とバンプ２２とを電気的に接続するとともに前記アンダーフィル樹脂１８を熱硬化させて前記半導体素子２０Ａを前記基板１０に実装する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光を実装に用いて信頼性の良好な半導体モジュールを作製できる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュールの製造方法は，配線基板１６４の上方に半導体素子１５０を位置させる工程と、第１配線１５３の第１バンプ部１５７と第１電極の第１パッド部２５４とを、第１接合部材１５５を介して接触させ、第２配線１６３の第２バンプ部１６７と第２電極の第２パッド部１５４とを、第２接合部材１６５を介して接触させる工程と、レーザ素子部から出射されたレーザ光１３７を照射することにより第１接合部材１５５、第２接合部材１６５を加熱して接合する工程と、を含み、第１バンプ部１５７と第１パッド部２５４とを接合する工程に用いられるレーザ光１３７の照射条件は，第２バンプ部１６７と第２パッド部１５４とを接合する工程に用いられるレーザ光１３７の照射条件とは異なる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーハンダを用いた接合において，ハンダボールの発生を抑制しつつ，ボイドを分散し減少させることのできる接合構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の接合構造体の製造方法は，複数の被接合体をハンダを介して接合する接合構造体の製造方法であって，ハンダとして亜鉛とインジウムとの少なくとも一方を含有する鉛フリーハンダを用い，複数の被接合体をハンダを介して対面させた状態で雰囲気を非酸化ガスで置換し（１），その雰囲気下で大気圧より低圧の第１圧力に減圧するとともにハンダの融点より高い温度まで昇温し（２），昇温したまま第１圧力より高く大気圧を超えない第２圧力まで非酸化ガスで昇圧し（３），昇温したまま再び減圧し（４），昇温したまま再び非酸化ガスで昇圧して大気圧を超えない圧力とし（５），ハンダの融点より低い温度まで降温させる（６）ものである。 （もっと読む）

本発明は、移送基板（２６）上に配置されるチップ（１８）を接触基板（５０）に移送し、チップを接触基板に接触するための方法及び装置に関する。この間、チップは移送基板の保持表面にチップの裏面（１９）を介して接着され、前記保持表面は接触基板に面している。チップの裏面は、移送基板を通過するレーザーエネルギの作用を受け、押圧手段（４５、４６）が移送基板を介しチップの裏面上に作用し、接触基板の接触表面（５８）に対向して配置されるチップのチップ接触部（５９、６０）を介してチップを接触表面上に配置される基板接触部（５６、５７）と接触させ、チップ接触部と基板接触部との間に熱結合が確立される。
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【課題】簡単な工程で電子装置を製造すると共に、封止用樹脂が電子部品の機能を妨げることや封止用樹脂による封止が不完全になることを防止する。
【解決手段】固体撮像素子２０は、開口部１１を有する基板１０に対して、機能面２１が開口部１１に向くように実装される。固体撮像素子２０は、機能面２１の周辺に配置された電極２２を有し、基板１０は、電極２２に接続される導体層１２を有している。固体撮像素子２０の実装時には、基板１０は支持台３０に載置され、基板１０の開口部１１の周囲の環状の領域に、液状の熱硬化性樹脂１３が配置される。固体撮像素子２０と熱硬化性樹脂１３とが接触してから、電極２２と導体層１２とが接触するまでの期間では、支持台３０、基板１０、固体撮像素子２０および熱硬化性樹脂１３によって囲まれた中空部分内の気体の圧力は、その変動が抑制されるように調整される。 （もっと読む）

