【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】気化器内部の圧力を低く保ち、安定的に大流量の液体原料の気化動作を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔには、圧力損失が小さい、大口径のゲートバルブ方式のメンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４がそれぞれ設けられている。メンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４の設置箇所には、ダイヤフラムバルブのようにバルブ内で流路が狭くなっていたり、バルブ内で流路が屈曲していたりする箇所はなく、実質的にバルブが設けられていない場合の第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔと同等である。 （もっと読む）

【課題】処理室内からの原料ガスや酸化剤の排出時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に原料ガスを供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスよりも大きな第２の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内をパージする工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に酸化剤を供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第２の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内をパージする工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、大気圧よりも低い圧力に設定された処理容器内に酸素を含むガスと水素を含むガスとを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】同時に複数枚の基板をバッチ処理する場合において、基板間の処理の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で複数の基板を保持する基板保持体と、処理室内へ所定の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内からガスを排出するガス排出部と、を備え、基板保持体は、複数本の支柱と、支柱の長手方向に沿って配列するように複数設けられ、基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持される基板の外周を囲うリング形状のプレートと、を備え、プレートの表面には表面パターンが形成されており、複数のプレートのうち第１プレートに形成されている表面パターンと、複数のプレートのうち少なくとも第２プレートに形成されている表面パターンと、が異なる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減し、ウエハ上に均一に成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する処理室２０１と、前記基板の積層方向に沿って配設され、前記処理室に処理ガスを供給するガスノズル２３３ｂと、を有し、前記ガスノズル２３３ｂは前記基板の積層方向に沿って複数のガス供給孔２３４ｂが形成され、前記ガスノズル２３３ｂの上端及び下端に前記ガスノズル２３３ｂへ前記処理ガスを供給するガス供給管２３４ｂがそれぞれ接続される。 （もっと読む）

基板（３）に上の多層コーティング及び多層コーティングを製造するための方法が提供される。前記コーティングは前記コーティングを通る原子の拡散を最小化するように構成され、前記方法は、基板を反応空間に導入し、前記基板上に第１の材料（１）の層を堆積し、及び前記第１の材料（１）の層上に第２の材料（２）の層を堆積することを含む。前記第１の材料（１）及び第２の材料（２）のの層の堆積は、前記反応空間に前駆体を交互に導入することを含み、続いてそれぞれの前駆体導入後にパージングすることを含む。前記第１の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される前駆体、前記第２の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される他の前駆体である。境界領域が、酸化チタン及び酸化アルミニウムの間に形成される。
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本発明は、ガス噴射装置及び該ガス噴射装置を採用した基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数の基板を支持する基板支持部の上部に設けられ、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備えるものであって、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入して前記ガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるように、ガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、ガス拡散空間を基板支持部の半径方向に沿って互いに隔離された複数の空間に仕切るように、トッププレートと噴射プレートとの間に設けられる隔壁と、を備え、隔離された空間ごとに前記工程ガスが独立して流入するように、導入口は複数設けられて隔離された空間ごとに配設されるところに特徴がある。
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本発明は、ガス噴射装置及びこれを用いた基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数枚の基板を支持する基板支持部の上部に設けられるものであって、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備え、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入してガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるようにガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、を備え、工程ガスは、複数の個所からガス拡散空間に流入することを特徴とする。
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【課題】緻密で且つ不純物が少なく、更には基板の面内において膜厚及び膜質が均質な薄膜を形成すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＢＴＢＡＳガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＢＴＢＡＳガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、シリコン酸化膜を成膜した後、活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対してＡｒガスのプラズマを供給して、成膜サイクル毎に改質処理を行う。この時、Ａｒガスと共にＯ2ガスを供給してＡｒガスのプラズマ化の連鎖を抑制する。 （もっと読む）

