【課題】高い密度の電流を注入したときの発光効率を向上させることができる窒化物半導体発光ダイオード及びその窒化物半導体発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層からなる発光ダイオードにおいて、活性層中の発光層は複数の層からなり、異なるＩｎ混晶比を持つ層が少なくとも２以上ともに接して形成される、窒化物半導体発光ダイオードに関する。 （もっと読む）

【課題】基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板を反応炉内に搬入するステップと、前記反応炉内に前処理ガスを供給して前記基板に対して前処理を行うステップと、前記反応炉内に処理ガスを供給して前記前処理がなされた前記基板に対して本処理を行うステップと、前記本処理後の前記基板を前記反応炉より搬出するステップとを有し、前記前処理ステップでは、前記反応炉内に前記前処理ガスとしてシラン系ガスを供給し、前記反応炉内の温度を２００℃以上４３０℃以下の温度に設定し、前記反応炉内の圧力を１Ｐａ以上１０Ｐａ以下の圧力に設定する。 （もっと読む）

【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１上にバッファ層１２を形成する第１の工程と、バッファ層１２上にシリコン膜１５を形成する第２の工程と、シリコン膜１５を炭化して炭化珪素膜１３を形成する第３の工程と、を含み、バッファ層１２は、シリコンの格子定数と炭化珪素膜１３の格子定数との間の格子定数を有する金属酸化物で構成され、第３の工程は、炭化水素系ガスの雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】基板上のシリコンを含む領域を選択的に酸化させて修復する際に、基板上の金属を含む領域の酸化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板２００上に絶縁膜１０２を形成する工程と、絶縁膜１０２上に、金属を含む電極を形成する工程と、絶縁膜１０２及び電極に対してエッチング処理を施すことで、絶縁膜１０２の側壁及び電極１０５Ａの側壁を露出させる工程と、酸素ガス、水素ガス、及び希ガスの混合ガス中における希ガスの割合が４０％以上であるその混合ガスを、プラズマ状態とする工程と、露出した絶縁膜１０２の側壁及び露出した電極１０５Ａの側壁を有する基板２００を、プラズマ状態の混合ガスによって酸化処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れかつ高強度である高品質な炭化珪素膜を低温で成長させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも一面が単結晶シリコン膜で形成された基板上に炭化珪素膜を積層してなる半導体基板の製造方法であって、前記炭化珪素膜の形成工程が、炭素源としてネオペンタンガスを用い、シリコン源としてジシランガス又はトリシランガスを用いて、ＣＶＤ法により、前記基板の一面に炭化珪素膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易に光取出効率を向上することができる発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法を用いて、ｎ型導電性基板１上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４を有する発光部６と、ｐ型ＧａＰ電流分散層５と、を積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法であって、ＧａＰ電流分散層５を形成する際に、ＧａＰ電流分散層５の表面側部で成長速度を高めることで、ＧａＰ電流分散層５の表面５ｃに凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、被形成体を保持するのに用いられる治具の耐久性を向上させる。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いてＩＩＩ族窒化物半導体の層を化合物半導体基板の被形成面に形成するＭＯＣＶＤ装置において、化合物半導体基板を保持する基板保持体３０を、ＳｉＣで形成された本体部３１と、Ｓｉ₃Ｎ₄で形成され、本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部３２とで構成し、被形成面が外側を向くように化合物半導体基板を凹部３０ｂに取り付け、基板保持体３０をＭＯＣＶＤ装置の反応容器内に回転可能に取り付け、反応容器内にＩＩＩ族窒化物半導体の原料ガスを供給してＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れた炭化珪素単結晶膜を成長させることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも一面が単結晶シリコン膜で形成された基板上に炭化珪素膜からなる炭化緩衝層と炭化珪素単結晶膜からなるエピタキシャル層とを順次積層してなる半導体基板の製造方法であって、前記炭化緩衝層が、前記基板の一面にネオペンタンガスを供給し、前記基板の一面に露出する単結晶シリコン膜の表面を炭化処理することにより形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に、歩留まりの向上等の目的で形成されたの掘り込み領域が、窒化物半導体薄膜の成長時に埋まってしまうことを抑制することを目的し、さらに、Ａｌ組成の変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成し、該窒化物半導体基板上に、ｎ型窒化物半導体薄膜、活性層およびＡｌを含むｐ型窒化物半導体薄膜を含む窒化物半導体薄膜を形成する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、上記ｐ型窒化物半導体薄膜を７００℃以上９００℃未満の温度で成膜することを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としての、例えばフォトレジスト膜５３からなる有機膜を無機化する無機化ステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってフォトレジスト膜５３をＳｉ酸化膜に改質する酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内での特性分布の変動が低減可能な発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。
【解決手段】第１の面方位に対し傾斜した方向を引き上げ方向として引き上げた単結晶インゴットを前記引き上げ方向に対して略垂直な方向にスライスし切り出された第１の傾斜基板を準備する工程と、前記第１の傾斜基板の主面と略平行な面方位の主面を有する第２の傾斜基板を準備する工程と、前記第２の傾斜基板上に発光層を有する積層体を成長する工程と、前記積層体と前記第１の傾斜基板を重ね合わせ加熱接着後、前記第２の傾斜基板を除去する工程とを備え、前記第１の傾斜基板の面方位は（１００）面から［０１１］方向に傾斜した面及び（−１００）から［０−１−１］方向に傾斜した面のいずれか一方であり、前記第２の傾斜基板の面方位は（１００）面から［０１１］方向に傾斜した面及び（−１００）から［０−１−１］方向に傾斜した面のいずれか他方である。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着プロセスの装置に関する。一の実施例では、蒸着用反応装置蓋アセンブリが提供されており、これは、第１のシャワーヘッドアセンブリとアイソレータアセンブリとが蓋サポートの上に隣り合って配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリと排気アセンブリとが、蓋サポートの上に隣り合って配置されており、アイソレータアセンブリが、第１及び第２のシャワーヘッドアセンブリの間に配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリがアイソレータアセンブリと排気アセンブリとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、ＩｎとＮとを含む量子井戸構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、ＩｎとＮとを含む井戸層１３ａを形成する工程と、Ｎを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層１３ｂを形成する工程と、井戸層１３ａを形成する工程後、バリア層１３ｂを形成する工程前に、Ｎを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、９００℃においてＮ₂およびＮＨ₃から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。また中断する工程では、井戸層１３ａおよびバリア層１３ｂのＮの供給源と異なるガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】金属基板の材料を改良するとともに、エピタキシャル構造および冷熱サイクルアニール熱処理の工程を改良することにより、結晶の品質を向上させ、工程を簡略化し、コストを下げることが可能な化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体エピタキシャルウェハは、金属基板と、金属基板上に形成された第１のシリコンバッファ層と、第１のシリコンバッファ層上に形成された第２の化合物半導体バッファ層と、第２の化合物半導体バッファ層上に形成され、１回目の熱処理工程が行われた第３の化合物半導体バッファ層と、第３の化合物半導体バッファ層上に形成された第１の化合物半導体エピタキシャル層と、第１の化合物半導体エピタキシャル層上に形成され、２回目の熱処理工程が行われた第２の化合物半導体エピタキシャル層とを備える。 （もっと読む）

