【課題】熱履歴による電子部品の特性の劣化を抑制した状態で電子部品を基板に接合することができるとともに冷却時期の自由度を高めることができる電子部品の接合方法を提供する。
【解決手段】基板３５上に設けられたパッド３６に半田３７を介して電子部品１１を接合する接合方法であって、半田３７を加熱する加熱手段２１として、流体の流入及び流出が可能な冷却部２６を備えた励磁ヘッド２３ａ，２３ｂを用いる。加熱手段２１は高周波誘導加熱でパッド３６及び半田３７を加熱する。少なくとも半田３７の溶融後、励磁ヘッド２３ａ，２３ｂを電子部品１１に接触させるとともに、冷却部２６に冷却水タンク２８の冷却水を循環供給させて冷却を行う。 （もっと読む）

【課題】上側半導体チップを実装するにあたって、実装ツールの先端に所定電位が誘電されたとしても、上側半導体チップの内部回路や下側半導体チップの内部回路の破壊を抑制することができる実装ノズルを提供する。
【解決手段】上側半導体チップに所定の予熱温度を印加した状態で、下チップ側バンプと上チップ側バンプとが接触する様に上側半導体チップを配置した後に、上チップ側バンプを構成するはんだ材料の融点以上の温度を印加した状態で、上側半導体チップに荷重を印加する実装ノズル１であって、上側半導体チップの接触部であるツール４の先端に金メッキプレート５を取り付け、この金メッキプレートにグランド電位を印加する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと回路基板とのギャップを高精度に制御することができる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】チップ側バンプと基板側バンプが接触する様に回路基板と半導体チップを配置し、チップ側バンプ及び基板側バンプに加熱処理を施して実装ノズルで荷重を印加してチップ側バンプと基板側バンプを一体化した後に冷却処理を施す半導体チップの実装方法において、加熱処理時または加熱処理前には実装ノズルを上昇し、冷却処理時には実装ノズルを下降する。 （もっと読む）

【課題】 キャビティ内の結露の発生やリフロー等での実装時におけるパッケージクラックの発生をなくし、かつ圧着をなくしてガラス基板や半導体基板でのクラックの発生をなくすと共に、接合部の信頼性の高い基板の接合方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】 この基板の接合方法は、２枚の基板の間においてこれらの基板を接合する予定部位の箇所に接合部材層を設ける設置ステップと、２枚の基板の少なくとも一方の外側から基板を透過する光線を照射し、光線で接合部材層を加熱する加熱ステップと、加熱した接合部材層で２枚の基板を接合する接合ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来のはんだ接合方法では、はんだ溶融中に雰囲気圧力に変動を加えていたが、はんだ表面の酸化膜に加えられる衝撃が少なくて、該酸化膜を十分に破壊できない場合があった。また、加える衝撃を増やすためには、はんだ付け時間が長くなってしまう。
【解決手段】 第１の接合部材である回路基板２と第２の接合部材である半導体素子３とをはんだ接合して構成されるはんだ接合体１の製造方法であって、前記回路基板２と半導体素子３とのはんだ接合時に、該回路基板２と半導体素子３との間に介在させた溶融はんだ４に対して交流磁場を付与し、付与した交流磁場により溶融はんだ４に振動を加える。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化を抑制しつつ、リール・トゥー・リール方式におけるリフロー時の温度プロファイルをなだらかにする。
【解決手段】リフロー炉６４は、テープ基板７１の搬送方向に沿って往復運動可能なように構成され、テープ基板７１上での半田ペースト７４ａ、７４ｂの印刷時や半導体チップ７５ｃ、７５ｄのマウント時にテープ基板７１の搬送が停止した場合、フロー炉６４自体が上流側に移動しながら、半導体チップ７５ｅ、７５ｆが搭載された回路ブロックＢ３５、Ｂ３６のリフロー処理を行うとともに、テープ基板７１上での半田ペースト７４ａ、７４ｂの印刷や半導体チップ７５ｃ、７５ｄのマウントが終了し、テープ基板７１の搬送が行われるタイミングでリフロー炉６４もテープ基板７１とともに下流側に移動し、リフロー炉６４が元の位置に復帰する。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を回路基板に接合するためのはんだバンプにおいて、回路基板への二次実装時に内部が溶融してもバンプ形状を維持することができ、狭ピッチの接合部間でのショートを抑制することができるようにする。
【解決手段】はんだバンプの内部のはんだ組成物３０ａより融点の高い金属間化合物３０ｂを、はんだバンプの外周部に形成することで、はんだ組成物３０ａの融点を超える温度でも、金属間化合物３０ｂの融点以下であればバンプ形状が維持される。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に電子部品を半田付けする際に、回路基板に装備されたヒートシンクを利用して半田を効率良く加熱することができる新規な半田付け方法を提供する。