【課題】トラップを起因とするパーティクルの逆拡散を防止する。
【解決手段】処理室２０１内を排気する排気装置２４０のガス排気管２３１に設けられた真空ポンプ２４６とトラップ２５０間に第一バルブ２５１を設け、トラップ２５０の二次側に第二バルブ２５２を設け、第一バルブ２５１の一次側とガス排気管２３１を接続するバイパス管２４２に第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を設ける。成膜時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を開き、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を閉じ、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたガスの反応副生成物をトラップ２５０によってトラップする。クリーニング時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を閉じ、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を開き、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたクリーニングガスをトラップ２５０を迂回して流す。 （もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物合金のエピタキシャル層を成長させるための組成物、反応器装置、方法、および制御システム。２層以上のヘテロ構造積層において合金層の組成が異なる場合のエピタキシャル層成長を制御するために、超大気圧がプロセスパラメータとして使用される。
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【課題】膜質を高く維持し、且つスループットも低下させることなく原料ガスの消費量を大幅に抑制することが可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器２２と、原料ガスを供給する原料ガス供給系５４と、反応ガスを供給する反応ガス供給系５６と、弁開度が調整可能な開閉弁８０Ｂを有して真空引きする真空排気系７８とを備えた成膜処理装置２０による成膜方法において、真空排気系の開閉弁８０Ｂを閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁６２Ｂを最初の所定の期間は開状態した後に直ちに閉状態にして処理容器内へ原料ガスを一時的に供給して吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁６６Ｂを開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給しつつ真空排気系の開閉弁８０Ｂを最初は開状態としてその後は弁開度を徐々に小さくして反応ガスを反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】酸化剤である水を噴射弁により直接噴射する際の不具合を解消した成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを内部に保持し、ポンプ７１により減圧されている成膜室２内に、有機金属化合物を含む液体原料を噴射弁４１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記液体原料を気化させて、基板表面に有機金属化合物を吸着させる吸着工程と、成膜室２内に、酸化剤である水と水よりも気化潜熱の小さい有機溶媒との混合溶液を噴射弁５１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記混合溶液を気化させて、基板表面上に吸着した有機金属化合物を酸化する酸化工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度を低下させ、成膜速度を増大させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板上に形成したシリコン含有及びボロン含有膜をボロン及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤがＣＶＤに比べて優れたコンフォーミティ（ｃｏｆｏｒｍａｌｉｔｙ）、成膜速度及び均一性を備えた気相堆積方法を提供する。
【解決手段】シリコンナイトライド層を含む、超高品質シリコン含有化合物層を形成するため、複数の順次的なステップ１４０が、反応チャンバー中で実施される。好ましい実施態様において、シリコン前駆物質としてトリシランを用いて、シリコン層が基板上に堆積１００される。シリコン前駆物質は、反応チャンバーから除去される１１０。その後、シリコンナイトライド層が、シリコン層を窒化すること１２０によって形成される。窒素反応物質は、反応チャンバーから除去される１１０。これらのステップ１００、１１０、１２０及び１３０を繰り返すことによって、所望の厚さのシリコンナイトライド層が形成される。 （もっと読む）

【課題】クリーニングを原因とする腐食を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に複数の原料を供給して基板の表面に膜を形成する膜形成工程と、前記処理室内にフッ素を含むクリーニングガスを供給して前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、前記クリーニング工程は、前記処理室内を第１の温度で所定時間加熱する第１の加熱工程と、前記第１の温度から第２の温度まで昇温する昇温工程と、前記処理室内を前記第２の温度で所定時間加熱する第２の加熱工程と、を含み、前記第１の温度及び前記第２の温度は５００℃から７００℃のそれぞれ所定温度である。 （もっと読む）

【課題】新規な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る成膜装置は、原料ガスの噴出口が設けられたガス導入管と、前記原料ガス中の原料を堆積させる基板が配置される基板配置場所と、前記噴出口と前記基板配置場所との間に設置された、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を堆積させる堆積部材とを、処理室内に備えている。本実施形態に係る成膜方法は、処理室内に原料ガスを導入し、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を基板に到達する前に堆積部材に堆積させ、前記基板上に前記原料ガス中の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）