【課題】基板表面の構造に拘わらず，所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。
【解決手段】定在波を有するレーザ光のレーザ光源Ｌを基板Ｗの側方に配置し，そのレーザ光を基板Ｗの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって，基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のＣＶＤ装置で用いることの出来なかった材料により成膜を可能にし、さらに不純物が混じらない高品質の成膜を可能とした薄膜堆積方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非平衡プラズマにより原料ガス１４に与えるエネルギーと、原料ガス１４より生成する目的の反応生成物固有のポテンシャルエネルギーとの差分のエネルギーを求め、ポテンシャルエネルギーが不足の場合、前記差分のエネルギーを補充するレーザ光１９の波長を求め、ポテンシャルエネルギーが余剰の場合、差分のエネルギーを誘導放出により放出するレーザ光１９の波長を求め、非平衡プラズマ化された原料ガス１４に、求めた波長のレーザ光１９を照射して、原料ガス１４の基底準位を前記ポテンシャルエネルギーに遷移し、原料物質より目的の反応生成物を解離または分解し、被成膜物質１２に堆積して成膜する。 （もっと読む）

【課題】薄膜への不純物の混入をできるだけ防止し得る薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に設けられて薄膜を形成するための基板Ｋを水平面内で回転させる回転ステージ２と、真空容器１内の基板に２種類の原料ガスの超音速分子線Ｍを略９０度の交差角でもって供給する第１及び第２分子線発生装置4A，4Bと、超音速分子線Ｍにそれぞれ励起用のレーザ光Ｒ１を照射する第１及び第２レーザ照射装置5A，5Bと、回転ステージ２の基板Ｋ表面の前方位置に配置されて各超音速分子線Ｍの交差領域に生成した反応生成物を選択し通過させるためのピンホール3aが形成された生成物選択部材３とから構成すると共に、予め検出されている反応生成物の散乱角を入力して反応生成物が生成物選択部材３のピンホール3aを通過するように回転ステージ２の回転位置を制御するようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供する。
【解決手段】薄膜形成対象物の表面とガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、照射スポット１１６予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、照射スポット予定位置に向けて集中するように、薄膜形成対象物の表面と平行に、ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる。 （もっと読む）

【課題】最高占有分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUMO)のエネルギーギャップE_HLの開いた遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とする金属珪素化合物薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】遷移金属原子の周りを、７個以上１６個以下のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第１及び第２近接原子にシリコンが配置されている遷移金属とシリコンの化合物を、レーザーアブレーション法によって上記遷移金属原子をモノシランガス中に放出し、上記遷移金属原子とモノシランの気相反応によって、上記遷移金属内包シリコンクラスターを合成する。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）低成長温度かつ１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】水素の取込量を低減可能な、窒素と他のＶ族原子とを構成元素として含むIII−Ｖ化合物半導体膜を成長する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０３で厚さ１．５μｍのｎ型のＡｌＧａＡｓクラッド層を成長する。工程Ｓ１０５でＡｌＧａＡｓクラッド層上に活性層を成長する。具体的には、工程Ｓ１０５−１で厚さ１４０ｎｍのアンドープＧａＡｓガイド層を成長し、工程Ｓ１０５−２で、レーザ光の照射をしながら厚さ７ｎｍのアンドープのＧａＩｎＮＡｓ井戸層を成長し、工程Ｓ１０５−３で厚さ８ｎｍのアンドープのＧａＡｓ障壁層を成長し、工程Ｓ１０５−４で、レーザ光の照射をしながら厚さ７ｎｍのアンドープＧａＩｎＮＡｓ井戸層を成長し、工程Ｓ１０５−５で厚さ１４０ｎｍのアンドープのＧａＡｓガイド層を成長する。工程Ｓ１０７で、活性層上に、厚さ１．５μｍのｐ型のＡｌＧａＡｓクラッド層を成長する。 （もっと読む）

【課題】 全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、成膜装置内において、化学式ＸＢ₂（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成るとともに表面に自然酸化膜が形成された基板に、真空中での加熱処理を施すことによって、自然酸化膜を除去するとともに基板の表面に原子ステップ構造を表出させる工程と、引続き成膜装置内において、基板の表面が大気に触れない状態で基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】加工対象においてレーザ加工を精度よく行なうことが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】加工用レーザを照射するためのレーザ光源と、加工用レーザをＸＹ方向に走査させるガルバノミラーと、加工対象物をＸＹ方向に移動させるＸＹステージとを備えたレーザ加工装置によって、ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きな図形を加工する。加工対象において、ガルバノミラーの走査可能範囲を超える図形を、ガルバノミラーの走査可能範囲内に収まる図形によって複数に分割し、ＸＹステージを移動することにより、ガルバノミラーの走査可能範囲内に複数に分割した図形を移動し、ガルバノミラーにより加工用レーザを走査し、分割した図形に対し加工用レーザを照射することによりレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れ、かつクラックのないＡｌＮ系III族窒化物単結晶厚膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得る場合に、通常の成長条件で厚膜層の形成を行う第１の工程と、その時点で形成されている厚膜層を第１の工程における厚膜層の形成温度Ｔ１以上の高温状態Ｔ２で保持することを主目的とする第２の工程とを適宜のタイミングで切り替えつつ繰り返し行うようにする。これにより、それぞれの第１の工程において厚膜層に内在する歪を第２の工程で逐次に緩和させつつ厚膜層を形成することができる。厚膜層の形成後に面内方向に作用する引張応力を、あらかじめ緩和させた状態の厚膜層を形成することができるので、厚膜層におけるクラックの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板上に特性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することである。
【解決手段】 二硼化物単結晶から成る基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングした後に窒化ガリウム系化合物半導体を成長する。 （もっと読む）

