本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの単一パルス段階中に前駆体の混合物がチャンバ内に共に存在して多成分薄膜を形成するように前駆体を混合するシステム及び方法を提供する。前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分からなり、このような異なる成分は多成分薄膜を製造するために単層を形成することになる。本発明の別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。
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【課題】 原子層堆積を実行するための方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 原子層堆積（ＡＬＤ）を実行するためのプラズマ処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバ内で提供される基板ホルダと、処理チャンバに第１のガスおよび第２のガスを供給するように構成されたガス注入システムとを具備する。システムは、処理チャンバに連続的に第１のガス流れを流し、第１の時間に処理チャンバに第２のガス流れをパルス化して流すガス注入システムを制御するコントローラを含む。コントローラは、第２の時間に基板ホルダにＲＦ電力をパルス化する。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、少なくとも約３，０００Ｋの高中性温度で活性化ガスを使用することを伴う。改良は、より良好なエッチング速度および放出ガス制御のために酸素対フルオロカーボン比を最適化することも伴う。
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炭素を含まないシリコン源（たとえば、（ＳｉＨ₃）₃Ｎ）、一般式ＭＸ_nをもつ金属前駆体（たとえば、Ｈｆ（ＮＥｔ₂）₄）、および酸化剤（たとえばＯ₂）をＣＶＤチャンバーへ導入し、基板の表面でこれらを反応させることによって、金属シリコン（オキシ）ナイトライドを製造する方法。ＭＳｉＮ、ＭＳｉＯおよび／またはＭＳｉＯＮ膜を得ることができる。これらの膜はｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜として有用である。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、酸素とフルオロカーボンとを含む供給ガス混合物への窒素源の追加を伴う。改良は、窒素源を含む前処理ガス混合物を活性化し、活性化前処理ガスを、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路に通過させることによる、経路の内面の前処理も伴う。
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処理室に被処理基板を収容し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置の処理室を清浄化するにあたり、処理室内に酸素を含むガスのプラズマを形成する工程と、処理室内に窒素を含むガスのプラズマを形成する工程とを交互に実施する。 （もっと読む）

処理容器内において被処理基板表面に所定の処理温度で酸化膜を形成する成膜方法は、前記基板を前記所定の処理温度まで昇温する昇温工程を含み、前記昇温工程は前記基板を、前記基板の温度が４５０℃の温度に達する前に、酸素を含む雰囲気中に保持する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、表面コーティングされたシール材に関し、ゴム基材の持つ強度、硬度、シール性を保ちつつ、耐薬品性、耐プラズマ性、非粘着性を高めたシール材を提供する。ショアＤ硬度が７５以下かつショアＡ硬度が４０〜１００である軟質材料からなる基材の表面全体または一部に、金属、金属酸化物、金属チッ化物、金属炭化物およびその複合物からなる群より選ばれる１種以上の金属または金属化合物からなるコーティング膜を有するシール材である。 （もっと読む）

プラズマ処理システムの半導体基板を処理する処理方法が開示される。本処理方法は、第１の電気的な測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的な測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供することを含む。本処理方法は、第２の端子に補償回路を接続することも含んでいる。本処理方法は、前記第１の電気的な測定装置および前記第２の電気的な測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供し、フィードバック回路の出力が、前記第１の端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。 （もっと読む）

