【課題】異種基板から良質のＧａＮ系半導体層が得られる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物系半導体装置の製造方法は、基板上にＡｌＮ核生成層を成長させる段階と、上記ＡｌＮ核生成層上にＧａＮバッファ層を成長させる段階と、上記基板をアニーリングする段階とを含み、上記ＡｌＮ核生成層はＡｌＮの結晶核の臨界半径より大きくＡｌＮの臨界弾性厚さより薄い厚さを有するように形成され、上記ＧａＮバッファ層はＧａＮの結晶核の臨界半径より大きくＧａＮの臨界弾性厚さより薄い厚さを有するように形成され、上記アニーリング時間はＬ^２/Ｄ_Ｇａ(Ｌ；Ｇａの拡散距離、Ｄ_Ｇａ；上記ＡｌＮ核生成層におけるＧａの拡散係数)より大きい。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の製造において、発光層中のＩｎ偏析に起因する非発光領域の発生を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、発光層の形成は、ＩＩＩ族原料ガスと、第１のアンモニアガスと、第１のキャリアガスとを供給することによりＩｎＧａＮ井戸層を形成する第１の結晶成長工程と、第２のアンモニアガスと、第２のキャリアガスとを供給することにより結晶成長を中断する第１の成長中断工程と、第３のアンモニアガスと、第３のキャリアガスとを供給することにより結晶成長を中断する第２の成長中断工程と、ＩＩＩ族原料ガスと、第４のアンモニアガスと、第４のキャリアガスとを供給することによりＩｎＧａＮを含む障壁層を形成する第２の結晶成長工程とをこの順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、基板上に積層される化合物半導体の層の表面温度を正確に測定する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造方法であって、化合物半導体基板（被形成体：サファイア基板）４０を載置した基板保持体（保持体）３０を反応容器内に設置し、反応容器内に設置した基板保持体（保持体）３０を加熱して、且つ、反応容器内に供給された化合物半導体の原料ガスを反応させて、化合物半導体基板４０の表面に化合物半導体をエピタキシャル成長（化合物半導体層１００）させ、且つ、放射温度計９０ａにより波長領域８μｍ〜１４μｍの赤外光を用いて化合物半導体層１００の表面温度を測定することを特徴とする化合物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】途中でガス排出エレメントを交換またはクリーニングすることなしに、連続するプロセスステップにおいてサセプタに支持される１つ以上の基板の上に汚染のない半導体層を堆積させる。
【解決手段】プロセスガスは、ガス注入エレメント（８）の流路を通ってプロセスチャンバー（１）の中にキャリアガスとともに導入される。キャリアガスは、実質的にサセプタ（２）に並行にプロセスチャンバー（１）を通って流れて、ガス排出エレメント（７）を通って排出される。分解生成物が、少なくとも基板（２１）の表面上と、サセプタ（２）の下流の端（２’）から間隔（Ｄ）でサセプタ（２）の下流に配置されたガス排出エレメント（７）の表面上との領域において被膜を形成するために成長する。間隔（Ｄ）は、ガス排出エレメント（７）の被膜から第２のプロセス温度で蒸発する分解生成物が対向流拡散によって基板（２１）に到達することを防ぐために十分に大きい。 （もっと読む）

