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Fターム[5F044LL17]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング (4,630) | 基板とチップ間のスペーサー (91)

Fターム[5F044LL17]に分類される特許

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【課題】はんだバンプを介して接続される基板接続構造において、はんだバンプの変形によるはんだバンプ間の短絡を防止し、かつアンダフィルを用いて強固に接続する。
【解決手段】最近接位置にあるはんだバンフ3間に絶縁物の柱状構造物4を設け、接続された基板1、2間にアンダフィル5を充填した基板接続構造。変形したはんだバンプ3は絶縁物の柱状構造物4により遮られるので、隣接するはんだバンプ3間の短絡が防止される。一方、柱状構造物4及びはんだバンプ3の平面断面は離散しているので、周辺からのアンダーフィル5の流入は妨げられず、ボイドの少ない強固な接続がなされる。 (もっと読む)


回路ボード(CB)上に実装された集積回路(IC)ダイを備えるCBアセンブリの熱伝導性を改善するための方法および装置。高熱伝導性(HTC)素子が第1の端部上でダイの表面に取り付けられる。ダイがCB上に実装される場合、CB内に形成された空隙がHTC素子の第2の端部を受け、HTC素子の第2の端部がCBの一部分と接触する。ダイの動作中、ダイによって発生する熱は、HTC素子から、およびCB内に消散する。
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【課題】アンダーフィル材を予め塗布して突起電極を介した信頼性の高い電気的接続を可能とする電子部品を提供すること。
【解決手段】電子部品は、導電性材料からなる突起電極5と、前記突起電極5よりも大きな高さをもつダミーの突起部6とを基板2上に有する。突起部6は突起電極5が形成された領域の外側に略同じ高さで複数個形成される。突起部6の融点は突起電極5の融点以下の温度範囲にある。突起電極5を外部接続する際に、電子部品の位置情報を突起部6によって検出することができる。 (もっと読む)


【課題】異方性導電接着剤を端子部全体に塗布しても、接続端子間で導電性粒子同士を確実に分離することができる基板の接続構造及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】第1の基板10の複数の接続端子11と第2の基板20の複数の接続端子21を対向させて前記第1,第2の基板10,20を導電性粒子31を含む接着剤30で電気的に接続する基板の接続構造において、前記第2の基板20の前記複数の接続端子21間には、連続的に頂部40aが形成された凸状絶縁部材40が設けられ、該凸状絶縁部材40は対向する前記第1の基板10の前記複数の接続端子11間に対応して配置され、前記接着剤30の導電性粒子31が前記凸状絶縁部材40の前記頂部40aによって前記第1,第2の基板10,20の基板面方向の接続端子間で分離されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップを実装基板に実装した際に、半導体チップと実装基板との熱膨張係数が相違することによって半導体チップが損傷する等の問題を解消し、半導体チップを確実に安定して実装することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】 チップ搭載面に樹脂材12を供給した状態で実装基板10をステージ24に支持し、加圧・加熱ヘッド20により半導体チップ14を実装基板10に向けて押圧することにより、実装基板に半導体チップを接合するとともに、前記樹脂材12を熱硬化させて半導体チップを実装する半導体チップのフリップチップ実装方法において、前記ステージ24の前記半導体チップ14を支持する支持面に凹部24aを設け、前記加圧・加熱ヘッド20により半導体チップ14を実装基板10に向けて押圧することにより、前記実装基板10を前記凹部24a側に湾曲させた状態で半導体チップを実装基板に接合する。 (もっと読む)


【課題】バンプ電極の潰れ量を均一化することのできる電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の電子部品121は、能動面121a上に、電極24と、前記電極24と電気的に接続されたバンプ電極10とを有し、前記バンプ電極10を介して相手側基板と電気的に接続される電子部品であって、前記能動面121a上に、前記能動面121aと前記相手側基板との間隔を一定に保持するギャップ制御層15が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配線基板への半導体素子の実装時に、半導体素子のコーナー部において導体配線に印加される応力に起因する最外部の導体配線の断線を抑制し、信頼性のある半導体装置を製造可能な配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基材1と、絶縁基材上の半導体素子搭載領域4aの各辺に沿って整列して設けられた複数の第1の導体配線12と、第1の導体配線の各々に対してその両側の領域に跨り形成され、且つ導体配線の幅方向における断面形状が中央部が両側よりも高くなった中高の形状である第1の突起電極13とを備える。半導体素子搭載領域のコーナー領域部に、第1の導体配線に隣接して整列して第2の導体配線14が設けられ、第2の導体配線は第1の導体配線よりも導体配線幅が太く、第2の導体配線上には、導体配線幅方向に第2の導体配線よりも小さい寸法を有する第2の突起電極15が形成されている。 (もっと読む)


