【課題】突起電極、電子装置、半導体装置、及び電子装置の製造方法において、歩留まりを向上させること。
【解決手段】頂面２４ｂと、頂面２４ｂに連続する側面２４ｃとを有し、側面２４ｃに窪み２４ａが形成され、該窪み２４ａが頂面２４ｂに表出したことを特徴とする突起電極２４による。 （もっと読む）

【課題】電子装置の製造工程において、はんだバンプ同士のブリッジの発生の防止を図るとともに、ＢＧＡ型の半導体装置を回路基板上に容易に実装を行うことができる電子装置及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
電子装置は、回路基板１と、回路基板１に電気的に接続される複数の端子３と、前記複数の端子３に電気的に接続された半導体装置４と、前記複数のはんだバンプ３同士を隔離する隔壁６とを有する。隔壁６がバリアとなってはんだバンプ３が隣のはんだバンプ３に接触できなくなるため、はんだバンプ３同士のブリッジの発生の防止を図るとともに、ＢＧＡ型の半導体装置４を回路基板１上に容易に実装することができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に対して半導体チップを所定の隙間を確保して実装することができる実装装置を提供することにある。
【解決手段】基板が載置される実装ステージ１８と、下端面に半導体チップ７を保持するとともに、半導体チップを加熱するヒータ６が設けられた実装ツール４と、実装ツールのヒータによって加熱された半導体チップを基板に実装するとき、実装ツール或いは実装ステージのどちらかを上下方向に駆動する駆動源と、半導体チップを基板に実装する前に測定された半導体チップをヒータによって加熱する加熱温度条件と実装ツールの熱変形との関係と逆位相となる条件で駆動源による実装ツール或いは実装ステージの駆動を制御して、半導体チップと基板との間に介在するバンプと端子とによって半導体チップを基板との間に所定の隙間を有する状態で実装させる制御装置１１を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、電極とはんだバンプとの接続信頼性を高めること。
【解決手段】銅を含む第１の電極４が表面に形成された回路基板１と、第１の電極４の表面に形成され、銅と錫との反応を抑制するバリアメタル層１０と、バリアメタル層１０の上に形成された錫層１２と、錫層１２を介して第１の電極４に接合された無鉛はんだバンプ１８と、無鉛はんだバンプ１８と接合された第２の電極２２を備えた半導体パッケージ２０とを有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】気密性および信頼性が高く、かつ小型化が可能な高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁体からなり、キャビティ１４を有する基板１０と、キャビティ１４内に実装されたチップ部品２０と、キャビティ１４を覆うように基板１０の上面にフリップチップ実装されたＳＡＷデバイスチップ２４と、基板１０の上面に設けられ、ＳＡＷデバイスチップ２４とチップ部品２０とを封止する封止半田２８と、を具備する高周波モジュールである。 （もっと読む）

