【課題】半導体チップのバンプ電極と、配線基板のボンディングリードとの接合部における破断を抑制する。
【解決手段】マトリクス基板（配線基板）１１をピックアップして保持する基板保持部ＴＲａ、基板保持部ＴＲａを支持する支持部ＴＲｂ、支持部ＴＲｂとともにマトリクス基板１１を搬送する搬送部ＴＲｃ、およびマトリクス基板１１を加熱するヒータ（基板加熱部）ＴＲｄを有する搬送装置ＴＲを用いて、半導体チップ１の複数の突起電極とボンディングリードとが電気的に接続されたマトリクス基板１１を、加熱されたアンダフィル樹脂充填ステージ（第２ステージ）に搬送する。 （もっと読む）

【課題】ソルダボールの誘導加熱に使用可能なコイルとこれを備えた加熱部材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップをパッケージする装置が提供され、パッケージ装置は、誘導加熱によって半導体チップのソルダボールをリフローするコイルを有する。本発明のコイル１０３０１は、第１本体１０３２０と、これと並べて提供される第２本体１０３４０と、第１本体１０３２０から第２本体１０３４０まで延長された第３本体１０３６０と、を有する。第１本体１０３２０と第２本体１０３４０とは、これらの間を横切る垂直平面に対して対称になるように提供される。第１本体１０３２０と第２本体１０３４０は、各々互いに向かい合う面が下方向へ行くほど互いに遠ざかるように提供される傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まり及び信頼性を向上させた、半導体素子が回路基板上にフリップチップ実装されて形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極１０ｂを主面に配設した半導体素子１０と、電極端子１０ｐ・２０ｐ上に導電層２０ｂを配設した回路基板２０を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材３０を被覆する。次いで、バンプ電極と導電層とが接合材を介して対向するように、回路基板上に半導体素子を載置し、接合材を溶融し、バンプ電極、接合材、及び導電層とを一体化させる。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ化された半導体装置２を回路基板８上に実装するときに、鼓型状の接合用はんだ６を容易に形成することができる実装方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、第１配置工程と第２配置工程と載置工程と加熱工程と冷却工程を備えている。第１配置工程では、半導体装置２の実装面２ａの中央部に環状のはんだ４を配置する。第２配置工程では、半導体装置２の実装面２ａの外周部にはんだ６を配置する。載置工程では、第１及び第２配置工程により配置したはんだ４，６を介して回路基板８上に半導体装置８を配置する。加熱工程では、はんだ４，６を加熱して溶融する。冷却工程では、はんだ４，６を冷却して固化する。加熱工程において、はんだが溶融した状態では、環状に配置したはんだ４と半導体装置と回路基板によって密閉された空間が形成される。 （もっと読む）

【課題】 フラックス機能を有する接着剤層を介して半田を接続する方法において、信頼性に優れた半田接続方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半田の接続方法は、第１半田バンプを有する第１電子部品と、電極を有する第２電子部品とをフラックス機能を有する接着剤層を介して第１半田バンプと電極とを電気的に接続する半田の接続方法であって、第１電子部品の一方の面から第１半田バンプの高さをＡ〔μｍ〕とし、フラックス機能を有する接着剤層の厚さをＢ〔μｍ〕としたときＡ＞Ｂであり、第１電子部品に、接着剤層を配置する工程と、第１電子部品と第２電子部品の対向する表面の距離が、接着剤層の厚さＢ〔μｍ〕とほぼ同じとなるように、第１半田バンプを前記電極に加熱・加圧して、第１半田バンプを変形させると共に、第１半田バンプと前記電極とを接触させる接触工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実装時に上昇した電子部品と基板の温度を実装後も維持できるようにした基板搬出装置を提供する。
【解決手段】基板搬出装置１を、第１の位置で電子部品２が実装された基板３を第２の位置に移動させる第１の移動装置４と、第１の位置から第２の位置に移動中の基板３を上方から加熱するヒートブロック１９と、第２の位置から後工程への搬出位置となる第３の位置に基板３を移動させる第２の移動装置５と、第３の位置で基板３を後工程に搬出するベルトコンベア装置４０および基板プッシャ４５と、第２の位置から第３の位置に移動中の基板３および第３の位置で搬出中の基板３を下方から加熱するポストヒートステージ３０と、第３の位置で搬出中の基板３を上方から加熱するヒートブロック５０とで構成した。 （もっと読む）