【課題】機能素子と基板との間を容易に真空封止が可能で、機能素子に加わる応力を低減させる。
【解決手段】一方の基板40と他方の基板10との間に封止部材30で囲まれた封止空間60が形成され、封止空間60内に少なくとも機能素子50の一部が配置される。封止部材30に封止空間60と連通して設けられた開口部30Aと、封止空間内の環境を維持し、且つ開口部30Aを閉塞する封止薄膜2aとを備える。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置及びその製造方法において、少ないバンプ数やランダムロケーションのバンプ配置でも半導体チップの平行出しが容易であると共に、接着強度や半導体チップの高さのばらつきを低減すること。
【解決手段】 基板10と、基板10上に形成された複数のバンプ3と、バンプ3の上部が露出した状態でバンプ3の周囲に充填固化された樹脂部11と、樹脂部11上に載置されバンプ3の上部を潰した状態でバンプ3と接合された半導体チップ12と、を備えている。これにより、少ないバンプ数やランダムロケーションのバンプ配置の場合でも、半導体チップ12の下面が樹脂部11上面で位置決めされて平行出しがなされる。 (もっと読む)


【課題】 接合荷重を低減して接合部および基板の破損を防止でき、デバイス機能部の動作信頼性の向上をも図ることができる電子デバイス装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子デバイス装置20は、デバイス機能部Pが形成された第1基板21と、デバイス機能部Pを封止する中空部30を形成するためのシール用バンプ23および電気的接続のための導通用バンプ24がそれぞれ形成された第2基板22とが接合されることで製造され、第1基板21と第2基板22との接合が、シール用バンプ23を加熱溶融させる工程と、導通用バンプ24を第1基板21上に熱圧着させる工程とを有する。この構成により、接合荷重は主として導通用バンプ24の熱圧着接合に要する荷重だけで足りるのでトータル荷重が大幅に低減され、接合部の破損を防止できる。また、接合部のシール性が高められるのでデバイス機能部の動作信頼性を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】 マザーボード上に実装された後に加熱処理されても信頼性が損なわれない電子回路モジュールを提供すること。
【解決手段】 電子回路モジュール10は、ベアチップ11と、このベアチップ11の底面の周縁部に配設された複数の接続用バンプ12と、天面にベアチップ11がフリップチップ実装されたセラミック系基板である中間基板13と、ベアチップ11と中間基板13間の略中央部に介在させたスペーサ14と、ベアチップ11と中間基板13間の周縁部に充填させた樹脂材料からなるアンダーフィル材15とによって主に構成されており、スペーサ14はアンダーフィル材15よりも熱膨張係数が十分に小さい材料、好ましくはシリコンまたはセラミックからなる。この電子回路モジュール10はマザーボード20上に実装して使用され、中間基板13を介してベアチップ11がマザーボード20と接続される。 (もっと読む)


【課題】 簡単な方法でハンダバンプの接合角を鈍角にし、概ね鼓型形状に形成せしめることで、半導体装置のハンダ接合部の耐疲労強度を向上させるための半導体装置およびそのリフローハンダ付け方法を提供。
【解決手段】 半導体パッケージと回路基板との間にスペーサー部材を配置し、リフローハンダ付けの際、前記スペーサー部材の熱膨張により前記半導体パッケージと前記回路基板との間隔がリフローハンダ付け前よりも広がり、その後、その間隔を保ってハンダが固化させることでハンダバンプの接合角を鈍角とし、ハンダバンプを概ね鼓型形状を形成することができる。上記構成の半導体装置は、稼動中においてハンダバンプに発生する応力やひずみが分散される構造になるため、ハンダ接合部における耐疲労強度が向上し半導体装置の疲労寿命や信頼性の向上につながる。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップどうし或いは半導体チップと配線基板とをフリップチップボンディング方式で接合する際に、チップ自体にダメージを及ぼすことなく電気的に確実な導通をとって接合できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1の半導体チップ1と第2の半導体チップ11(あるいは配線基板)の電極形成面をそれぞれ同一成分からなる液状の絶縁性封止樹脂5,15で突起電極3,13を覆うように被覆する工程と、被覆した封止樹脂5,15を固化させる工程と、封止樹脂5,15と突起電極3,13の頭部とを一様の高さに研削する工程と、第1の半導体チップ1と第2の半導体チップ11とを突起電極3,13どうし当接させ、それぞれの封止樹脂5,15を昇温させて一体に硬化させるとともに、それに伴って昇温する突起電極3,13の当接部を熱結合させる工程とを有する。 同一成分からなる封止樹脂を用いるので、剥離やボイドが発生し難い。 (もっと読む)