【課題】１９０〜３００ｎｍの短波長光を発光する半導体発光素子用として好適な半導体層を提供する。
【解決手段】本発明の半導体層は、一般式Ｂ_ｘＡｌ_ｙＧａ_ｚＮ（式中、０＜ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。半導体発光素子１は、ＢｅＯ基板、ＴｉＢ_２基板、ＳｃＢ_２基板、ＶＢ_２基板、ＹＢ_２基板、ＭｎＢ_２基板、ＭｇＢ_２基板、ＦｅＢ_２基板、及びＣｒＢ_２基板のうちいずれかからなる第１導電型基板１１に、第１導電型電極２２と、第１導電型ＢＡｌＧａＮクラッド層１２と、ＢＧａＮ層及び／又はＢＡｌＧａＮ層を含む半導体活性層１４と、第２導電型ＢＡｌＧａＮクラッド層１６と、第２導電型電極２１とが設けられた素子である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、誘電層を形成する方法、及びそれに関連するデバイスを提供する。
【解決手段】 誘電層は、中間の厚さまで誘電層を沈着することによって、かつ中間の厚さの誘電層に窒化処理を適用することによって形成されてよい。次いで、誘電層は最終的な所望の厚さまで沈着されてよい。 （もっと読む）

【課題】ＡｌやＢ等の単原子状態で存在していられる寿命が短い活性の高い材料を用いて成膜を行う場合にも、均質で結晶品質が良好な膜を成膜することを可能とする。
【解決手段】基板２００上に１種又は複数種の成膜原料Ｇを気相で供給し、成膜原料Ｇの少なくとも一部を分解させて、基板２００上に成膜原料Ｇの構成元素を含む膜を気相成長させるに際して、基板２００の直上を基板面に対して略水平方向にレーザ光Ｌが通るように、基板２００に対して少なくとも一方向からレーザ光Ｌを照射しながら、成膜原料Ｇの供給を実施する。 （もっと読む）

【課題】基板上に再現性よく高品質なＩＩＩ−Ｖ族半導体を製造することができる半導体製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】レーザ光源１１からのパルスレーザ光の照射により、ターゲットが瞬間的に昇華し、プルームとなって雰囲気ガス分子との衝突を繰り返した後、基板上へ到達することにより結晶薄膜が形成される。そして、この結晶薄膜の表面状態を表面状態測定部１６にて測定し、制御部１７はその測定結果に応じて反応器内の成長条件を制御することにより、良質な結晶薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 表面にエピタキシャル成長される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を大幅に改善することができる化合物半導体基板を提供すること。
【解決手段】 化合物半導体基板は、Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体層３を、間にＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１からのＢ，Ｚｒ，Ｔｉの少なくとも１種と、ＧａＮ化合物半導体層３からのＧａ及びＮの少なくとも１種とを含む反応層２を介在させてエピタキシャル成長させた。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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【課題】作製条件に特段の制限を設けることなく、III族窒化物結晶における表面平坦性の向上を実現する方法を提供する。
【解決手段】単結晶の基材１とその主面上にエピタキシャル形成されたIII族窒化物結晶膜からなる上部層２とで構成されたエピタキシャル基板１０を、窒素雰囲気下で１２５０℃以上の温度で加熱処理する。
【効果】表面におけるピットが低減することにより表面平坦性が改善し、また、III族窒化物結晶内の転位密度が熱処理前の１／２以下となる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程数を削減でき、窒化物半導体膜をＩｎＧａＮが熱分解しない温度で成長させることによりＩｎを含む活性層の劣化を抑制することができ、これにより、液晶用バックライトや表示関連機器用として性能的に十分な色再現性が良い白色光を発光することができ、さらに、一般照明用の白色光に要求されている自然光に近い演色性の良い白色光を発光することができる窒化物半導体発光素子と、この発光素子を形成するための窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に、窒化物半導体からなるｎ型層、活性層、及びｐ型層が積層されてなる窒化物半導体発光素子において、互いにバンドギャップエネルギーの異なる複数の活性層５、７、９の間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共にドープされたキャリア発生層６、８を形成する。複数の活性層５、７、９は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を発光する３つの活性層であり、そのバンドギャップエネルギーは基板１に近いものほど小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】 従来の基板加熱装置は２インチ径といった大面積半導体基板を所望の温度速度で均一に加熱することができないという欠点があった。
【解決手段】 本発明の基板加熱装置は、真空チャンバ内に基板を取り付け、真空チャンバの外部から真空チャンバの窓を通して、高出力半導体レーザ光を基板に直接照射して基板を加熱し、基板上に膜を形成する成膜装置のための基板加熱装置であって、上記真空チャンバの窓を光学レンズとし、上記光学レンズにより上記レーザ光を平行光とする。また、上記光学レンズにより上記レーザ光を集光光とする。また、上記光学レンズにより上記レーザ光を拡散光とする。上記真空チャンバは放射温度計用の赤外線透過窓を有する。 （もっと読む）