【課題】実装時に上昇した電子部品と基板の温度を実装後も維持できるようにした基板移送装置を提供する。
【解決手段】実装後にコンベアベルト２１によって搬送される基板４の上方にヒートブロック３３を配置し、下方にポストヒートブロック２５を配置して上下両方向から輻射加熱する。コンベアベルト２１の下流側端部に搬送された基板４は、搬送方向においてヒートブロック３３の下流側端部とコンベアベルト２１の下流側端部の間に配置された基板押し出し装置６０によってコンベアベルト２１から押し出される。 （もっと読む）

【課題】基板にチップ等の部品を効率よく高精度に実装することができる実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】開口部Ｋ５を有する回転テーブル２２の上面にウエハを載置し、開口部Ｋ５において、バックアップ部とチップを保持したヘッド部を昇降してウエハおよびチップを当接して局所的に挟持し、加熱接合する。その後、バックアップ部およびヘッド部を退避し、保持テーブルに備えられたリフトアームをウエハと回転テーブル２２の間に挿入してウエハを上昇し、回転テーブル２２を回転移動してウエハに対して開口部Ｋ５を移動させる。そして、再びウエハを回転テーブル２２の上面に載置して、接合動作を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板間の間隙にグリースなどが浸入することによるアンダーフィル樹脂のボイド発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板４上に半導体素子２をフェイスダウンで実装する実装工程と、半導体素子２の周囲に洗浄除去可能な材料で構成される保護部９を半導体素子２と配線基板４との間隙を埋めて形成する保護部形成工程と、半導体素子２の動作検査及び半導体素子２と配線基板４との接続検査を行う検査工程と、保護部９を洗浄除去する保護部除去工程とを有する製造工程とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ４及び圧着ヘッド５を有する圧着装置１０によって半導体チップ３と基板１との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層２とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が３００℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との高い接続信頼性を有する半導体装置を効率的に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１の一方面Ｓ１に形成された突起電極２を埋め込むように絶縁性樹脂層３を形成する被覆工程と、ダイシングテープ５上に半導体ウェハ１を固定するダイシング準備工程と、半導体ウェハ１を絶縁性樹脂層３とともに切断して半導体チップ８を得るダイシング工程と、絶縁性樹脂層３を有する半導体チップ８をピックアップするピックアップ工程と、基板１２の表面に設けられた電極１２ａ及び半導体チップ８の突起電極２の位置を合わせる位置調整工程と、位置調整工程後、半導体チップ８を基板１２に押し当てるとともに熱を加えることによって、半導体チップ８を基板１２に実装する接続工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な導通接続状態を実現し、端子間の電気的接続性を向上させる端子間の接続方法、および半導体素子の実装方法を提供する。
【解決手段】導電性粒子と、該導電性粒子の融点で硬化が完了しないバインダーと、還元剤とを含む導電性ペーストを介して、端子同士を対向させて配置させる端子配置工程と、５０℃以上、前記導電性粒子の融点以下の温度領域、１０〜３００秒の処理時間、かつ−５〜５℃／秒の単位時間当たりの温度変化で前記導電性ペーストを加熱処理する第一の加熱処理工程と、前記導電性粒子の融点よりも高く、かつ前記バインダーの硬化が完了しない温度で前記導電性ペーストを加熱処理する第二の加熱処理工程と、前記バインダーを硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする端子間の接続方法。 （もっと読む）

【課題】平均主応力に基づく破断発生率を容易に算出することができるリフロー工程評価装置を提供する。
【解決手段】リフロー工程評価装置であって、チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出する構造解析計算部２、ハンダレイアウト選択部３、チップ応力抽出部４、抽出応力計算部５と、前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、算出された平均主応力とによって、前記発生率を算出する剥離発生率算出部６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】実装工程を効果的に行うことができるインライン実装装置及び半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】一つ以上の処理対象物を処理する第１処理ユニットと、第１処理ユニットで処理された処理対象物のソルダーボールのリフロー工程を実行するために、一つ以上の処理対象物を加熱する加熱ユニットと、第１処理ユニットと加熱ユニット間に配置され、第１処理ユニットで処理された処理対象物が保管される入力保管ユニットと、入力保管ユニットに保管された処理対象物を加熱ユニットへ移動する移動ユニットとを備え、入力保管ユニットは、処理対象物が互いに離隔、積層されるように、内部に処理対象物が置かれるスロットを有する一つ以上のマガジンと、第１処理ユニットと隣接して配置され、第１処理ユニットで処理完了した処理対象物がマガジンに挿入される間、マガジンを支持する入力ポートとを含む。 （もっと読む）

