２つの異なるチップの各々に一対の接点の各々を提供して、電気的接続を創成する方法であって、一対の接点はそれらの間に容積部を画成し、容積部は各々が融点を有する少なくとも２つの組成物を収容し、第１の温度までの加熱することにより、少なくとも２つの組成物のうちの少なくとも一方に変化を生じさせて、その変化により第２温度である新しい組成物融点を有する新たな組成物が生み出され、第２の温度は第１の温度および少なくとも２つの組成物のうちの少なくとも第１の組成物の融点より高くなるように、組成物は選択され、一対の接点と少なくとも２つの組成物を第１の温度まで加熱する。
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【課題】鉛フリーはんだおよび低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置のフリップチップ接続後の破壊を抑制し、製造上の歩留まりを向上させるとともに信頼性を高めた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極２およびプリコート３５が錫と銅との合金からなり、バンプ電極２を加熱溶融して半導体チップ１の電極パッド１３とインターポーザ基板３の電極パッド３３とをバンプ電極２を介して接続する工程において、バンプ電極２の融点以上にまで加熱した後の降温時に１９０〜２１０℃を３〜１５分間保持する温度プロファイルでバンプ電極２を加熱する。また、電極パッド３３の径をＬ_ａ、電極パッド１３の径をＬ_ｂとしたとき、１．４＜Ｌ_ｂ／Ｌ_ａ＜１．６の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】超音波の印加、加熱などを行わなくても、小さい圧力のみで基板同士を接続できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板とを準備し、前記第１の電極に第１のバンプをワイヤボンディング法で形成し、前記第２の電極に第２のバンプをめっき法で形成し、前記第１のバンプの弾性率と前記第２のバンプの弾性率との差が、５００ｋｇｆ／ｍｍ²以下となるように弾性率の調整を行い、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１のバンプと前記第２のバンプとが対向して接するように配置し、前記第１のバンプと前記第２のバンプとが電気的に接続されるように、加圧を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、バンプ電極付き電子部品を基板にフリップチップ接続する際に、基板の反りを低減し、精度の高い電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】バンプ電極が形成された電子部品１１を、熱硬化性樹脂により基板に固着させるフリップチップ実装方法であって、基板上に熱硬化性樹脂を塗布する工程と、底面の中央部に形成された凹部と、この凹部に連通する吸着孔と、前記凹部を取り囲み前記バンプ電極の裏面に接触する凸部と、さらに加熱装置および吸引装置を備えたアタッチメント３０を用いて、バンプ電極の裏面から電子部品を吸引保持しながら、基板の電極にバンプ電極を位置あわせして電子部品を基板に載置する工程と、電子部品の中央部分の熱硬化性樹脂の温度と、アタッチメントの前記凸部との温度差が５０℃以上となるように調節しながら、電子部品を基板に対して押し付ける接続工程とを有する実装方法。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を回路基板上に容易に実装することができ、且つ回路基板からの半導体部品の取り外しも容易な半導体部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ型半導体部品１の底面に複数のはんだバンプ１２を突設させ、回路基板３に、はんだバンプ１２を挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプ１２と同じ間隔で形成され、当該回路基板３の厚さ方向に貫通する複数のスルーホール３１を備え、はんだバンプ１２をスルーホール３１に挿入させ、次いで、回路基板３の底面側から加熱することによりはんだバンプ１２を溶解させて、ＢＧＡ型半導体部品１を回路基板３に溶着する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子パッケージを、そのソルダーボールを介して外部回路基板に実装する生産工程中に発生しうるシールリング部及び電気的な接続のための接続部における不良を防ぐことのできる半導体素子パッケージと、その製造および実装方法を提供する。
【解決手段】本願による半導体素子パッケージは、半導体素子と、前記半導体素子と対向するように配設される基板アセンブリーと、前記半導体素子と前記基板アセンブリーとを密着シールするソルダーシールリングと、前記基板アセンブリーのソルダーシールリングの外周縁に設けられる多数のソルダーボールと、を備え、前記ソルダーシールリングの融点が前記ソルダーボールの融点よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】傷及び汚染をできる限り回避したウエハ用の極めて緩やかに作動する装置及び対応する処理を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも２枚の基板（１、２）、特に半導体基板またはウエハをボンディングするための処理及び装置に関し、基板（１、２）を保持し、圧力を伝達し、特に基板（１、２）を加熱するための下側の加圧プレート（５）と、上側の加圧プレート（５）と反対側に配置され、圧力を伝達し、特に基板（１、２）を加熱するための上側の加圧プレート（６）と、基板（１、２）を、特に１００℃を超える温度、特に２５０℃を超える温度まで加熱するための加熱手段（７、８）と、下側（５）及び／または上側の加圧プレート（６）に押圧力Ｆ、特に５００Ｎより高く好ましくは１０００Ｎよりも高い押圧力をかけるための圧力付与手段、具体的にはアクチュエータ（９）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で半田付けあるいはろう付けする際に、錘を必要とせずに効率良く半田付けする。