【課題】バンプのレイアウトに関わらずバンプを溶融させることができ、かつバンプ及びバンプ近傍に発生する熱歪みを低減させることができる接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、パッケージ基板上１０１にバンプ１０３を介在させて半導体チップ１０２を配置する工程と、パッケージ基板１０１と半導体チップ１０２との間に、バンプ１０３を構成する材料の融点以上に加熱された加熱ワイヤ５を挿通させ、加熱ワイヤ５によりバンプ１０３を溶融させて、パッケージ基板１０１と半導体チップ１０２とをバンプ１０３により電気的及び機械的に接合する工程とを具備することを特徴とする接合方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置、及び、これを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０の電極１２と配線パターン２２とを、ビスマスを含有するはんだ３０を介して対向させること、及び、はんだ３０を、融点以上３００度未満の温度で加熱して溶融させ、その後硬化させて、電極１２と配線パターン２２とを電気的に接続する導電部４０を形成することを含む。はんだ３０のビスマス含有量は、３％よりも多く５７％未満である。導電部４０を形成する工程で、融点以上の温度ではんだ３０を加熱する時間は１０秒未満である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極パッド上の金属突起と配線基板の配線パターンとの熱共晶による合金形成接続法において、接続信頼性が高く、ボイド発生不良や接続不良が発生しない半導体装置の製造方法とそれ用の接着剤を提供する。
【解決手段】電極パッド２上に金属突起３を有する半導体素子１と、電極パッドに相対する配線パターン５を有する配線基板４との間に、微細フィラーを含むエポキシ樹脂系の接着剤６を介在させ、半導体素子上の金属突起と配線基板上の配線パターンを位置合せした後、加熱加圧７し、金属突起と配線パターンを共晶合金形成により電気的接続を得るとともに、接着剤を硬化６′させて、半導体素子と配線基板とを固定する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップ接合時の合わせズレを防ぐことができ、安定した接続を可能にする半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 パッド電極１を有する半導体基体２上に絶縁層３を形成する工程と、パッド電極１上の絶縁層３を選択的に除去して、絶縁層３にパッド電極１を露出させて凹部５を形成する工程とによって第１半導体チップ部６を作製し、第１半導体チップ部６の凹部５に第２半導体チップ部９のバンプ電極８を嵌入する工程と、バンプ電極８とパッド電極１とを接続して第１半導体チップ部６と第２半導体チップ部９とを接合する工程とを有する、半導体装置１０の製造方法、及びこの製造方法により得られる半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】 従来例と比べて、半導体チップに形成された電極と、基板に形成された配線パターンとの位置合わせをより正しく行うことができるようにした半導体装置の製造方法及び、半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 ＩＣチップ５に形成されてなる複数のバンプ６と、ＦＰＣ基板1に形成されてなるインナーリード２とを電気的に接続して半導体装置を製造する方法であって、
バンプ累積寸法とリード累積寸法とが一致するように、ＩＣチップ５とＦＰＣ基板1とをそれぞれ加熱し、加熱されたＩＣチップ５のバンプ６が形成された面を、加熱されたＦＰＣ基板1のインナーリード２が形成された面に対向させて、バンプ６とインナーリード２とを位置合わせする。 （もっと読む）

基板に対する熱的ストレスを抑制し、半田バンプを用いた電子部品の実装方法、取外し方法及びその装置を提供する。 半田バンプ１１４により基板３６に半田付けする電子部品（ベアチップ３２）の実装方法、取外し方法及びその装置であって、電子部品を移動させて半田バンプの基板に対する接触、又はツール（チャック部３８）の電子部品への接触を検知し、前記接触を原点に電子部品及び基板の加熱温度を上昇させ、該加熱温度を最大加熱温度ＨＴｍに到達させるとともに、前記温度上昇に合わせて電子部品を移動させ、最大加熱温度に到達した位置から電子部品を基板の実装高さに移動させる構成である。
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【課題】半導体パッケージの実装抵抗を低減する。
【解決手段】第１の金属部材（リード端子５，６）が、第１の貴金属を含む第１の金属体（Ａｕバンプ８）を介して、半導体素子（半導体チップ１）の第１の電極（ソース電極２）と接続され、かつ、第２の金属部材（ダイ端子７）が、第２の貴金属を含む第２の金属体（貴金属メッキ１４及びＡｇメッキ１５）を介して、第２の電極（裏面電極４）と接続される。半導体素子（半導体チップ１）を被覆する絶縁体（樹脂匡体１６）を有し、第１の金属部材（リード端子５，６）は、第１の電極（ソース電極２）との接合面の裏面側に露出部分を有し、第２の金属部材（ダイ端子７）は、前記第２の電極との接合面の裏面側に露出部分を有している。 （もっと読む）

