【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体活性領域からの電荷キャリアの脱出を阻止して、電荷キャリアのより有効な閉じ込めを示すＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】希土類添加物をドープされた第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）２００Ａであって、前記真性層の上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａ及び該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０も備える。ＨＥＭＴの製造方法は、第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを形成し、該第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層に希土類添加物をドーピングして絶縁層を形成する。更に前記絶縁層の上に第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａを形成し、該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０を形成する。前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と前記第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層とのヘテロ接合界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）２１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】単一半導体基板上にＨＢＴおよびＦＥＴのような異なる種類の複数デバイスを形成するに適した化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】第１半導体１１０と、第１半導体上に形成された、電子捕獲中心または正孔捕獲中心を有するキャリアトラップ層１３０と、キャリアトラップ層上にエピタキシャル成長され、自由電子または自由正孔が移動するチャネルとして機能する第２半導体１４４と、第２半導体上にエピタキシャル成長したＮ型半導体／Ｐ型半導体／Ｎ型半導体で表される積層体、または前記第２半導体上にエピタキシャル成長したＰ型半導体／Ｎ型半導体／Ｐ型半導体で表される積層体を含む第３半導体１６０とを備える半導体基板。 （もっと読む）

【課題】寄生容量が低減された化合物半導体基板及び化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉから構成される基板１１と、基板１１上に形成され、ＡｌＮから構成される第１の半導体層１２とＧａＮから構成され鉄（Ｆｅ）がドーピングされた第２の半導体層１３とを交互に積層して形成されるバッファ層１４（積層構造体）と、バッファ層１４上に形成され、ＧａＮから構成される第１の成長層としてのチャネル層１５と、チャネル層１５上に形成され、ＡｌＧａＮから構成される第２の成長層としてのバリア層１６と、バリア層１６上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜１８と、絶縁膜１８の開口を介してバリア層１６上に形成されるゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、を備える。 （もっと読む）

【課題】コストメリットがあり、かつ、特性の優れた高周波動作用の半導体素子を実現できるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】導電性を有するＳｉＣからなる基材の上に、バナジウムをドープすることによって比抵抗が１×１０⁶Ωｃｍ以上の絶縁性を有するＳｉＣからなる絶縁層を形成して、下地基板を得る。該下地基板の上に、ＡｌＮからなるバッファ層と、ＧａＮからなるチャネル層と、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなる障壁層とをエピタキシャル形成する。 （もっと読む）

【課題】例えば高周波数装置のような後続する装置製造に適する電気特性と構造性質を有する高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】高い抵抗率の炭化ケイ素の単結晶を製造する方法であって、ケイ素原子を含むガスの流れを囲いに導入し、炭素原子を含むガスの流れを前記囲いに導入し、炭化ケイ素の種結晶を含む前記囲いを１９００℃よりも高温に加熱するに際し、前記種結晶の温度が、加熱された前記囲いに導入された前記ケイ素および炭素原子を含むガスの分圧下において前記種結晶が分解する温度よりも低くなるようにし、前記ケイ素および炭素原子を含むガスの流れおよび前記１９００℃よりも高い温度を、バルク結晶を成長するに十分な時間維持し、前記バルク結晶の成長の間に、少なくとも一つの深い不純物を前記結晶に導入して少なくとも一つの深い内因性欠陥の形成を促し、これにより高い抵抗率の前記結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体単結晶層に残留するキャリアを抑制することによって、高速および高耐電圧デバイスに好適な窒化物半導体単結晶層を有する化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板１上に、Ｂ，Ａｌ，Ｖ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種の不純物元素を１０¹⁴〜１０²¹／ｃｍ³含む、厚さ０．０５〜２μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層２と、Ｃ，Ｖ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種の不純物元素を１０¹⁴〜１０²¹／ｃｍ³含む、厚さ０．０５〜５μｍのＧａＮ単結晶層３とが順次積層された構成とする。 （もっと読む）

【課題】良好な電気的得意のＦＥＴを高い安定性をもって製造することができる電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板を提案すること。
【解決手段】電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板において、下地基板１と動作層として動くｕｄ−ＡｌＧａＮ層５との間に、Ｇａ又はＡｌを含むＡｌＮ第一緩衝層２とＡｌＧａＮ第二緩衝層３とを設け、これらの内の少なくとも一方を周期律表においてＧａと同一周期にありかつ原子番号の小さい補償不純物元素を添加して高抵抗結晶層とすると共に、この高抵抗結晶層とｕｄ−ＡｌＧａＮ層５との間に無添加もしくは空乏状態を維持できる程度の微量アクセプター不純物を含有するｕｄ−ＧａＮ高純度エピタキシャル結晶層４を設けた。 （もっと読む）

【課題】 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、５×１０^１７ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３である。また、ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、ＦｅドープＧａＮ層１４中の酸素原子およびシリコン原子の合計の密度よりも高い。 （もっと読む）

炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板とＳｉＣ基板の上方の第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層とを含む第ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス構造を提供する。第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層は約４×１０⁸ｃｍ^-2未満の転位密度と少なくとも約５０Ｖの分離電圧とを有する。 （もっと読む）

半絶縁ＩＩＩ族窒化物層および半絶縁ＩＩＩ族窒化物層の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物層を浅い準位のｐ型ドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を、例えば深い準位の遷移金属ドーパントなどの深い準位のドーパントでドーピングすることを有する。このような層および／または方法はまた、ＩＩＩ族窒化物層をおよそ１×１０^１７ｃｍ^−３よりも小さい濃度を有する浅い準位のドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を深い準位の遷移金属ドーパントでドーピングすることを有する。深い準位のドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きい。
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