【課題】多ピン、狭ピッチ化に逆向することなく、実装時の多層配線基板の反りを小さくすることで、実装性、実装信頼性を向上させるリフロー板及び半導体装置の実装方法を提供すること。
【解決手段】多層配線基板の一方の面にはんだバンプを介して半導体チップを実装する際に多層配線基板のもう一方の面に接触されるリフロー板において、リフロー板は熱伝導率がＫ１である第１の領域と、熱伝導率がＫ２である第２の領域とを含み、Ｋ２はＫ１よりも小さく、第２の領域は、はんだバンプが存在する領域を含むことを特徴とするリフロー板。 （もっと読む）

【課題】
３次元実装工法の１つであるＣＯＷ工法では全数チップの組み立てに極めて長い時間を要する、半田接合が使えない、樹脂封止に長い時間を要する、封止樹脂に気泡が混入するなどの問題があった。
【解決手段】
本発明は３次元実装工法の１つであるＣＯＷ工法の改良発明である。半田バンプが設けられたＩＣチップの電極と基板の電極を接合に際しＩＣチップの電極と基板の電極の接合を仮接合と本接合の二段階で実現する方法、装置を提案する。仮接合はＩＣチップまたは基板に機械的圧力を加えて半田バンプの一部を変形させて行うことを特徴とする。本接合はＩＣチップおよび基板全体を加熱し、リフロー接合し半田バンプの溶融に伴う半田のセルフアライメントを利用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチのバンプを有するハイエンド電子部品を実装可能な電子部品の実装方法及び実装装置を提供する。
【解決手段】ヘッドツール３の吸着ノズル１１により吸着保持された電子部品１の各半田バンプ１ｂと回路基板４の各半田部２の当接を検出した後、各半田バンプ１ｂ及び各半田部２を加熱により溶融させ、ヘッドツール３の吸着ノズル１１による電子部品１への吸着保持の解除のタイミングを、半田の溶融中に解除するのではなく、半田が溶融後冷却されて固化した後に解除を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線基板との接続において、フラックス残さによる接続信頼性の低下のない半導体素子の実装方法を提供する。
【解決手段】ボンディングステージとボンディングヘッドとを有したボンディング装置を用いて、半導体素子を配線基板に実装する実装方法において、配線基板をボンディングステージに載置し、半田融点より低い予熱温度に加熱されたボンディングヘッドに、半導体素子を吸着し配線基板の上方に移動する。その後、ボンディングヘッドを下降させ、半導体素子及び配線基板の少なくともいずれか一方に形成された半田バンプを介して、半導体素子を配線基板上に圧接し、圧接状態で半田バンプを溶融する。その後、半田バンプが溶融した状態で、ボンディングステージに対する、半導体素子を吸着したボンディングヘッドの相対運動を生じさせる。ここで、相対運動は、周期的な律動を伴った運度とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、半導体チップを回路基板に実装する場合に、半導体チップや回路基板の界面に対する濡れ性が良く、はじきが少なく、また、作業性および信頼性に優れたプリアプライド用封止樹脂組成物を提供すること、また、別の課題は、本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物を適用することにより、信頼性に優れた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フラックス活性を有する硬化剤と、（Ｃ）界面活性剤と、を含むプリアプライド用封止樹脂組成物おいて、金およびソルダーレジスト上で１６０℃、２０s加熱溶融させた際の、金への接触角が４０°以下、かつ、ソルダー
レジストへの接触角が４０°以下、であるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】実装後のリペア作業が容易になるとともに、製造コストを抑えることができる半導体チップとその実装方法、及び半導体チップが実装された半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１の裏面上に突起電極３を形成する。次に、半導体基板１の裏面上に封止樹脂５を選択的に形成する。突起電極３の少なくとも一部は封止樹脂５で被覆されず、個々の半導体チップの外周方向から露出されるようにする。次に、所定のダイシングラインＤＬに沿って半導体基板１を切断し、半導体チップ１０に分割する。次に、突起電極３とパッド電極１１とを接続させ、この状態で熱処理を加えると突起電極３とパッド電極１１とが接合される。この際、半硬化状態の封止樹脂５は軟化して半導体チップ１０と実装基板１２との間の一部に充填され、半導体チップ１０と実装基板１２とが接着される。 （もっと読む）