【課題】立体構造を有する電極などの部材上に、組成の同じＡＬＤ膜を形成することの可能な半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部電極、上部電極、および下部電極と上部電極に挟まれる容量絶縁膜からなるキャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法において、前記下部電極の表面および前記層間絶縁膜の表面に、Ａｌの前駆体とＺｒの前駆体の前記下部電極に対する各々の被覆特性が一致する条件で、前記Ａｌの前駆体と前記Ｚｒの前駆体を反応室内に供給する工程と、前記Ａｌの前駆体と前記Ｚｒの前駆体を反応室から真空排気する第１の真空排気工程と、酸化剤を反応室に供給する工程と、前記酸化剤を前記反応室から真空排気する第２の真空排気工程と、繰り返すＡＬＤフローシーケンスによりＺｒＡｌＯ膜を形成する工程を採用する。 （もっと読む）

【課題】静電容量が大きく、リーク特性に優れたキャパシタを容易に形成する。これにより、データ保持特性にすぐれ、集積度の高いＤＲＡＭ等の半導体装置を容易に形成する。
【解決手段】キャパシタの容量絶縁膜は、第１領域と第２領域を有する。第１領域は、Ｓｒ／Ｔｉの原子組成比が１．２以上１．６以下の範囲であるチタン酸ストロンチウムからなる。第２領域は、Ｓｒ／Ｔｉの原子組成比が０．８以上１．２未満の範囲であるチタン酸ストロンチウムからなる。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、パーティクルの発生を抑制して、処理される基板の品質を均一なものとすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する処理室と、前記処理室の外周に設けられ、前記基板が積層された高さ領域を加熱する加熱ユニットと、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属からなる芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記基板が積層された高さ領域に対応する位置に設けられた第一の管体と、前記芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記基板が積層された高さ領域より低い位置に設けられた石英からなる第二の管体と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】レンズの反射を抑制することが可能な酸化膜を低温下で形成する。
【解決手段】基板に形成されたレンズの上に、第１元素を含む第１原料、第２元素を含む第２原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、レンズの屈折率より小さい屈折率を有する下層酸化膜を形成する下層酸化膜形成工程と、下層酸化膜の上に、第１原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、下層酸化膜の屈折率より小さい屈折率を有する上層酸化膜を形成する上層酸化膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。
【解決手段】
処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。 （もっと読む）

【課題】高速でのガス置換を行うことなく成膜処理を実行可能であり、又基板のサイズに柔軟に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板３を載置する載置部５を移動させることで基板を搬送する搬送手段６と、第１の空間１１に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給手段７と、第２の空間１２に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給手段８と、前記第１の空間又は前記第２の空間の後にそれぞれパージガス雰囲気の第３の空間１３ａ，１３ｂを形成する為にパージガスを供給するパージガス供給手段９ａ，９ｂと、少なくとも前記載置部を加熱する加熱手段１４と、前記第１の空間、前記第２の空間及び前記第３の空間がそれぞれ所定の温度となる様に前記加熱手段を制御する温度制御手段１７と、複数の基板を載置した状態で前記搬送手段が前記第１の空間、前記第２の空間及び前記第３の空間を通過する様に制御する搬送制御手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、処理容器４２と、処理容器内を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積（ＡＬＤ）式薄膜堆積装置において反応物質パルスに続くパージ期間に反応物質残りの少ない堆積装置を提供する。
【解決手段】堆積チャンバ内に画定された空間内に載置されたウエハ上に薄膜を堆積させるように構成され、前記空間と連通するガス流入口と、さらに、密閉面６０５を含む密閉部６０４とを備え、前記堆積チャンバと、前記ウエハを前記空間内において支持するように形成されたサセプタ６０２であって、サセプタ６０２が密閉面６０５に対して密閉を行う第１の位置と、サセプタ６０２が密閉面６０５に対して密閉を行わなくなる下方の第２の位置との間を、前記堆積チャンバに対して鉛直方向に移動するように形成されたサセプタ６０２と、を備える。前記第１の位置において、密閉面６０５とサセプタ６０２との間の界面と、サセプタ６０２上に配置された前記ウエハの上面との間の垂直方向の距離が、約２ミリメートル未満である。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数の反応ガスを交互に供給して基板に膜を形成する工程と、処理室から基板を搬出する工程と、処理室内にクリーニングガスを供給し、処理室内をクリーニングする工程と、複数の反応ガスの全てを処理室内に供給し、処理室内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において稼働率の低下とメンテナンス費用アップの原因となる処理室や排気経路への反応副生成物の堆積を防止する。