【課題】 冷熱耐久性を低下させることなく、半田接合不良を防止することができる電子回路装置及び電子回路装置の製造方法を提供することを提供すること。
【解決手段】 半導体パッケージ10は、モールド体11、ランド12、絶縁性フィルム13、半田材15(充填半田15a、半田ボール15b)などを備える。モールド体11は、プリント基板20と対向する面に中継材14aとなる金属粒子14が分散された絶縁性フィルム13を備える。この絶縁性フィルム13は、ランド12に対応する位置に複数の貫通穴16を備え、充填半田15aが充填される。そして充填半田15aの露出面には、複数の半田ボール15bが形成される。プリント基板20は、複数のスルーホール22、ランド23が形成された基材21を備える。そして、スルーホール22内において半田ボール15bとランド23とが接合するように半導体パッケージ10をプリント基板20上に搭載する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体素子の実装方法に関するもので、電気的信頼性の高い実装の実現を目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、まず樹脂シート102の上面に電気絶縁性基材101を形成し、次にこの電気絶縁性基材101の上面にカバーフィルム110を形成し、その後このカバーフィルム110の上面から前記樹脂シート102に達する穴を形成し、次にこの穴に導電性ペースト104を充填し、その後前記カバーフィルム110を除去し、次に回路基板105に接続パッド106を形成し、その後この接続パッド106と前記穴の開口部とが接するよう前記回路基板105と前記電気絶縁性基材101とを接合し、次に半導体素子107の電極が前記穴内に収まるように前記半導体素子107を前記樹脂シート102側から前記回路基板105に押圧する半導体素子の実装方法としたものである。 (もっと読む)


【課題】片側で固定された半導体チップの製作の従来技術の欠点を避けた新規な製作方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ5をフラップチップボンディング技術によってサブストレート10上に接合するための方法において、a)構成部材を有する構成部材領域及び縁部領域を備えた半導体チップを準備し、縁部領域に接合部分を設けてあり、b)表面に複数の複数のランドを備えたサブストレートを準備し、c)はんだ材料をボンドパッド及び/又はランド上に施し、d)半導体チップをサブストレート上に位置決めし、e)はんだ部材をはんだ付け過程で溶融し、半導体チップの接合部分を、溶融するはんだ部材の表面張力に基づきサブストレートに向けて運動させ、かつ構成部材領域を、構成部材領域と縁部領域との間の旋回軸線若しくは旋回点57を中心とした前記運動に起因する旋回運動56によってサブストレートから離す。 (もっと読む)


【課題】回路基板上への半導体チップの立体的な実装を可能にする半導体チップの実装方法、半導体チップ実装用スペーサ並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】1つの面の外周部に中央部を囲むように複数のバンプ電極12が設けられている半導体チップ10を回路基板30上に実装するときに、中央部が開口されると共に所定の高さを有し、半導体チップ10の各バンプ電極12に対向する位置に上端面が露出された上下方向に延びる接続電極22を有すると共に該接続電極22の下端面にバンプ電極23が設けられている枠型のスペーサ20を回路基板30上に実装し、このスペーサ20の上面に露出している接続電極22のそれぞれに対してバンプ電極12を接続して、スペーサ20に半導体チップ10を実装する。 (もっと読む)


【課題】基板に対して導体バンプによる信号の取り出しと固定を同時に行うパッケージされた微小電子機械デバイスにおいて、実装傾きによる他軸感度発生を抑制し、センサの姿勢精度を高めてセンサ精度と接合信頼性を向上する。
【解決手段】センサチップ3を上ガラス部4と台座ガラス部4により封止し、台座ガラス部4にバンプ接合するバンプ接合部11と、センサチップ3からのセンサ出力をバンプ接合部11に導くスルーホール6と、導体バンプ8とは別に基板5と接合する脚部9a、9bを備え、バンプ接合部11と基板5を導体バンプ8で接合することにより、バンプ厚みのばらつきを抑え、センサチップ3と基板5の平行性を確保し、熱応力バランスを良くする。 (もっと読む)


半導体デバイス(1700)は、外形(1711)及び複数のコンタクト・パッド(1205)を備えた加工部品(1201)と、複数の端子パッド(1702)を備えた外部部品(1701)とを含む。外部部品は、加工部品から離れており、端子パッドは、それぞれ、加工部品・コンタクト・パッドと整合される。リフロー要素(1203)は、コンタクト・パッドの各々をそれぞれの端子パッドと相互接続する。熱可塑性材料(1204)が、加工部品と外部部品との間の空間を充填し、この材料は、加工部品、外部部品、及びリフロー要素に接着する。更に、この材料は、実質的に加工部品の外形に沿った外形を有し、空間(1707)を実質的にボイドなく充填する。充填材料の熱可塑性特性のため、完成したデバイスは、リフロー要素をリフローするための温度範囲に達すると再加工され得る。
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【課題】 ASIC等のように半田ボールを有する電子部品と、主制御基板等の実装面との間にダミーのクリーム半田を介在させて、電子部品を実装した実装構造、その実施構造を備えた記録装置、電子機器、並びに電子部品の実装方法を提供する。
【解決手段】複数の半田ボール12が形成されたASIC10と、実装面の半田ボール12と対応する所定の領域に複数の電極パッド13が形成された主制御基板11とを含み、主制御基板11の実装面の複数の電極パッド13上に複数のクリーム半田14をそれぞれ形成し、各半田ボール12と各クリーム半田14とを接続させるようにASIC10を主制御基板11に面実装した。更に、主制御基板11の実装面の所定の領域外にダミー半田100を形成し、ASIC10と主制御基板11の実装面との間に介在させた。よって、ダミー半田100が、ASIC10の自重を支えることができる。 (もっと読む)


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