【課題】分子あたり少なくとも２つのオキシラン基を有する樹脂成分で表されるフラックス剤、並びに硬化剤を含む硬化性フラックス組成物を提供する。
【解決手段】


で表されるフラックス剤、並びに、場合によっては硬化剤を当初成分として含む硬化性フラックス組成物、ならびに硬化性の熱硬化性樹脂組成物を硬化させ、複数の電気的相互接続を封止することを含む、封止された金属接続を形成する方法。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂内でのボイドの発生を抑制する。
【解決手段】
はんだ２０と、はんだ２０の融点より熱硬化温度が低い熱硬化性樹脂２２と、溶融はんだ２０の濡れ性を向上させる活性剤とを少なくとも含有するはんだ入り熱硬化性接着剤１４を介して基板１０の電極１２上に電子部品１６の電極１８を配置し、まず、大気圧雰囲気であって前記融点より高い温度の条件下ではんだ２０を溶融して電子部品１６の電極１８と基板１０の電極１２とを接合する。次に、減圧雰囲気であって前記熱硬化温度より低い温度の条件下で熱硬化性樹脂２２内の水分や揮発成分を揮発させる。そして、前記減圧雰囲気より高い圧力の雰囲気であって前記熱硬化温度より高く且つ前記融点より低い温度の条件下で熱硬化性樹脂２２を熱硬化させつつ、内部の気泡を小さくするまたは消滅させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品のボンディングに必要な熱量を確保するため、複数の光照射手段をボンディングヘッドの外周に配置することで、高出力を確保できるボンディングヘッドを有するボンディング装置を提供する。
【解決手段】ボンディング装置に次の手段を採用する。
第１に、先端に電子部品４を吸着保持する保持ツール２を有したボンディングヘッド３と、光を発する光源５と、光源から照射された光を保持ツールまで導光する導光手段６、７とを有し、ボンディング時に保持ツールに吸着保持された電子部品に光を照射して加熱するボンディング装置である。第２に、光源は複数の光照射手段をボンディングヘッドの外周に配置して形成される。第３に、光照射手段がボンディングヘッドの外周から内方に向けて光を照射する。 （もっと読む）

【課題】接合する第一基板と第二基板とのボイドが発生しにくい電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１１０と第二基板１２０との間に樹脂層１３０を導入して、所定の低温で低温半田バンプ１２１を溶融させて溶融していない高温半田バンプ１１１と個々に仮接合してから、樹脂層１３０を硬化し、さらにこの仮接合された低温半田バンプ１２１と高温半田バンプ１１１とを所定の高温で溶融させて個々に本接合する。 （もっと読む）

【課題】簡易な手法で、半導体素子等の被接合部材を搭載側部材に対して平行度調整しつつ接合することが可能な半導体装置の製造方法及び接合方法を提供する。
【解決手段】受け側部材２０に仮搭載された半導体素子１０を、半導体素子１０を取り囲む液体３０を介して加圧加熱し、前記加熱加圧による静水圧により、半導体素子１０を受け側部材２０に対して押圧するとともに、半導体素子１０の接続端子１５を受け側部材２０に溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】対向する複数の端子同士間において、優れた選択性をもって溶融状態の金属材料を各端子同士間に凝集させて、これら端子同士を金属材料を介して優れた精度で電気的に接続することができる端子間の接続方法、および、接続端子の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の端子間の接続方法は、樹脂組成物層１１、１３と、金属層１２とを備える積層体により構成される導電接続シート１を用いて、端子２１と端子４１とを電気的に接続する方法であり、導電接続シート１を、端子２１と端子４１との間に配置する工程と、端子２１と端子４１との間の離間距離が接近するように半導体チップ２１とインターポーザー３０とを加圧しつつ、金属材料の融点未満の温度で導電接続シート１を加熱する工程と、金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】接続パッド上にはんだが設けられるフリップチップ実装用の配線基板において、接続パッドのピッチを狭小化できる配線基板を提供する。
【解決手段】複数の接続パッド２２と接続パッド２２にそれぞれ繋がる引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０に配置された構造を含み、引き出し配線部２４は接続パッド２２から屈曲して配置され、接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が設けられており、接続パッド２２は長方形状を有し、引き出し配線部２４は接続パッド２２の長手方向の端部全体から屈曲して引き出されており、接続パッド２２と引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０から露出して設けられている。引き出し配線部２４上のはんだが屈曲部Ｂ側に移動して接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】半田バンプのリフローに先立って電極端子同士の仮接合のために超音波振動を印加した際に、半田バンプの酸化膜を増大させることなく、なおかつ、設備コストや工数の増加を小さく抑えることができ、さらに、フラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなる恐れのない、電子部品の実装方法および実装装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方が半田バンプ２０から成る基板１２および電子部品１０の電極端子２０，１４同士を当接させて、基板１２と電子部品１０との間に不活性ガスを吹き込みつつ、基板１２および電子部品１０の少なくとも一方に超音波振動を印加して電極端子２０，１４同士を仮接合し、半田バンプ２０をリフローすることで、基板１２と電子部品１０との電極端子２０，１４を接合する。
【選択図】図２
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【課題】半導体パッケージの実装抵抗を低減する。
【解決手段】第１の金属部材（リード端子５，６）が、第１の貴金属を含む第１の金属体（Ａｕバンプ８）を介して、半導体素子（半導体チップ１）の第１の電極（ソース電極２）と接続され、かつ、第２の金属部材（ダイ端子７）が、第２の貴金属を含む第２の金属体（貴金属メッキ１４及びＡｇメッキ１５）を介して、第２の電極（裏面電極４）と接続される。裏面電極に接続される金属部材を有し、配線基板との半導体装置の実装面が回路形成面側であり、金属部材が折り曲げ加工されている。 （もっと読む）