【解決手段】回路基板１１として少なくとも片面に金属回路１３が形成されたセラミック基板１４を備えるとともに、半導体素子１２（電子部品）を接合する部分と対応する箇所に強磁性体１７が埋設されたものを使用する。強磁性体１７はループ状に形成されている。金属回路１３上にシート半田３１を介して半導体素子１２を配置するとともに、強磁性体１７を磁束が通過するように高周波誘導加熱を行ってシート半田３１を溶融させ、金属回路１３と半導体素子１２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】従来の誘導加熱現象を利用したはんだ接合装置では、サセプタ上に載置したワークの各部の温度が不均一となるためはんだの溶融状態がばらつき、接合面が均一にはんだ接合されなかった。
【解決手段】誘導加熱現象を利用して、放熱板２と回路基板３との間にはんだ４を介在させて構成されるはんだ接合体１のはんだ４を溶融させ、放熱板２と回路基板３とをはんだ接合するはんだ接合装置１０であって、交流電流を通電することで交流磁場を発生させる誘導コイル１１と、誘導コイル１１内に配置され、交流磁場に曝されると発熱するサセプタ１７と、サセプタ１７上に設置され、放熱板２と回路基板３とのはんだ接合時にはんだ接合体１が載置される熱伝導シート１８とを備え、熱伝導シート１８の略中央部には開口部１８ａが形成され、熱伝導シート１８は、はんだ接合体１を開口部１８ａの開口縁部１８ｂ・１８ｂにて支持する。 （もっと読む）

【課題】 熱膨張率の異なる２つの部材の接合状態が従来と比べて安定している接合体を製造すること。
【解決手段】 接合前ユニット４０は、ＢＧＡ１０とマザーボード３０を有する。ＢＧＡ１０は、ＢＧＡ本体１２とそれに接合されているはんだ２０を有する。ＢＧＡ本体１２とマザーボード３０の間にはんだ２０が配置されている。接合前ユニット４０は、リフロー炉５０に入れられる。リフロー炉５０は、はんだ２０の固液共存相の温度範囲内をピークとする加熱温度を有する。これにより、ＢＧＡ１０がマザーボード３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィル用樹脂内のボイドの発生を抑制し、信頼性の高いフリップチップ実装を実現した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ２０の一方の主面２２に２次元状に形成された複数の電極２４を、基板３０上の対応する導電性領域３２、３４に接合するステップと、真空雰囲気中で、半導体チップの一方の主面と基板との間にアンダーフィル用樹脂４０を供給するステップと、アンダーフィル樹脂４０が供給された半導体チップおよび基板を大気中に露出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、実装基板の反りを低減でき、さらに接合信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２１の電極パッド２２にはんだバンプ２３を形成し、実装基板２４の接合端子２５にはんだバンプ２３よりも低融点のはんだ層２６を形成する第１の工程と、はんだ層２６の融点より高く且つはんだバンプ２３の融点より低い温度に硬化開始温度を有する樹脂組成物２７で接合端子２５を被覆する第２の工程と、実装基板２４上に半導体チップ２１をマウントし、樹脂組成物２７の硬化開始温度より低い温度に加熱してはんだ層２６を溶融させる第３の工程と、樹脂組成物２７を硬化させる第４の工程と、はんだバンプ２３を溶融させてはんだ層２６と一体化させる第５の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂が充填されるまでの間の過程において加わる衝撃やストレスなどにより、はんだバンプの接続が外れにくい半導体実装基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３１には連結体の外周に連結桟３５を設け、少なくともリフロー工程２５より前に貼り合わせ工程を設け、この貼り合わせ工程において接着剤５４を用いて補強枠を連結桟３５へ貼り合わせる。そして、樹脂注入工程２６で樹脂７を半導体素子４と基板３１との間の隙間に充填の後に、切断工程５５で連結桟３５と補強枠とを切除するものである。これにより、樹脂注入工程２６において、補強枠が貼り合わせられているので、基板３１に加わる衝撃やストレスなどに対し変形が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】効率的に部品の基板への実効的な固定力と接合性とを確保し、かつ、高密度な部品実装を実現するための部品実装機および部品実装方法を提供すること。
