発光素子の製造方法および発光素子
【課題】発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、InとNとを含む井戸層13aを形成する工程と、Nを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層13bを形成する工程と、井戸層13aを形成する工程後、バリア層13bを形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。また中断する工程では、井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源と異なるガスを供給する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、InとNとを含む井戸層13aを形成する工程と、Nを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層13bを形成する工程と、井戸層13aを形成する工程後、バリア層13bを形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。また中断する工程では、井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源と異なるガスを供給する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子の製造方法および発光素子に関し、より特定的には、In(インジウム)とN(窒素)とを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子の製造方法および発光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、GaN(窒化ガリウム)、AlN(窒化アルミニウム)、InN(窒化インジウム)とその3元混晶Al(1-x)GaxN(0<x<1)(以下AlGaNとも記す)、In(1-x)GaxN(0<x<1)(以下InGaNとも記す)、In(1-x)AlxN(0<x<1)(以下AlInNとも記す)や4元混晶In(1-x-y)AlxGayN(0<x<1、0<y<1、x+y<1)(以下InAlGaNと記す)で構成されるIII−V族化合物半導体は、緑色、青色、白色発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)、青紫色レーザー(Laser Diode:LD)などに用いられている。
【0003】
このような発光素子として、Inを含有するGaN系化合物半導体からなる井戸層と、GaN系化合物半導体からなる障壁層(バリア層)とを有する発光層を備えたGaN系化合物半導体発光素子の製造方法が、特開2007−324546号公報(特許文献1)に開示されている。この特許文献1には、以下の内容が開示されている。
【0004】
具体的には、井戸層に含まれるInの組成が大きくなるに伴って、発光する波長が長くなり、たとえば490nm以上の緑色発光波長が得られる。井戸層に含まれるInの組成を大きくするためには、成長温度を低くする必要がある。さらに、バリア層は井戸層よりも高温で成長させる必要がある。このため、発光層を形成する際に、井戸層を成長させる温度T1と、バリア層を形成する温度T2とについて、T1≦T2の関係を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2007−324546号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、特許文献1のGaN系化合物半導体発光素子の製造方法において、発光層を形成する工程について、以下の問題があることを本発明者は見い出した。図7〜図11は、上記特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。図7に示すように、バリア層113b上に成長温度T1で井戸層113aを形成すると、井戸層113aの表面は平坦である。しかし、バリア層113bを形成するために成長温度T2に昇温すると、図8に示すように、井戸層113aの表面に凹凸が生じ、Inの組成が低下する。その結果、図9に示すように、表面に凹凸が形成された井戸層113a上にバリア層113bが形成される。その後、成長温度T1まで降温して、図10に示すように、井戸層113aを形成する。しかし、バリア層113bを形成するために成長温度T2に昇温すると、図11に示すように、井戸層113aの表面に凹凸が生じ、Inの組成が低下する。
【0007】
このように、上記特許文献1のGaN系化合物半導体発光素子の製造方法においても、井戸層113aを形成する温度T2からバリア層113bを形成する温度T1に降温する際に、井戸層113aのInの組成が低下する。井戸層113aのInの組成が低下すると、長波長の発光素子が得られないという問題がある。また井戸層113aの表面に凹凸が形成されると、発光特性が低下するという問題がある。
【0008】
そこで、本発明の目的は、発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子の製造方法および発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者は、上記特許文献1のGaN系化合物半導体発光素子の製造方法では、井戸層113aの表面に凹凸が生じ、Inの組成が低下する要因を鋭意研究の結果見い出した。すなわち、井戸層113aを形成した後にバリア層113bを形成するための昇温の工程の時間が長い、または、バリア層113bが成長するまで保持される温度が高いため、井戸層113aの分解が生じることを見い出した。
【0010】
そこで、本発明者は、Inを含むIII−V族化合物半導体ではInはNとの結合が弱いため低温で熱分解してInが蒸発することに着目して、中断する工程の雰囲気について鋭意研究した。その結果、下記の本発明を見い出した。
【0011】
すなわち、本発明の一の局面における発光素子の製造方法は、InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、InとNとを含む井戸層を形成する工程と、Nを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層を形成する工程と、井戸層を形成する工程後、バリア層を形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、900℃においてN2(窒素)およびNH3(アンモニア)から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。