【解決手段】回路基板１１として、表面に金属回路１３を有するセラミック基板１４の裏面に冷媒流路１５ａを備えた金属製のヒートシンク１５を一体化した冷却回路基板を使用する。金属回路１３上に半田シート３３を介在させた状態で半導体素子１２を配置するとともに、半導体素子１２の上に錘３５を載置して、錘３５で加圧しながら半田シート３３を加熱する。半田シート３３を加熱する際に、冷媒流路１５ａ中に加熱された熱媒体を流す。半田が溶融された後、加熱を停止し、その後、冷媒流路１５ａ中に冷却媒体を流して回路基板１１及び半田の冷却を行う。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて溶融接続の不良の発生確率を低減することができ、信頼性の向上と生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半田バンプの融点より高い温度に暴露して半田バンプを溶融させる加熱工程によって、第１の接続端子と第２の接続端子とを接続する半導体装置の製造方法において、加熱工程中に少なくとも２回以上半田バンプの融点よりも高い温度に暴露され、かつ、少なくとも２回以上半田バンプの融点よりも低い温度に降温される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数の基板側端子１２ａを有する配線基板３の半導体チップ２搭載予定領域に、フィラーを３０〜５０重量％含有しフラックス活性機能を有する樹脂２２を供給してから、複数の半田バンプ２ａを有する半導体チップ２を配線基板３上に配置した後、熱処理を行う。この熱処理により半田リフローと樹脂２２の硬化が行われ、半導体チップ２の半田バンプ２ａと配線基板３の基板側端子１２ａとが接続される。この熱処理の際には、半田バンプ２ａが溶融している間、棒状の部材２４で半導体チップ２の裏面２ｂを押すことによって半導体チップ２に荷重を印加する。 （もっと読む）

【課題】簡単な実装プロセスで半導体チップを配線基板に接合することのできる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体モジュール１００の製造方法は、ワイヤレスボンディングによって、カソード電極６０およびアノード電極５４を有する半導体チップ７０を、第１の配線部１２および第２の配線部１４を有する配線基板４０に接合する半導体モジュールの製造方法であって、カソード電極が第２の配線部に対向し、アノード電極が第１の配線部に対向するように、半導体チップを配線基板上に配置する工程と、複数のレーザスポット８０、８２、８４に照射する工程と、カソード電極を第２の配線部に接合し、アノード電極を前記第１の配線部に接合する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 半田中のボイドを低減することができ、半田を確実に溶融させることができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子部品の製造方法は、金属の接合部（電極１１）を有する部材（基板１）を含む電子部品の製造方法であって、接合部（電極１１）に、溶剤、樹脂成分、活性剤、およびろう材を含有する半田５を供給する工程と、半田５に対して第一の加熱処理を行い、半田５を第一加熱温度で一定時間保持する第一加熱工程と、半田５に対して第二の加熱処理を行い、半田５を第一加熱温度よりも、高い第二加熱温度で一定時間保持することにより、溶剤および樹脂成分を揮発させる第二加熱工程と、半田５に対して第三の加熱処理を行い、半田５を溶融させる第三加熱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップなどの電子部品を基板にフリップチップ実装する際に、熱応力により接合部付近にクラックや剥離が生じる。
【解決手段】 ＩＣチップ１と基板３の接合工程において、バンプ２を溶融・反応基板させる本加熱工程を有し、本加熱工程より前に、接合部が溶融または反応する温度より低く常温より高い温度で予熱するプリヒート工程と、本加熱熱工程より後に、前記電子部品及び前記基板の接合部が溶融または反応する温度より低く常温より高い温度で一定時間維持するテールヒート工程を有する電子装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 仮圧着工程において半導体チップに横方向の荷重がかかって半導体チップの横滑りが発生するのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 半導体チップの電極上にバンプ電極を形成し、配線基板の電極上にはんだプリコートを形成する工程と、配線基板をステージ上に載せ、第１のボンディングツールにより、はんだプリコートを溶融させずに、はんだプリコートにバンプ電極を接触させて、配線基板に向けて半導体チップに荷重を印可する仮圧着工程と、仮圧着工程の後に、第２のボンディングツールにより、はんだプリコートを溶融させ、配線基板に向けて半導体チップに荷重を印可する本圧着工程とを有し、第１のボンディングツールの表面は、半導体チップとの静止摩擦係数が０．