【解決手段】処理室２内に設けられ複数の基板４が載置されて回転する支持部より上方に設けられ、第一のガスを供給する第一ガス供給部１０と、前記支持部より上方に設けられ、第二のガスを供給する第二ガス供給部１１と、前記支持部と第一および第二ガス供給部１０，１１との間の空間に、前記第一および第二のガスを分離する不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１６，１７，１８と、前記支持部の下方の処理室２の底壁との間に設けられ、仕切り板１９ａ，１９ｂによって気密に区画された少なくとも二つの排気空間２１と、該排気空間のそれぞれに設けられた排気孔２２，２３と、を有する基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】立体構造キャパシタを備えた半導体装置であって、上下部電極に金属若しくは金属化合物を用いるＭＩＭ構造で、容量絶縁膜に高誘電体膜を用いるキャパシタにおいて、高誘電率でリーク電流が抑制された信頼性の高いキャパシタを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】ＴｉＮ下部電極１０２上に酸化ジルコニウム誘電体膜１１３を形成し、誘電体膜上にＴｉＮを含む上部電極１１７を形成する際、誘電体膜をＡＬＤ法で形成し、上部電極を形成する前に誘電体膜形成時のＡＬＤ法の成膜温度を７０℃以上超える温度を付加することなく、第一の保護膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０内に回転可能に設けられ、基板が載置される回転テーブル２；第１の反応ガスが供給される第１の領域４８１と第２の反応ガスが供給される第２の領域４８２とを分離するために、該第１および第２の領域の天井面よりも低い天井面と、分離ガスを供給する分離ガス供給部４１，４２とを有する分離領域；該分離領域において、回転テーブル２と反応容器１０の内側面との間に配置される上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂ；を有する成膜装置とする。上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂは、前記分離領域における回転テーブル２の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Ｓが形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】等価酸化膜厚（ＥＯＴ）が薄く、漏洩電流の小さいＤＲＡＭ用のＭＩＭキャパシタを提供する。
【解決手段】基板を準備するステップと、前記基板上に第１電気導電性層上を設けるステップと、原子層堆積法によって、前記導電性層上に層のサブスタックを設けるステップであって、前記サブスタックの少なくとも一層はＴｉＯ_２層であり、サブスタックの他層は、ペロブスカイト相を形成するのに好適な組成を有する誘電体材料層であるステップとを含む。前記層のサブスタックを含む基板に熱処理を施し、結晶化した誘電体層を得る。サブスタックに存在する一連のＴｉＯ_２層として改善した特性を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを得るために、第２導電性層を熱処理の前または後に製造する。特に、本発明に係るＭＩＭｃａｐにおいて、誘電体層のｋ値は５０〜１００であり、ＭＩＭキャパシタのＥＯＴは０．３５ｎｍ〜０．５５ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】固体成膜原料を、従来からのＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜方法に使用できる形態で安定的に供給する。
【解決手段】固体成膜原料２１を気化させて供給する気化供給装置１であって、超臨界流体を生成して供給する超臨界流体供給部１０と、超臨界流体供給部１０から供給される超臨界流体を固体成膜原料２１に接触させて、超臨界流体に固体成膜原料２１を溶解させる超臨界流体調整部２０と、固体成膜原料２１が溶解した超臨界流体を気体に相転移させて、気体中に固体成膜原料２１を析出させるとともに、析出した固体成膜原料２１を気化させる気化部３０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板に吸着したガスに含まれる不純物を効果的に除去しつつ基板処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記処理室内へ搬入された基板に、第１のガスを吸着させる第１ガス供給工程と、前記第１ガス供給工程の後、前記処理室内から第１のガスを排気する第１ガス排気工程と、前記第１ガス排気工程の後、前記基板に付着した第１のガスを、分解機構により分解する第１分解工程と、前記第１分解工程の後、前記処理室内へ第２のガスを供給しつつ、前記分解機構により第２のガスを分解する第２ガス供給工程と、前記第２ガス供給工程の後、前記基板を処理室内から搬出する搬出工程とから、基板処理方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する原料ガスの供給を促し、基板上に形成される薄膜の成膜速度や膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気管より排気する工程と、処理容器内に原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気管より排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、基板上に所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程では、原料ガスを供給する直前に、排気管に設けられたバルブを一時的にフルクローズして排気管を一時的に閉塞する。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。
【解決手段】基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いて前記Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ１，Ｓ２と、表面にＳｉＯ膜が形成された基板支持具により基板を支持した状態で基板上に薄膜を形成する工程Ｓ４と、基板支持具に付着した堆積物をフッ素含有ガスを用いて除去する工程Ｓ５と、その後に再度、基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板載置領域における基板の位置ずれの発生を抑えることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、ウエハＷを載置するための載置部材２００を着脱自在に設け、該載置部材２００に、ウエハＷの下面と載置部材２００の表面との間の空間と、この空間の外側領域と、の間でガスを通流させるためにウエハＷを前記表面から浮かせた状態で保持する突起２０１を形成する。真空容器の内部にて圧力変動が発生したとしても、ウエハＷの下面に処理ガスを速やかに通気させることによって、ウエハＷの下面側において局所的にガス圧が高まりウエハＷが持ち上がって正常な位置からウエハＷが移動してしまう現象の発生を抑える。 （もっと読む）