【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。
【解決手段】ウェハＷを載置した回転テーブル２を鉛直軸回りに回転させることによって、ウェハＷの表面に第１の反応ガスを供給してこの反応ガスを吸着させ、次いでこの第１の反応ガスと反応して流動性を持つ中間生成物を生成する補助ガス及びこの中間生成物と反応して反応生成物を生成する第２のガスをこの順番でウェハＷの表面に供給し、その後ウェハＷを加熱ランプ２１０により加熱して反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

本発明は、優れた安定性を持つデバイスを実現可能な安定性の高い酸化物半導体を提供する。本発明に係る酸化物半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＳｎ（錫）の少なくともいずれか一つと、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくともいずれか一方と、酸素とを含むアモルファス酸化物半導体であり、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のイオン半径はＧａ（ガリウム）のイオン半径よりも大きい。
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【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１上にバッファ層１２を形成する第１の工程と、バッファ層１２上にシリコン膜１５を形成する第２の工程と、シリコン膜１５を炭化して炭化珪素膜１３を形成する第３の工程と、を含み、バッファ層１２は、シリコンの格子定数と炭化珪素膜１３の格子定数との間の格子定数を有する金属酸化物で構成され、第３の工程は、炭化水素系ガスの雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

半導体処理用のデバイス、方法、及びシステムがここで述べられている。半導体処理の幾つかの方法の実施形態は、構造体上にシリコン層を形成することと、シリコン層を通って構造体内に開口部を形成することと、抵抗可変材料がシリコン層上に形成されないように抵抗可変材料を開口部内に選択的に形成することとを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン化合物の合成物及びシリコン含有膜を堆積させるためにシリコン化合物を用いる方法を提供する。
【解決手段】シリコン化合物を基板表面に導入するステップとシリコン化合物の一部、シリコンモチーフをシリコン含有膜として堆積させるステップとを用いる。インサイチュエッチング剤は、選択的シリコンエピタキシーの成長を支持する。シリコン化合物は、ＳiＲＸ₆、Ｓi₂ＲＸ₆、Ｓi₂ＲＸ₈（ここで、Ｘは独立して水素又はハロゲンであり、Ｒはカーボン、シリコン又はゲルマニウムである。）を含んでいる。シリコン化合物は、また、３つのシリコン原子と、４つのカーボン、シリコン又はゲルマニウム原子と、水素又はハロゲンと少なくとも１つのハロゲン原子とを含む化合物、また、４つのシリコン原子と、５つのカーボンと、シリコン又はゲルマニウム原子と、水素又はハロゲンと少なくとも１つのハロゲン原子とを含む化合物を含んでいる。 （もっと読む）

反応器は、反応チャンバ（１６）及び排気アッセンブリ（１８）に作動的に接続されたガス供給システム（１４）を含むハウジングを有する。ガス供給システムは、少なくとも一つのプロセスガスを反応チャンバに提供する複数のガスラインを含む。ガス供給システムは更に少なくとも一つのプロセスガスを収容するミキサ（２０）を含む。ミキサは、プロセスガスを放散するように構成されたディフューザ（２２）に作動的に接続される。ディフューザは、反応チャンバの上面（２４）に直接的に取り付けられ、それによって、それらの間にディフューザ容積を形成する。ディフューザは、プロセスガスが反応チャンバに導入される前にディフューザ容積を通過する際にプロセスガスに流れ制限を提供するように構成された少なくとも一つの分配表面を含む。反応チャンバは、半導体基板が処理のために配置される反応空間を画定する。排気アッセンブリは、反応していないプロセスガスを引き込むために反応チャンバに作動的に接続され、反応空間から放出する。 （もっと読む）

【課題】３００〜５００℃といった低温での成膜が可能であり、さらに、反応性が良好なプロセスを与える有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。
【解決手段】ＨＳｉＣｌ（ＮＲ¹Ｒ²）（ＮＲ³Ｒ⁴）（Ｒ¹、Ｒ³は炭素数１〜４のアルキル基または水素を表し、Ｒ²、Ｒ⁴は炭素数１〜４のアルキル基を表す）で表される有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料。該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法により窒化シリコン薄膜を形成する原料として特に好適である。 （もっと読む）