電子部品搭載基板（Ｘ）の製造方法は、ハンダ材料を含むハンダバンプ電極（３１）を有する電子部品（３０Ａ）を、ハンダ材料の融点より高い第１温度に加熱し、且つ、ハンダバンプ電極（３１）に対応する電極部（２１）を有する配線基板（Ｘ’）を、第１温度より低い第２温度に加熱するための、昇温工程と、ハンダバンプ電極（３１）および電極部（２１）を当接させつつ配線基板（Ｘ’）に対して電子部品（３０Ａ）を押圧することにより、ハンダバンプ電極（３１）および電極部（２１）を接合するための接合工程と、を含む。
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【課題】 接合部を保護する樹脂材の充填性を高め、且つ信頼性にも優れた半導体装置の接合方法及び接合構造を提供すること。
【解決手段】 バンプ２を半導体装置１に形成する工程と、バンプ２を覆うように第１の樹脂材３を半導体装置１のバンプ形成面１ａに形成した後、第１の樹脂材３を硬化させる工程と、バンプ２の先端部２ｂを第１の樹脂材３から露出させる工程と、露出された先端部２ｂを接合対象物１１に形成された導体部１２に押し当てた状態で溶融させて接合させる工程と、未硬化状態で先端部２ｂを覆った後、接合時に硬化されて第１の樹脂材３の厚さよりも小さい第１の樹脂材３と接合対象物１１の導体部形成面１１ａとの間の間隙を充填する第２の樹脂材４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】次世代ＬＳＩのフリップチップ実装に適用可能な、生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装体を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ２０を、金型１の凹部５に配設した後、回路基板１０上に、半導体チップ２０が配設された金型１を配置する。然る後、回路基板１０と金型１で形成される空間部６に、溶融したはんだ粉を含有した溶融樹脂１３を注入する注入した後、空間部６に充填された溶融樹脂１３を硬化させる。溶融樹脂１３の注入工程において、溶融はんだ粉が、回路基板１０の接続端子１１と半導体チップ２０の電極端子２１との間に自己集合することによって、接続端子１１と電極端子２１とを電気的に接続する接続体２２が形成される。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による熱ストレスが生じてもはんだバンプの断線や半導体チップのはがれのない信頼性の高いＢＧＡ構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】積層された複数の絶縁層１３、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線９、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホール１２からなるＢＧＡ基板１と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップ２とを含んでなる半導体装置であって、前記複数の絶縁層の材料が、半導体装置が実装される実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 簡易な工程が可能で、かつ薄型化が可能な半導体装置および半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 基板上に電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターンが形成された基板に、電子部品である集積回路を位置決めされた所定の電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターン電極と対向させる。ここに、電子部品は、基板の電極と接合するために接合部電極上にある電気絶縁樹脂を排除する。集積回路がフリップチップボンデイング装置のヘッドに吸着され熱及び荷重及び超音波振動を印加することにより所定の電極上にある電気絶縁樹脂を排除し、導電バンプが金属配線パターンと接合または接触して導通を得る。 （もっと読む）

【課題】 回路基板に実装部品を接続する方法であって、これらの接続後に生じる回路基板の反りを防止できる実装方法を提供する。
【解決手段】 第一電極１２を有する回路基板１０と第二電極３１を有する実装部品３０とを、第一電極１２と第二電極３１を対向させ、回路基板１０と実装部品３０の間に接着剤２０を介在させてステージ４１上に配置する位置決め工程と、ステージ４１に対向して設置してあるヘッド４２をステージ４１方向に移動させ、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０を加圧する加圧工程と、加圧状態を保持しながら、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０を加熱する加熱工程と、ヘッド４２を移動し、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０の加圧状態を解除する圧力解除工程と、を有する実装方法。 （もっと読む）

【課題】 接続信頼性を大幅に向上させたＡＣＦ接続構造を実現する。
【解決手段】 電子部品８と配線基板９の電極間の接続を従来の導電性粒子を介した接触接続に加え、電極間を金属間化合物３によるはんだ接続とする。 （もっと読む）