【課題】近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。
【解決手段】パイロメータによって検出される測定スポットの一部は前記半導体ウェハ上であり、該測定スポットの一部は該半導体ウェハの外側であって前記回転サセプタ上であるように前記パイロメータを方向決めし、前記半導体ウェハの不適正な位置とは、前記回転サセプタのポケット内の偏心位置である方法。 （もっと読む）

複数のウェハ上に薄膜を同時に堆積できるようにするエピタキシャルリアクタを開示する。堆積中、狭い間隔で配置された複数のウェハキャリアプレートを含むウェハスリーブ内に複数のウェハを収容してプロセス容積を最小限に抑える。プロセスガスをウェハスリーブの内部容積に優先的に流入させ、これを１又はそれ以上のランプモジュールによって加熱する。パージガスをリアクタチャンバ内のウェハスリーブの外側に流してチャンバの壁への堆積を最小限に抑える。また、ランプモジュール内の個々のランプの照射のシーケンシングにより、ウェハスリーブ内の堆積速度の変化の直線性をさらに改善することができる。均一性を改善するために、プロセスガス流の方向をクロスフロー構成に変更することができる。複数のリアクタシステム内でランプシーケンシングをクロスフロー処理と組み合わせることにより、膜が良好に均一化した高スループットの堆積及びプロセスガスの効率的使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜後にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する際の前記汚染を防止する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し成膜を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態でクリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜されたゲルマニウムを含む薄膜を除去する工程と、酸化ガスと水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、その後に反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム領域上に、良好な結晶品質の窒化ガリウム系半導体の堆積を可能にする、エピタキシャルウエハを形成する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０７では、ＡｌＮバッファ層１３を成長する。工程Ｓ１０８では、時刻ｔ５において、窒素に加えて、水素、トリメチルアルミニウム及びアンモニアを含む原料ガスＧ１を成長炉１０に供給して、主面１１ａ上にＡｌＮバッファ層１３を成長する。ＡｌＮバッファ層１３はいわゆる低温バッファ層と呼ばれる。バッファ層１３の成膜が開始されて後に、工程Ｓ１０９で、時刻ｔ６において水素（H_２）の供給を開始する。時刻ｔ６では、H_２、N_２、ＴＭＡ及びＮＨ_３が成長炉１０に供給される。時刻ｔ６〜ｔ７の間に水素の供給量を増加して、時刻ｔ７において水素の増加を停止して一定量の水素を供給する。時刻ｔ７では、H_２、ＴＭＡ及びＮＨ_３が成長炉１０に供給される。 （もっと読む）

【課題】本発明は光取り出し面に２つの電極と傾斜側面を有する発光ダイオードにおいて、光の取り出し効率が高く、実装工程の生産性が高い高輝度発光ダイオードを提供する。
【解決手段】組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードである。発光ダイオードの主たる光取り出し面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有する。第２の電極は発光層を挟んで第１の電極とは反対側の化合物半導体層上に形成されている。透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有している発光ダイオードに対し、第３の電極を透明基板裏面に形成する。 （もっと読む）