【課題】２枚の半導体チップをフリップチップ接続したＣＯＣ構造の半導体装置を製造するにあたり、半導体チップの反りの発生を抑え、バンプ接続部における接続不良の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体チップ１１の表面に絶縁樹脂の硬化膜１４を形成する工程（ａ）と、絶縁樹脂の硬化膜が形成された第１の半導体チップ上に第２の半導体チップ１２をバンプ１６を介してフリップチップ接続する工程（ｂ）と、を含む半導体装置の製造方法であって、工程（ａ）では、前記絶縁樹脂を（Ａ−５０）℃以上（Ａ＋５０）℃以下の温度（ここで、Ａは前記バンプの凝固点である）で硬化させる半導体装置１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を直接的に冷却することができ、別途の冷却板を設置する必要がない加熱溶融処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の加熱溶融処理装置は、半田を含む処理対象物１００についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置１であって、加熱溶融処理した処理対象物１００を載せて搬送するためのハンド部４を冷却板として兼用する。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの低減等を図る。
【解決手段】 スルーホール９、９、・・・の開口縁に形成されたパッド部１０ｂ、１０ｂ、・・・を有する多層基板３と、ベース基板６と該ベース基板上に設けられ半田８、８、・・・が接合された金属パッド７、７、・・・とを有する回路基板５とを設け、スルーホールと金属パッドを位置合わせした状態で加熱光線１００をスルーホールを通して半田に照射し該半田を溶融してスルーホールの開口縁に形成されたパッド部と回路基板の金属パッドとを接合するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＩＣに形成されたはんだバンプと基板表面に形成されたランドとを接合する際に、ＩＣに大きな加圧力を付加することなく、ばらつきのないはんだ付けを可能にして、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】ＩＣ７上のはんだバンプ７ａと基板１４表面のランド１４ａを接触するとき、はんだバンプ７ａの温度をはんだ溶融温度よりも低くし、ランド１４ａの温度をはんだ溶融温度よりも高くした状態でＩＣ７を下降させる。この状態で背の高いはんだバンプ７ａが接触すると、熱せられた基板１４のランド１４ａの熱によって接触したはんだバンプ７ａがすぐに溶融し、すぐに背の低いはんだバンプ７ａが接触することとなる。よって、各はんだバンプ７ａの溶融が順次進行することにより、バンプ高さにばらつきのあるＩＣ７においても、大きな加圧力を加えることなしに、ばらつきのないはんだ付けが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた突起電極と回路基板に設けられたはんだ電極とを接合する際に、突起電極とはんだ電極との位置ずれを低減し、突起電極を被覆した鼓状の接合電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】突起電極１５が設けられた半導体素子１０と、固相液相共存領域を有する組成のはんだ電極２５ｃが設けられた回路基板２０とを、突起電極とはんだ電極とが対向するように位置合わせする第１工程と、はんだ電極を固相液相共存領域まで加熱し、所定時間保持する第２工程と、第２工程の後、はんだ電極を液相領域まで加熱する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子部品同士を半田接合し、半田接合部の空隙を熱硬化性樹脂を含有する樹脂層で充填させ、半田接合部を補強する電子部品の製造方法において、空洞（エアギャップ）の発生を抑制することができ、さらに、ボイド（気泡）の発生をも抑制することができる、電子部品の製造方法および電子部品を提供することができる
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、第１電子部品または第２電子部品の少なくとも一方に、熱硬化性樹脂を含有する樹脂層を形成する第１の工程と、半田電極と金属電極を当接させる第２の工程と、半田電極と金属電極を溶融接合させる第３の工程と、熱硬化性樹脂を含有する樹脂層を硬化させる第４の工程と、を有する電子部品の製造方法において、第３の工程において、板状体を有する加圧装置で加圧を維持しながら半田の融点以上の温度に加熱し、さらに、半田の融点よりも低い温度で加圧を開放することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被実装体に電子部品を接続する前に封止樹脂材を予め形成する先封止技術を使用する電子部品装置の製造方法において、電子部品の下側に信頼性よくアンダーフィル樹脂を形成できる新規の方法を提供する。
【解決手段】接続部１４を備えた被実装体１０に、未硬化の封止樹脂材２０を介して、電子部品３０のバンプ電極３２を押し込むことにより、バンプ電極３２が接続部１４上に配置され、電子部品３０の下に封止樹脂材２０が形成された積層部材５を得る工程と、支持板４２上に積層部材５及びシート材４４を配置し、支持板４２とシート材４０とを備えた治具４０の内部の空気を排気して真空状態とすることにより、積層部材５をシート材４４で加圧する工程と、積層部材５を加圧した状態で加熱処理することにより、電子部品３０の下にアンダーフィル樹脂２２を得ると共に、電子部品３０のバンプ電極３２を被実装体１０の接続部１４に接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電気的接続信頼性及び接着後の耐イオンマイグレーション性に優れ、接着フィルムの脆性改善と良好なタック性を両立させた接着フィルム、多層回路基板、電子部品および半導体装置を提供する。
【解決手段】接着フィルム２を、（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂と、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、（Ｃ）フラックス活性化合物と、（Ｄ）成膜性樹脂と、を含む組成とする。 （もっと読む）

【課題】リフロー処理を行わずに、回路基板へ半導体用パッケージを、簡便に実装し、回路基板から取外すことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】回路基板１１のランドパターン１２に、回路基板に実装されるＢＧＡパッケージＩＣ１の側面よりも外側に位置した熱入力部１３を設ける。ＢＧＡパッケージＩＣに覆われる部分のランドパターン１２ａは、バイアホール１４ａ，１４ｂと中間層１１ａを介して、ＢＧＡパッケージＩＣに覆われない回路基板の上面の部分に配した熱入力部１４に接続させる。熱入力部を加熱すると、ランドパターンに接触させたバンプ１ａが溶融し、ランドパターンに接続される。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と第２の半田バンプ３を有する第２の基板４とを、半田バンプ１、３同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内を排気して減圧雰囲気とした後にカルボン酸ガスを導入する。カルボン酸ガスの導入後の炉内の温度を上昇させつつ、カルボン酸ガスによる酸化膜の還元温度以上で、かつ半田バンプ１、３の溶融温度未満の温度域にて、炉内を排気して減圧雰囲気とする。炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域まで上昇させ、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを溶融させて接合する。 （もっと読む）

