【課題】基板の裏面への成膜を抑制しつつ複数枚の基板の表面に所望の膜を一括で形成する。
【解決手段】内部で基板２００を処理する反応容器２０２と、上面を露出させた水平な状態で基板２００を凹部に収納する導電性材料であって板状に形成された支持体２１８と、少なくとも前記支持体２１８を複数段、水平に保持する支持体保持体２１７と、前記反応容器内で少なくとも前記支持体保持体２１７に保持された前記支持体２１８を誘導加熱する誘導加熱装置２０６と、を有する。これにより、基板２００の裏面への成膜を抑制しつつ複数枚の基板２００の表面に所望の膜を一括で形成する。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内面がクリーニングガスに過剰に晒されることなく、サセプタ上の堆積物を除去することが可能な成膜装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、容器１２内に回転可能に設けられ基板Ｗが載置される基板載置部２４を一の面に有するサセプタ２；上記の一の面に対し原料ガスを供給するガス供給系３１、３２；サセプタ２上方に配置されサセプタ２の上面に向かって開口し逆凹状の空間を画する第１の凹状部材６０ｂと、第１の凹状部材６０ｂ上方に第１の凹状部材６０ｂに向かって開口し第１の凹状部材６０ｂとの間にガス流路を画する第２の凹状部材６０ｃと、逆凹状の空間にクリーニングガスを供給するガス供給部６０ｄ、６０ｅと、ガス流路に連通し容器の外部へ延在する排気管６０ａとを含むクリーニング用構造体６０；及び容器１２に形成され原料ガスを排気する排気口６１、６２；を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、所定元素含有層を酸化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有し、酸素含有ガスが酸素ガスまたはオゾンガスであり、水素含有ガスが水素ガスまたは重水素ガスであり、酸化膜を形成する工程では、基板の温度を４００℃以上７００℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】 キャリアガス中の原料ガスの濃度を安定化させ、原料の巻き上げや飛散による影響を抑制する。
【解決手段】 容器内に収容された常温常圧下において固体である原料を固体から液体に変化させる工程と、液体に変化させた前記原料を固体に戻す工程と、固体に戻した前記原料を昇華させて前記容器内で原料ガスを生じさせる工程と、前記容器内で生じさせた前記原料ガスを基板に対して供給し、基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】従来の膜種を改質することで、従来の膜質よりも優れた膜質を実現する。
【解決手段】第１元素を含むガスを供給して基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、第２元素を含むガスを供給して第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行い、所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、一方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間を、化学量論的な組成を持つ薄膜を形成する場合の一方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間よりも大きく、または、長くするか、他方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間を、化学量論的な組成を持つ薄膜を形成する場合の他方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間よりも小さく、または、短くする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤの成膜速度を生かしながら膜中不純物を低減する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に原料ガスと酸化剤とを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、基板を処理する工程では、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスに設定した状態で、処理室内に原料ガスを供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスよりも大きな第２の排気コンダクタンスに設定した状態で、処理室内に酸化剤を供給しつつ処理室内を排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】基板配列領域における全領域で低ＷＥＲを確保するとともに、良好なＷＩＷを得る。
【解決手段】炭素が添加された窒化シリコン膜を形成する工程では、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して基板上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第１工程と、処理容器内に窒素を含むガスを熱で活性化して供給することで、シリコン膜を熱窒化して窒化シリコン膜に改質する第２工程と、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して窒化シリコン膜上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第３工程と、処理容器内に炭素を含むガスを熱で活性化して供給することで、窒化シリコン膜上に形成された前記シリコン膜または窒化シリコン膜に炭素を添加する第４工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０上に、トンネル酸化膜１１１、チャージトラップ膜１１２、ブロッキング酸化膜１１３、ゲート電極１１４が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置であって、ブロッキング酸化膜１１３が、チャージトラップ膜１１２側に設けられた結晶質膜１１３ａと、当該結晶質膜１１３ａの上層に設けられたアモルファス膜１１３ｂとを具備している。 （もっと読む）

【課題】基板の加熱による成膜処理への影響を抑えることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた回転テーブルに載置された基板を加熱するために設けられた基板加熱手段と、回転テーブルの周方向に互いに離れて設けられ、前記回転テーブルにおける基板の載置領域側の面に夫々反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応ガスが供給される各処理領域間の雰囲気を分離するために、前記周方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域に分離ガスを供給する分離ガス供給手段と、前記回転テーブルに供給された各反応ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記真空容器を加熱し、また冷却することができるように構成された温調手段と、を備えるように成膜装置を構成することで、真空容器の温度制御を行い、前記基板加熱手段からの温度の影響を抑える。 （もっと読む）