【課題】熱溶融する接合金属を介して電子部品と基板とを接合する電子部品実装装置において、ボンディング品質を向上させる。
【解決手段】基板４２と接離方向に駆動され、電子部品３１を基板４２に熱圧着するボンディングツール２８と、ボンディングツール２８の基板４２との接離方向の位置を検出するリニアスケール６１、リニアスケールヘッド６２と、制御部５０と、を備え、制御部５０は、電子部品３１を加熱しながらボンディングツール２８が基準位置から所定の距離だけ基板４２に近づいた場合、電子部品３１の電極と基板４２の電極との間のはんだ皮膜４４が熱溶融したと判断し、その際のボンディングツール２８の基板４２に対する接離方向の位置を保持するボンディングツール位置保持プログラム５５を有する。 （もっと読む）

【課題】
先供給方式のための半導体封止充てん用樹脂組成物として用いた場合に、優れた接続信頼性が奏され、かつ接続の際の樹脂中のボイドの発生を充分に抑制することが可能な半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
複数のバンプが形成された半導体チップと、複数の電極を有する基板と（ただし、前記バンプ及び前記電極の少なくとも一方の表面にすず又ははんだが存在する）、を電気的に接続するために用いられる、半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、フラックス剤を必須成分とし、上記接続は、所定の方法により実施される半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】電子装置の製造方法は第一電子部品１の第一端子１１と、第二電子部品２の第二端子２１との間にフラックス活性化合物と、熱硬化性樹脂とを含む樹脂層を配置して積層体を得る工程と、流体により積層体を加圧しながら、積層体を第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と、第二端子２１とを半田接合させる工程と、樹脂層を硬化させる工程とを含む。第一端子１１と、第二端子２１とを半田接合させる前記工程では、積層体の加熱開始直後から、積層体の温度が半田層１１２の融点に達するまでの時間を５秒以上、１５分以下とする。 （もっと読む）

【課題】加熱圧着により半導体チップの外部接続端子をフィルム基板の配線にボンディングする工程（Ａ）と、半導体チップ及びフィルム基板のボンディング部分の周りを樹脂封止する工程（Ｂ）とを含む半導体装置の製造方法であって、製造効率良く低コストに製造でき、かつ封止樹脂中のボイド発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム基板２０の半導体チップ１０と対向する部分を半導体チップ１０のボンディング側と反対側から吸着した状態で、ボンディング工程（Ａ）を実施し、半導体チップ１０及びフィルム基板２０の温度が降温し、フィルム基板２０の熱膨張がない状態で、樹脂封止工程（Ｂ）を実施する。 （もっと読む）