【課題】下面にバンプが設けられた電子部品を対象として接合強度を確保することができる電子部品実装方法および電子部品実装構造を提供する。
【解決手段】下面にバンプ７が半田により設けられた電子部品６を基板１に実装してなる電子部品実装において、半田粒子を第１の熱硬化性樹脂に含有させた半田接合材３を基板１に形成された電極２とバンプ７との接合に用いて、半田粒子とバンプ７が溶融固化した半田接合部７＊と半田接合部７＊を補強する第１の樹脂補強部３ａ＊を形成するとともに、半田粒子を含まない第２の熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤４を電子部品６の外縁部６ａと基板１に設定された補強点との固着に用いる。これにより、半田接合材３と接着剤４とが混合した場合にも熱硬化性樹脂の正常な熱硬化が阻害されることがなく、下面にバンプ７が設けられた電子部品６を対象として接合強度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】微細なピッチで形成された接続パッドを有する配線基板上に、フリップチップ法により半導体素子を実装する際に、溶融はんだのはみ出しによる短絡を回避する。
【解決手段】表面に可溶性金属層１０６が被覆された導電パターン１０３を具備する配線基板１０１上に、凸状の外部接続端子２０３を具備する半導体素子２０１を実装する半導体装置の製造方法に於いて、前記配線基板を、前記可溶性金属層の融点以下の第１の温度をもって加熱する段階、次いで、前記半導体素子に於ける凸状の外部接続端子を前記導電パターン表面の可溶性金属層に接触させ、当該可溶性金属層をその融点以下であって且つ前記第１の温度よりも高い温度をもって加熱する段階、しかる後、前記半導体素子に於ける凸状の外部接続端子を前記導電パターン表面の可溶性金属層に接触させた状態に於いて、当該可溶性金属層をその融点以上の温度に加熱する段階を具備する。 （もっと読む）

【課題】回路基板と電子部品との接合あるいは、電極の上へのバンプ形成を接合材料の供給量ばらつきに関わらず、半田オープン、ショート不良のない、安定した品質で量産が行える接合装置および方法を提供する。
【解決手段】回路基板１の上に流動体４を供給した後、供給された流動体４に含まれている導電性粒子３の量をカメラ２２の撮影データを画像処理して測定し、測定した数値に基づき、接合工程における第１電極２と第２電極６との隙間の値を適正値に制御して、生産条件に反映させる。 （もっと読む）

【課題】 裏面がＣＭＰ処理による鏡面状平面にされたウエハ上に、ＷＬＰＴＳＶ技術を活用したコネクタを作り込んで個片に切断することで大量生産されるスルーシリコンビア構造を有するウエハーレベルコネクタ。
【解決手段】 ウエハ上に直接コネクタを作り込み、各コネクタ間をダイシングして切断し、接続端子となるウエハ裏面をウエハレベルでＣＭＰ処理による鏡面状平面に仕上げることによって、大量生産を可能とし画期的な生産性を有するとともに、コネクタは、１０ＭＰａ程度の付勢力を発生するスパイラル状接触子と接続端子との間に１００℃程度の低温加熱をすることで金属接合が起きる。このようなＷＬＰＴＳＶ技術を活用した実装に係り、特に液晶パネルやカメラモジュール、ＩＣ、ＬＳＩ等の実装用や実装基板同士の接合を仲介する、ＴＳＶ構造を有するウエハーレベルコネクタ。 （もっと読む）

【課題】マザーチップを回路基板上にフリップチップ接続するために用いる半田ボールを効率的に形成する。
【解決手段】ウェハ状態で、複数のマザーチップの各々の回路面に複数の半田ボールを形成する。次に、ウェハ状態で複数のマザーチップの各々の回路面にドータチップをフリップチップ接続する。次に、ウェハをダイシングにより個々に分離して、ドータチップ及び複数の半田ボールが接続された複数のマザーチップを形成する。半田ボール形成工程では、マザーチップの回路面に複数の半田ボール形成領域に対応する位置に開口を有するレジストを形成し、その開口に半田ペーストを充填し、レジスト除去後にマザーチップを加熱して半田を溶融して複数の半田ボールを形成する。フリップチップ工程は、複数の半田ボールの融点より低い第１温度で、ステージ上にマザーチップを設置した状態で、かつドータチップを第１温度より高い第２温度にした状態で行なわれる。 （もっと読む）