【解決手段】接着剤を塗布する塗布部５と、塗布部５により塗布される接着剤の量である塗布量Ｖを、Ｖ１＞Ｖ≧Ｖ２を満たす量に制御する塗布量制御部２８と、部品を、部品と基板との間に接着剤が介在した状態で基板に装着するノズル３とを備え、Ｖ１およびＶ２は、部品が基板に接合された場合の部品と基板との位置関係における、バンプ面の周縁から基板に向かって直線的に伸ばした仮想の面である境界面と、部品と、基板とで囲まれる空間領域の容量であり、Ｖ１は、境界面と基板とのなす部品側の角度が、接着剤の所定の加熱温度における基板に対する接触角と等しい状態での空間領域の容量であり、Ｖ２は、境界面がバンプと交わることなく接している状態での空間領域の容量である。 （もっと読む）

【課題】鉛（Ｐｂ）フリー化及び層間絶縁膜の低強度に対応したフリップチップ実装の接続性を確保するとともに、この接合部分の高い信頼性をも確保する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板２の第１の電極６上に第１のバンプ電極８を形成する工程と、第２の基板３の第２の電極１０上であって第１のバンプ電極８の融点より低い融点を持つ第２のバンプ電極１１を形成する工程と、第１の基板２と第２の基板３とを対向させて、第１のバンプ電極８と第２のバンプ電極１１とを配置させる工程と、第１の基板２と第２の基板３との間にアンダーフィル１２を充填し、アンダーフィル１２を硬化させる工程と、第１のバンプ電極８と第２のバンプ電極１１を第１のバンプ電極８の融点より高い温度において溶融し、第１のバンプ電極８の融点と第２のバンプ電極１１の融点の中間の融点を有する第３のバンプ電極１３を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】鉛（Ｐｂ）を含有しない外部接続用突起電極を介して半導体素子を配線基板に実装する方法であって、当該実装の際に、配線基板から、当該半導体素子に於けるＬｏｗ−Ｋ材料から構成される層間絶縁膜を介して積層されている配線層に作用する応力を緩和して、層間剥離の発生を抑制することができる半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子１０を外部接続用突起電極９を介して配線基板２０に実装する方法は、前記半導体素子１０の前記外部接続用突起電極９と前記配線基板２０とを接続するためにリフロー加熱処理を施した後に、接続された前記半導体素子１０及び前記配線基板２０を、約０．５℃／秒以下の冷却速度で冷却することを特徴とする。 （もっと読む）

制御方法によれば、レーザビーム２４の伝送が、基準点２８とレーザビーム２４の源２２の間に配置されたレーザビーム２４をマスキングするための手段３０の助力によって、周期的に中断される。さらに、レーザビーム２４の源２２の伝達パワーが、最小値と最大値の間で変動させられ、したがってレーザビーム２４の源２２の最小パワーでの放射時間が、マスキング手段３０によるレーザビーム２４のマスキング時間と実質的に一致する。最小値が、レーザビーム２４の源２２の最大放射パワーの少なくとも１０％に等しく、最大値が、多くともその９０％に等しいことが好ましい。
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【課題】電極同士の電気的な接触性を悪化させることなく、容易にフリップチップ接続させることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２および中間基板３の外部引出電極５，８および突起電極６の酸化膜を除去した後、半導体チップ２および中間基板３を大気中に取り出す工程と、大気中で突起電極６と外部引出電極８とを位置合わせしたのち低酸素濃度雰囲気中に入れる工程と、低酸素濃度雰囲気中で半導体チップ２および中間基板３を突起電極６の溶融する温度条件で熱処理を行う工程とを含む。上記の位置合わせ工程では、半導体チップ２および中間基板３は、以下の式を満たす温度ｘ（℃）および曝露期間ｙ（秒）の範囲内でしか大気に曝されないようにしている。
温度ｘが３６℃以下のときには、 ｙ≦１０^-(x-57.45)／^6.031 …（１）
温度ｘが３６℃より大きいときには、ｙ≦１０^-(x-59.67)／^6.656 …（２） （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴの外部抵抗分を抑制する。
【解決手段】パワーＭＯＳＦＥＴのペレット１０の第１面にはソース用電極パッド２０およびゲート用電極パッド１９を配置し、第２面にはドレイン用電極パッド２１を配置する。ソース用電極パッド２０、ゲート用電極パッド１９、ドレイン用電極パッド２１にはインナリード３７、３６、３５を接続し、各インナリードに対応して各アウタリードを接続する。ソース用電極パッド２０はインナリード３７にソース用接続部２２と電気的かつ機械的に接続し、ソース用接続部２２においてインナリード３７は複数に分岐する。ペレット１０とインナリード３７、３６、３５とを樹脂封止体４４によって封止する。ソース用電極をインナリードに複数個の接続部で接続することで外部抵抗分を低減できる。
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【課題】信頼性の高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、レベリング処理のされていないボールバンプ２０が形成された半導体チップ１０を用意する工程と、表面に電気的接続部３２が形成された基板３０を用意する工程と、半導体チップ１０を基板３０に搭載して、ボールバンプ２０と電気的接続部３２とを接触させて電気的に接続する工程と、を含む。電気的接続部３２は、はんだ層３６を含む。半導体チップ１０を基板３０に搭載する工程では、ボールバンプ２０をはんだ層３６の融点よりも低い温度に加熱して電気的接続部３２に接触させた後に、ボールバンプ２０及び電気的接続部３２をはんだ層３６の融点よりも高い温度に加熱する。 （もっと読む）