【課題】高々３００℃程度の低温処理を前提とされた例えばアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物を、高温にすることなく容易に除去できるようにする。
【解決手段】下部電極１０２，上部電極１０３，および絶縁シール部１０４とを備え、これらで密閉可能な成膜室１０１を構成している。下部電極１０２には、高周波供給部１０９が接続され、上部電極１０３にも高周波供給部１１０が接続されている。また、下部電極１０２にはバイアス印加部１１１が接続され、上部電極１０３にもバイアス印加部１１２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】オゾンガスの酸化力低下を防止し、効率的に基板の酸化処理を行うことができるようにすることにある。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられ、噴出孔２４８ｂを有するノズル２３３ｂと、ノズル２３３ｂの内側であって噴出孔２４８ｂの近傍に設けられる貴金属系触媒１０４と、ノズル２３３ｂにオゾンガスを供給するオゾンガス供給系２５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としての、例えばフォトレジスト膜５３からなる有機膜を無機化する無機化ステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってフォトレジスト膜５３をＳｉ酸化膜に改質する酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性を大きく改善し、さらに良好な電子移動度を有するインジウム系化合物半導体薄膜を備えた半導体素子及びそれを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。ガリウム砒素の表面が、ガリウム砒素（１００）面又はこのガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な面に対して（０−１−１）方向、又はガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な方向に、０．２度以上２．４度以下の角度で傾斜している。インジウム系化合物半導体薄膜は、ｐ型インジウム系化合物半導体薄膜３とｎ型インジウム系化合物半導体薄膜２との積層構造を有する。この半導体素子は各種の光デバイスに適用可能である。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化不足による材料供給に起因するパーティクルの発生を低減し、気化器内のパーティクルやノズルの詰りの発生を抑制する事で当該詰りを原因とする装置稼働率の低下を防止する。
【解決手段】基板を収容する処理室２０３と、液体原料を収容する液体原料収容部３００と、前記液体原料を気化する気化機構３０４と、前記気化機構と前記処理室を接続する液体原料ガス供給配管２５０ｈ，２５０ｊと、前記液体原料収容部と前記気化機構を接続する液体原料供給配管２５０ｅ，２５０ｆ，２５０ｇと、前記液体原料供給配管に設けられ、前記液体原料を加熱しつつ収容する予備加熱部３０２とを有する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積法により、簡易な構成で均一な膜質の薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、第１の内部空間を形成する容器であって、基板を搬入又は搬出するための基板搬入出口２８と、基板上に薄膜を形成するガスを内部に導入するためのガス導入口２９とを異なる位置に備える第１の容器２０と、第１の容器２０の内部に設けられ、第１の内部空間と隔てられる第２の内部空間を形成し、第１の開口を備える第２の容器６０と、第２の容器６０を所定の方向に移動する第１の移動機構３６と、基板を搬入又は搬出する場合、基板搬入出口と第１の開口とが対向する第１の位置に第２の容器６０を移動し、基板上に薄膜を形成する場合、ガス導入口と第１の開口とが対向する第２の位置に第２の容器６０を移動するように第１の移動機構を制御する制御部１００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器の一方の端の側に設けられ、リアクタ容器の一方の端から他方の端に向けて筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを第１層の空間内に流す。ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。 （もっと読む）

【課題】より高い誘電率を有する高誘電率絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程Ｓ１０６と、前記高誘電率絶縁膜に対し真空下で熱処理を施す工程Ｓ１１０と、熱処理後の前記高誘電率絶縁膜が室温となるまでの間、前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧を、前記熱処理時に前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧と同等もしくはそれ以下に保持する。 （もっと読む）

【課題】原子層成長装置の洗浄がより容易に行えるようにする。
【解決手段】成膜容器上部１０１の上部には、洗浄液を成膜室に導入するための洗浄液導入配管１１０を備え、洗浄液導入配管１１０にはバルブ１１１が設けられている。また、排出配管１０７は、排気配管１０８に加えて洗浄液排出配管１１２も接続している。排出配管１０７と排気配管１０８との接続および排出配管１０７と洗浄液排出配管１１２との接続は、切り替えバルブ１１３により切り替え可能としている。また、切り替えバルブ１１３により、排出配管１０７を閉じた状態とすることを可能としている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、面内均一性高く成膜処理を行える成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】夫々複数の反応ガスが供給される複数の処理領域９１、９２と、これらの処理領域９１、９２の間に設けられ、分離ガスが供給される分離領域Ｄと、を基板が順番に位置するように、夫々複数の反応ガスを供給するための複数の反応ガス供給手段３１、３２及び分離ガスを供給するための分離ガス供給手段４１、４２と、基板を載置する回転テーブルと、を鉛直軸回りに相対的に回転させて基板上に反応生成物の層を積層した後、回転テーブル上の基板を鉛直軸回りに自転させ、次いで再び基板が各領域９１、９２、Ｄを順番に位置させることによって反応生成物の層からなる薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積法により均一な膜質の薄膜を基板上に成膜する原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、第１の内部空間を形成する第１の容器と、第１の容器の内部に設けられ、第２の内部空間を形成する筒形状の容器であって、第２の内部空間内に向けて、基板上に薄膜を形成する原料ガスが流れる第１の開口を筒形状の一端に備える第２の容器と、原料ガスを、第１の開口を通して第２の内部空間に供給するガス供給口を備え、かつ、第２の容器の筒形状の長手方向に第２の容器を押えることにより、第１の内部空間に対して第２の内部空間を隔てる押え部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板以外に薄膜が広範囲に形成されずクリーニングおよびメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、所定の圧力を維持する第１の内部空間２２を形成する成膜容器１２と、この第１の内部空間内２２に設けられ、設定された圧力を維持する、第１の内部空間２２と隔離された第２の内部空間１５を形成するリアクタ容器１４と、第１の内部空間２２内に設けられ、リアクタ容器１４に隣接して設けられたヒータ１６ａ，１６ｂと、第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する基板Ｓを載置する載置機構１８と、載置される基板Ｓの上方に対向するように第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する原料ガスを、ヒータ１６ａの加熱を受けた状態で、基板Ｓに向けて供給する原料ガス供給ヘッド２０と、を有する。 （もっと読む）