３以上の物質からなる膜でコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】薄型の半導体パッケージを半田接合によって実装する場合における接合不良を防止することができる電子部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】下面に半田バンプ１６が形成された電子部品１１を基板３に実装する電子部品実装方法において、基板３の電極３ａに半田ペースト１９を印刷し、さらに半田バンプ１６に半田ペースト１９を転写により供給した後、半田バンプ１６を半田ペースト１９を介して電極３ａに着地させる。これにより、半田バンプ１６と電極３ａとの間に隙間がある場合にあっても、半田ペースト１９中の半田成分によって溶融半田量を増加させるとともに溶融半田の濡れ拡がりを確保して、薄型の半導体パッケージを半田接合によって実装する場合における接合不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 第１接合部材と第２接合部材とをハンダ接合した接合構造体を製造する際にハンダ内に発生するボイドを効果的に縮小する。
【解決手段】 この接合構造体の製造方法は、第１接合部材、第２接合部材、並びに第１接合部材と第２接合部材との間に配されたハンダを収容する気密空間を減圧する工程（Ｓ１６）と、第１接合部材と第２接合部材との間に配されたハンダを加熱して溶融する工程（Ｓ１８）と、ハンダが溶融した状態のまま減圧された気密空間を加圧する工程（Ｓ２０）を有する。そして、加圧工程（Ｓ２０）は、気密空間に加熱した気体を供給することによって行う。 （もっと読む）

【課題】簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】一旦はんだ接合した半導体チップ１と回路基板４の間隙にアンダーフィル樹脂３を充填した後、はんだ２の融点を超える温度でアンダーフィル樹脂３を硬化処理することにより、アンダーフィル樹脂３における硬化進行時の樹脂の体積膨張により間隙を拡張することで、硬化処理熱により再溶融したはんだ２の形状を鼓状にする。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライメントにより、重量の重い部品が基板に半田接合された半田付け実装構造を実現する。
【解決手段】 本発明のカメラモジュール構造は、プリント基板１に形成された基板電極２と、そのプリント基板１に実装されたカメラモジュール３に形成された実装電極４とが、半田接合部５を介して接合され、基板電極２と実装電極４とが、セルフアライメントにより位置合わせされている。そして、半田接合部５が、特性の異なる第１の半田６と第２の半田７から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光を用いて信頼性の良好な半導体モジュールを製造することのできる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる半導体モジュール１０００の製造方法は、ワイヤレスボンディングによって半導体チップ１００を配線基板２００に接合する半導体モジュールの製造方法であって、（ａ）配線基板２１０上に導電性材料を用いて形成されている接合部２０２、２０４に向かってレーザ光を照射することにより、当該接合部を溶融する工程と、（ｂ）前記接合部に前記半導体チップの電極を接触させて、当該接合部に向かってレーザ光を照射することにより、前記半導体チップに前記接合部を接合する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】チップオンチップ構造の半導体装置を製造するための部品実装動作を効率よく行うことができる部品実装装置および部品接合方法を提供すること。
【解決手段】下チップ１４に上チップ１５を実装してチップオンチップ構造の実装体１９を形成する部品実装装置において、部品搬入部６から部品搬入ヘッド３３によって取り出した下チップ１４を実装ステージ１８に載置し、第２の部品トレイ１３Ｂから部品移送ヘッド２１によって取り出した上チップ１５を回転軸２１ａ廻りに上下反転させて部品受渡位置［Ｐ１］にて実装ヘッド２７に受渡し、部品実装位置［Ｐ２］にて、実装ステージ１８に保持された下チップ１４に実装ヘッド２７によって保持された上チップ１５を下降させて半田接合により実装する。実装により形成された実装体１９は、部品移動ヘッド２１により実装ステージ１８から搬出され、部品収納部２の第１の部品トレイ１３Ａに収納される。 （もっと読む）