【課題】横方向リーク電流の低減と横方向耐圧特性を両立させ、縦方向耐圧を向上させる電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Si基板１上のバッファ３上にIII族窒化物層をエピタキシャル成長させた、チャネル層４ａおよび電子供給層４ｂを有する主積層体４を具え、前記バッファは、Si基板と接する初期成長層５および初期成長層上の超格子多層構造からなる超格子積層体６を有し、初期成長層はAlN材料からなり、前記超格子積層体はB_ａ1Al_b1Ga_c1In_d1N材料からなる第１層６ａおよび第１層とはバンドギャップの異なるＢ_ａ2Ａｌ_ｂ2Ｇａ_ｃ2Ｉｎ_ｄ2Ｎ材料からなる第２層６ｂを積層してなり、前記超格子積層体と、前記主積層体を構成するチャネル層のバッファ側の部分は、Ｃ濃度が1×10¹⁸/cm³以上であり、チャネル層の電子供給層側の部分は、Ｃ濃度が４×１０^１６／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも面内均一性の高いマイクロ波プラズマ処理を行うことができるマイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマによって被処理体であるウエハＷにプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置１００は、ウエハＷを収容するチャンバー１と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生源３９と、マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波をチャンバー１に向けて導く導波手段３７ａ，３７ｂ，３１，２８と、チャンバー１内に、プラズマ処理を行うためのガスを供給するガス供給手段１６と、処理条件を制御する制御部５０とを具備し、制御部５０は、プラズマのモードが周期的に変化するように、処理条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】金属製のゲート電極（メタル電極）のダメージを熱酸化により修復する際の高誘電率ゲート絶縁膜の結晶化を抑制する。
【解決手段】エッチングにより側壁が露出した高誘電率ゲート絶縁膜とメタル電極とを有する基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内で、基板を高誘電率ゲート絶縁膜が結晶化しない温度に加熱した状態で、基板に対してプラズマで励起した水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して酸化処理を施す工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有し、酸化処理を施す工程では、水素含有ガスの活性化時期と酸素含有ガスの活性化時期とが互いに一致するよう、処理室内への水素含有ガスの供給を開始した後、所定時間経過してから処理室内への酸素含有ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で非対称な結晶特性を持っている基板に対して、エピタキシャル薄膜の面内分布を打ち消すことが可能な温度分布を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置１１０は、（ａ）非対称なオフ角度分布を有する基板１１１の主面上にエピタキシャル薄膜を形成する気相成長装置であって、（ｂ）基板１１１のオフ角度分布に合わせて非対称な溝パターンで溝加工が表面に施されており、溝加工が施された表面を基板１１１の主面の裏側に対向するようにして配置される均熱板１１４と、（ｃ）基板１１１の主面を下にした状態で周回部分に基板１１１が配置されて、基板１１１と均熱板１１４とを一緒に周方向に回転させるサセプタ１１２と、（ｄ）均熱板１１４を通して基板１１１を加熱して、基板面内で非対称な温度分布を生み出すヒータ１１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの裏面の定義されたかつ有利な特性を有する半導体ウェハを提供すること
【解決手段】ａ） シリコン棒をウェハに切断することにより半導体ウェハを準備する工程、ｂ） 前記半導体ウェハのエッジを丸めることで、前記半導体ウェハは前面及び裏面が平坦な面とエッジ領域で丸められかつ傾斜する面とを有する工程、ｃ） 前記半導体ウェハの前面及び裏面を研磨し、前記前面の研磨は、研磨パッド中に固定された砥粒を有していない研磨パッドを使用する化学機械的研磨を有し、前記半導体ウェハの裏面の研磨は、それぞれ研磨パッド中に結合された研磨材料を有する研磨パッドを使用してかつ前記半導体ウェハの裏面に研磨圧力を加える３つの工程で行い、第１の工程では、固体を有していない研磨剤を前記研磨パッドと前記半導体ウェハの裏面との間に導入し、第２及び第３の工程では研磨材料を有する研磨剤を導入し、第１の及び第２の工程の８〜１５ｐｓｉの研磨圧力を、第３の工程では０．５〜５ｐｓｉに低下させる工程を有する半導体ウェハの製造方法 （もっと読む）

【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】障壁層１１０を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う（ステップＳ１０６）。パーティクル抑制処理は、原料の供給を停止した後に、窒素ガスの供給を継続することにより行う。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハ上への異物パーティクルの付着を抑制し、それによって表面欠陥の少ない高品質な化合物半導体エピタキシャルウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、化学気相成長法によるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法であって、複数枚の基板１を設置する成長室内において、同心円状に分割された加熱用ゾーンヒータ１１によって基板サセプタの内周側から外周側にかけて温度が高くなるような温度勾配を設け、前記成長室内で加熱された前記基板上にIII族原料、Ｖ族原料、ドーパント原料および希釈用ガスを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】膜質の向上や膜質の均一化を可能とし、さらに、基板の大面積化にも対応可能なプラズマ製膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０Ａは、水素ガス流路３０が形成された中空箱形の正電極３１と、内部空間にプラズマ生成領域を形成するとともに正電極３１を収納設置して基板３と対向配置された中空箱形の負電極３２と、負電極３２の外部に形成されて原料ガスを基板３上に供給するガス出口３３ａを備えている原料ガス流路３３と、正電極３１の面に設けた水素ガスのガス出口３１ａと、負電極３２の面に設けた水素ラジカルの出口開口３２ａとを具備し、正電極３１内に導入した水素ガスに高周波電界を印加して水素ガスがプラズマ状態に励起された水素ラジカルを生成し、原料ガスと出口開口３２ａから供給される水素ラジカルとを負電極３２外のプラズマのない空間で反応させて基板３上に製膜する。 （もっと読む）