処理容器内部を真空引きした状態で運転を停止していた場合などにおいて、運転を再開しようとしても、プラズマが容易に着火しない現象が生じる問題を解決する。
処理容器（２１）中に酸素を含むガスを流通させ、前記処理容器（２１）内部を排気しながら前記酸素を含むガスに紫外光を照射する。その後、リモートプラズマ源（２６）を駆動して、プラズマを着火させる。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、（ａ）チャンバと、（ｂ）上記チャンバの内部に露出される比較的大きな表面積を有するカソードと、（ｃ）上記チャンバ内部に配置され、作動距離位ほどカソードから離隔されているホールを有するアノードと、（ｄ）上記アノードと対向する上記チャンバの内側に配置されたウエハホルダと、（ｅ）その出力が上記カソードに印加され、カソード電圧を提供する負電圧源と、（ｆ）その出力が上記アノードに印加される電圧源と、（ｇ）上記チャンバ内にガスが導入速度で入るよう適合されたガス入口と、（ｈ）上記チャンバからガスを排出速度で排出するように適合されたポンプを含む電子ビーム処理装置であって、上記導入速度及び排出速度は、上記チャンバ内のガス圧力を提供し、カソード電圧、ガス圧力、及び作動距離の値は、カソードとアノード間にアークがなく、作動距離が電子平均自由行路より大きくなるようにする装置である。 （もっと読む）

【課題】 接触なしで原料を蒸発させて、単元又は多元の層及びスタック層を堆積する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、プロセスチャンバー（２）内で少なくとも１層を少なくとも１つの基板上に堆積する装置であって、複数の成分からなり、絶縁性、パッシベーション性、又は導電性を有する層と、インジェクタユニット（５）を用いて液状又は液体に溶解した原料（３）を温度制御された蒸発チャンバ（４）に不連続に射ち込むことによって成分が蒸発され、これらの蒸気がキャリアガス（７）によってプロセスチャンバーに供給される装置に関する。各インジェクターユニット（５）を通る流量の時間プロファイルを決定する、射出圧、射出周波数、及びデューティ比、並びにオン／オフの他のインジェクターユニットのオン／オフに対する位相関係等の流量パラメータが個別に設定又は変更されることが基本である。 （もっと読む）

【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）

【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）

本発明は、附室アセンブリと連通している流路を有するハウジングを有する熱処理プロセスチャンバを提供する。この附室アセンブリは、第１の溝を持つ外側リングと、第２の溝を持つ内側リングとを含む。この第１の溝は外側リングの軸線方向に内向きの表面内に形成されている。第１の溝は半径方向に外向きの方向と軸線方向に内向きの方向とに開いている一部分を有する。第２の溝は軸線方向に内向きの方向に開き、および、内側リングの軸線方向に外向きの表面内に形成されている。第１の溝と第２の溝は、これらが軸線方向に互いに重ね合わされた関係にある時に通路を形成する。第１の溝は半径方向に外側に開いた端部を形成し、および、第２の溝はその通路の軸線方向に内向きの端部を形成する。通路は流路と連通し、これによって温度調整媒質の通過を可能にする。
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【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。
【解決手段】 このＣＶＤ装置５０は、処理室５１にペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を供給するための容器５３に予備容器７３を接続し、容器５３内のペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）の残量が少なくなったときは、配管５４と容器５３とを切り離して新しい容器５３と交換するのではなく、予備容器７３からペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を補充する。これにより、配管５４と容器５３とを切り離すためのジョイント６１ｊを通じて配管５４内に大気が侵入し、配管５４内の残留ペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体キャパシタに保護膜を設け、強誘電体膜の還元を抑制する。
【解決手段】 前記保護膜としてＡｌ₂ Ｏ₃ 膜を、３．０〜３．１ｇ／ｃｍ³ 、あるいはそれ以上の密度に形成する。 （もっと読む）

【課題】 例えばプリヒ−トを行ってから成膜する場合に、プリヒ−ト時間を短縮すること。
【解決手段】 プリヒ−ト時と成膜時との間で主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７の電流値を変えることにより、得られる磁界の形状を変化させ、成膜時は均一性が大きいが磁束密度が小さい磁界、プリヒ−ト時は均一性は小さいが磁束密度が大きい磁界とする。この結果成膜時はウエハＷの面内においてほぼ均一なプラズマが発生するので均一な成膜処理を行うことができる。一方プリヒ−ト時は均一性は悪いもののプラズマ密度が成膜時よりも大きいプラズマが発生するのでウエハＷへの入熱量が成膜時よりも多くなり、プリヒ−ト時間を短縮することができる。 （もっと読む）