【課題】排気配管内等で原料ガス同士が反応して、その生成物が排気配管の内壁等に付着するのを確実に、装置コストやメンテナンスの負荷を増大させることなく防止する。
【解決手段】反応容器１０１内に配置された基板Ｗに対して第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給して基板Ｗ表面に第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応生成物の膜を形成する成膜装置であって、ガス供給口１０２、１０３及びガス排出口１０８、１０９を有し、内部に基板Ｗが配置される反応容器１０１と、ガス供給口１０２、１０３に接続され、反応容器１０１内に第１及び第２の原料ガスを供給するガス供給系と、ガス排出口１０８、１０９に接続され、反応容器１０１内から第１及び第２の原料ガスを排出するガス排出系と、ガス排出口１０９近傍に設けられた、第１の原料ガス及び第２の原料ガスの少なくとも一方を分解するガス分解部１１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 基板上への異物の吸着を抑制する。
【解決手段】 処理室内に基板の積層方向に沿って立設され、複数のガス供給口を有し、液体原料を気化させて得られる第１の処理ガスを処理室内に供給する第１のガス供給ノズルと、液体原料を気化させる気化器と、第１のガス供給ノズルと隣接して立設され、複数のガス供給口を有し、第２の処理ガス及び不活性ガスを処理室内に供給する第２のガス供給ノズルと、を備え、第１の処理ガスと第２の処理ガスとを互いに混合しないよう交互に供給して基板上に所望の膜を形成し、第１の処理ガスを供給する際には、第１の処理ガスの供給流量より多い流量で前記第２のガス供給ノズルから不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスノズルの水平軸に対する傾きを調整することができる技術を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた基板載置部に対向して水平に伸びるように設けられた反応ガスノズル３１の一端側を前記真空容器の壁部の挿入孔に挿入し、前記反応ガスノズル３１の一端側と真空容器の壁部との間にＯリングｒ１、ｒ２を設けて、このＯリングｒ１、ｒ２により、前記反応ガスノズル３１の一端側を真空容器内部の気密性を維持した状態で固定する。そして反応ノズル３１における前記挿入孔よりも真空容器の内部空間側の部位を下方側から支持する傾き調整機構２５を設け、前記支持位置の高さを調整することにより、前記反応ガスノズル３１の水平軸に対する傾きを調整する。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚均一性および面間膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚のウエハを積層して保持するボート３０を処理室に収容し、各ウエハ間に処理ガスを流して、各ウエハ上に成膜する基板処理装置において、ボート３０に複数個の支持部６７と複数の保持溝６８とを交互に配置し、各支持部６７と各保持溝６８とにウエハとリング５８とをそれぞれ保持する。複数個のリング５８は円形孔５８ａの内径がボート３０の下端から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットする。成膜中に、各段のリングに付着する膜の付着量を次第に漸減させることで、各段のリングの下側にそれぞれ位置したウエハに付着する膜の付着量を次第に漸減できるので、ウエハ相互間膜厚均一性がボートの下端から上端にかけて連続的に悪化する場合についてのウエハ相互間膜厚均一性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）

【課題】放電電極の形状変化を早期に発見し、被処理基板の膜厚不均一を抑制できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を積層載置して処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内に設けられ、高周波電力が印加されることにより前記処理室内に供給されたガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、前記電極の形状変化を監視する監視機構を有する。 （もっと読む）

【課題】副生成物の付着を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを収容する処理室と、ウエハを加熱するヒータと、処理室の下部を形成するインレットフランジ１０と、インレットフランジ１０の第一ポート１２に設置されたガス供給管、棒状電極と、インレットフランジ１０の第二ポート１３に設置されたガス排気管と、を備えている基板処理装置において、インレットフランジ１０に金属成形ヒータ２０を設け、第一ポート１２および第二ポート１３にカートリッジヒータ３０を設ける。金属成形ヒータ２０およびカートリッジヒータ３０により、インレットフランジ１０、第一ポート１２周辺および第二ポート１３周辺を加熱することができるので、副生成物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて薄膜を形成するにあたり、メンテナンス性に優れた成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の側壁の貫通孔から回転テーブルの回転中心に向かって水平に伸びるように下面に多数のガス吐出孔が形成されたノズルを回転テーブルの回転方向に互いに離れるように複数本設けると共に、この真空容器の天板を開閉自在に構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めたゲート絶縁膜を形成する。
【解決手段】窒素含有ゲート絶縁膜１２を形成するステップが、シリコン単原子層を堆積するステップ及びシリコン単原子層を酸化するステップを順次に含み、半導体基板１１上にシリコン酸化膜２１を形成する酸化膜形成ステップと、シリコン酸化膜の表面部分２１ａを５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化法により窒化する窒化ステップと、シリコン単原子層を堆積するステップ及びシリコン単原子層を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化法により窒化するステップを順次に含み、表面部分を窒化したシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜２２を形成する窒化膜形成ステップと、を有し、窒素含有ゲート絶縁膜とゲート電極１３との界面での窒素濃度が、窒素含有ゲート絶縁膜と半導体基板との界面での窒素濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内膜厚分布均一性の低下を防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を一括して収容する処理室３２と、３本の保持柱２５ｃで複数枚のウエハを積層保持するボート２５と、ボート２５を回転させる回転駆動装置２８と、処理室３２内に処理ガスを噴出する吹出口４６と、を有する基板処理装置において、コントローラ６０は回転駆動装置２８を回転速度と角度位置とをパラメータとして制御し、保持柱２５ｃの角度位置に応じてボート２５を回転させる速度を増減させる。 （もっと読む）