【課題】 接触熱抵抗を考慮してヒーター制御を行うことにより、半導体ウエハ同士の接合面の温度を制御するようにして、より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる加熱加圧システムを提供する。
【解決手段】 加熱加圧システム（７０）は２つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の一方を加熱する第一のヒーター部（ＨＴ）と、他方を加熱する第二のヒーター部（ＨＴ）と、物体の加熱加圧の条件を入力する入力部（９２）と、入力された条件に基づいて二つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の接合面の温度が目標温度になるように第一のヒーター部及び第二のヒーター部をそれぞれ制御する温度制御部（９６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを基板に実装した後に熱負荷が加えられても位置ずれが生じない半導体デバイス実装体を提供する。
【解決手段】基板２には３つの電極４ａ，４ｂ，４ｃが設けられており、光半導体素子３には、基板２の電極４ａ，４ｂ，４ｃと対向する位置に電極５ａ，５ｂ，５ｃが設けられている。シリコン基板２の電極４ａ，４ｂと光半導体素子３の電極５ａ，５ｂは金製のスタッドバンプ７によって接合されており、シリコン基板２の電極４ｃと光半導体素子３の電極５ｃは、半田６によって接合されている。スタッドバンプ７は予めシリコン基板２の電極４ａ，４ｂに設けられていたものであり、このスタッドバンプ７の先部が、光半導体素子３の金メッキされた電極５ａ，５ｂに固相接合されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ破壊の可能性を減少させた半導体装置を提供する。
【解決手段】ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型半導体装置（１０）と半導体装置実装用基板（２０）と、を複数のはんだボール接続部を介して接続した半導体装置接続構造であって、該複数のはんだボール接続部のうち、一部のはんだボール（７）接続部のボール接続面積が他のはんだボール（６）接続部よりも広く、かつ該一部のはんだボール（７）接続部に対応する該半導体装置実装用基板（２０）の部分に窪み部（２１）が形成されている、半導体装置接続構造。 （もっと読む）

【課題】端子間の良好な電気的接続と隣接端子間の高い絶縁信頼性を得ることを可能にする対向する端子間の接続方法を提供する。
【解決手段】樹脂組成物１２０と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔１１０とから構成される積層構造を有する導電接続材料１００を用い、導電接続材料１００を対向する端子１１，２１間に配置する配置工程と、導電接続材料１００を金属箔１１０の融点未満の温度で加熱し、対向する端子１１，２１間の最短離隔距離ｘを所定の範囲に調整する調整工程と、最短離隔距離ｘを前記所定の範囲に保持しながら、金属箔１１０の融点以上の温度で、樹脂組成物１２０の硬化が完了しないように導電接続材料１００を加熱する加熱工程と、金属箔１１０の融点未満の温度で樹脂組成物１２０を硬化させる硬化工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ボンディング時にバンプ間にボイドを生じにくく、耐リフロー性及び信頼性に優れた半導体装置を製造するために用いることのできる接着剤組成物を提供する。また、該接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性化合物と、前記熱硬化性化合物と反応可能な官能基を有するポリマーと、熱硬化剤とを含有する接着剤組成物であって、ボンディング温度での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であり、ボンディング温度でのゲルタイムが１０秒以上であり、かつ、２４０℃でのゲルタイムが１秒以上１０秒以下である接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を実装基板にメッキバンプ接合する場合において、半導体素子の複数の電極の高さに段差があるときに、メッキバンプの高さを段差に合わせて変えることなく、また、同じ面積および形状のメッキバンプを用いて、段差に合わせた良好なメッキバンプ接合を行う。
【解決手段】 第１のメッキバンプ７（１）、第２のメッキバンプ７（２）は、いずれも同じ面積、同じ形状（例えば、長方形）となっているが、第１のメッキバンプ７（１）は、その横断面の長軸（すなわち、長方形の長軸）が超音波の振幅の向きに対して平行となるように配置され、第２のメッキバンプ７（２）は、その横断面の短軸（すなわち、長方形の短軸）が超音波の振幅の向きに対して平行となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】半田バンプの押し潰し距離を設定された距離の範囲内に維持する。
【解決手段】搭載ヘッド６と共に加圧ブロック５を下降させて半田バンプ３０が基板１４に当接するタイミングを検知し、押し潰し距離Ｌｓだけ搭載ヘッドのみ６を下降させてメカニカルストッパ９と加圧ブロック６の間に押し潰し距離Ｌｓに相当する間隙を形成させ、搭載ヘッド６を停止させて位置センサ１０の読みをレジスタＲ１に記憶する。搭載ヘッド６を停止させたまま加圧ブロック５を下降させて電子部品３を基板１４に向けて押し込む間、位置センサ１０の読みの現在値Ｌを逐次求め、この現在値ＬがＲＡＭ１７のレジスタＲ１に記憶された読みの現在値を上回ることがないように搭載ヘッド移動機構１３を搭載ヘッド６が上昇する方向に駆動制御することで、加圧ブロック５や電子部品把持加熱手段４の熱膨張に伴って生じる押し潰し距離のオーバートラベルに対処する。 （もっと読む）