【課題】弾性シール部材を透過して処理容器内に侵入する酸素や水素成分を減らすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理容器２０３と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内を排気する排気部と、前記処理容器内でプラズマを生成させるプラズマ生成部と、を有し、前記処理容器は複数の部材で構成されると共に、前記各部材間は弾性シール部材３０２で密閉されており、前記処理容器の外部には、前記弾性シール部材による密閉部の外周側を不活性ガス２７６雰囲気に保つ不活性ガス雰囲気形成部２７５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】導電性SiC単結晶基板上のIII族窒化物電子デバイスにおいて、縦方向耐圧を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電性SiC単結晶基板２と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファ３と、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体４とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、B_a1Al_b1Ga_c1In_d1N(0≦a₁≦1,0＜b₁≦1,0≦c₁≦1,0≦d₁≦1,a₁+b₁+c₁+d₁=1)材料からなり、初期成長層５と、バンドギャップの異なる２層を交互に積層した超格子多層構造からなる。超格子積層体６、または、前記主積層体の前記バッファ側の部分の少なくとも一方は、Ｃ濃度が１×10¹⁸/cm³以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ボロン濃度に基づく比抵抗が２ｍΩ・ｃｍ以上２００ｍΩ・ｃｍ以下であり、初期酸素濃度が７×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上２．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１ａと、シリコン基板１１の内部に酸素を析出させる工程Ｓ１２ａと、シリコン基板１１に膜厚が１０μｍ以下のエピタキシャル膜１２を形成する工程Ｓ１４ａとを備える。これにより、デバイス後工程でシリコン基板１１の裏面を研削することによってチップを薄型化し、さらに裏面研磨を施したとしても、デバイス後工程で導入されうる重金属汚染に対して十分なゲッタリング能力を発揮することができる。 （もっと読む）

【課題】微細孔内にヘテロ構造を形成することができるヘテロ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にナノサイズの金属微粒子を形成し、次いで、該金属微粒子上に第一の物質をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造を形成し、引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板１上に第二の物質４を充填した後、前記第一の物質と前記第二の物質４の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔４ａを形成し、微細孔４ａ内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶（７、８、９）を成長させる。 （もっと読む）

【課題】メタルゲート電極の酸化を抑制しつつ、ＭＯＳＦＥＴの寄生容量の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、前記半導体基板上に形成されたシリコンと酸素とを含む第１絶縁膜１２ａと、前記第１絶縁膜上に形成された前記第１絶縁膜よりも誘電率が高く、高融点金属と酸素とを主成分とする第２絶縁膜１２ｂと、で構成されるゲート絶縁膜１２と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属層１３を含むゲート電極１５と、前記ゲート電極の前記金属層の側面、および前記ゲート絶縁膜の前記第２絶縁膜の側面に形成されたシリコンと窒素を含む第１側壁絶縁膜１６と、前記第１側壁絶縁膜の側面、および前記第１絶縁膜の前記第１絶縁膜の側面に形成されたシリコンと酸素とを含む第２側壁絶縁膜１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内の輝度ムラを低減することができ、しかも順方向電圧の上昇を抑制することが可能なＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】加熱されたｎ型基板１上に、必要とするIII族原料ガス、Ｖ族原料ガス、キ
ャリアガス、ドーパント原料ガスを供給して、ｎ型基板１上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３，活性層４，ｐ型クラッド層５を有する発光部７と、ｐ型ＧａＰ電流分散層６とを成長させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法であって、ｐ型クラッド層５の成長後、成長温度を、ｐ型クラッド層５の成長温度より昇温しつつ、供給ガス中のＧａ原料ガスの供給量を次第に増加させながら下部ｐ型ＧａＰ電流分散層６ａを成長する。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）