【0012】
本発明の一の局面における発光素子の製造方法によれば、中断する工程時に、活性窒素へ分解する分解効率の高いガスを供給している。このため、活性窒素を含む雰囲気でエピタキシャル成長を中断している。これにより、井戸層を構成するInとNとが分離することを抑制することができる。さらに、井戸層を構成するInとNとが分離した場合であっても、雰囲気中の活性窒素により井戸層にNが取り込まれる。このため、中断する工程時に、井戸層を構成するNが抜けることを抑制できる。したがって、井戸層を形成した後、バリア層を形成するまでの間に、井戸層の表面に凹凸が形成されることを抑制でき、かつInの組成が低下することを抑制することができる。よって、発光特性を向上した長波長の発光素子を製造することができる。
【0013】
本発明の他の局面における発光素子の製造方法は、InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、InとNとを含む井戸層を形成する工程と、Nを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層を形成する工程と、井戸層を形成する工程後、バリア層を形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、井戸層およびバリア層のNの供給源と異なるガスを供給する。
【0014】
本発明の他の局面における発光素子の製造方法によれば、中断する工程時に、井戸層およびバリア層のNの供給源と異なるガスを供給している。井戸層を形成する工程およびバリア層を形成する工程の雰囲気と、中断する工程の雰囲気とは、原料を流さない等の理由から異なっている。このため、井戸層およびバリア層のNの供給源と異なるガスを中断する工程で供給することにより、井戸層を構成するInとNとが分離することを抑制することができるとともに、井戸層を構成するInとNとが分離した場合にNを補うことができる。このため、中断する工程時に、井戸層を構成するNが抜けることを抑制できる。したがって、井戸層を形成した後、バリア層を形成するまでの間に、井戸層の表面の凹凸が形成されることを抑制でき、かつInの組成が低下することを抑制することができる。よって、発光特性を向上した長波長の発光素子を製造することができる。
【0015】
特に、中断する工程において、井戸層およびバリア層のNの供給源と、Nの供給源と異なるガスとの両方を供給することが好ましい。この場合には、活性窒素への分解しやすい条件等が変化した場合であっても、いずれかが活性窒素へ分解する確率が高くなる。このため、井戸層を構成するNが抜けることをより抑制することができる。
【0016】
上記一および他の局面における発光素子の製造方法において好ましくは、中断する工程では、モノメチルアミン(CH5N)およびモノエチルアミン(C2H7N)の少なくともいずれか一方を含むガスを供給する。
【0017】
本発明者は鋭意研究の結果、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンは、低温でも効率よく成長に寄与する活性窒素を供給できることを見い出した。このため、中断する工程において、活性窒素をより多く含む雰囲気を形成できるので、井戸層を構成するNが抜けることを効果的に抑制することができる。よって、発光特性をより向上した長波長の発光素子を製造することができる。
【0018】
上記一および他の局面における発光素子の製造方法において好ましくは、中断する工程では、アンモニア(NH3)と、NH3に対して100分の1以下の濃度のモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方とを含むガスを供給する。
【0019】
これにより、低温でも効率よく成長に寄与するモノメチルアミンおよびモノエチルアミンにより、活性窒素をより多く含む雰囲気を形成できる。さらに、バリア層および井戸層のN源としてNH3を用いた場合には、中断する工程時にNH3の供給を停止し、バリア層を形成する工程でNH3の供給を再開するといった工程を省略できる。このため、発光特性をより向上した長波長の発光素子を、製造工程を簡略化して製造することができる。
【0020】
本発明の一の局面における発光素子は、上記発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、450nm以上の発光波長を有することを特徴としている。
【0021】
本発明の一の局面における発光素子によれば、上記発光素子の製造方法により製造されるので、Inの組成が高い井戸層を有する発光層を備えた発光素子を製造することができる。このため、450nm以上の長波長の発光素子を実現することができる。
【0022】
本発明の他の局面における発光素子は、上記発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、井戸層は、1nm以上10nm以下の厚みを有することを特徴としている。
【0023】
本発明の他の局面における発光素子によれば、上記発光素子の製造方法により製造しているので、井戸層の表面からNが抜けることを抑制できる。このため、1nm以上10nm以下の従来できなかった大きな厚みの井戸層を有する発光素子を実現することができる。
【0024】
本発明のさらに他の局面における発光素子は、上記発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、10A/cm2以上通電したときの半値全幅をy(nm)、発光波長をx(nm)としたときに、0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たしている。
【0025】
本発明のさらに他の局面における発光素子によれば、上記発光素子の製造方法により製造している。井戸層の表面からNが抜けることを抑制できるため、半値全幅を小さくできる。井戸層のInの組成を高めることができるので、波長を長くすることができる。これにより、0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たすような小さい半値全幅と長波長とを兼ね備えた発光素子を実現することができる。
【発明の効果】
【0026】
本発明の発光素子の製造方法および発光素子によれば、発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】本発明の実施の形態1におけるLEDを概略的に示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1におけるLEDの製造方法を示すフローチャートである。
【図3】本発明の実施の形態1における活性層を形成するステップを説明するための模式図である。
【図4】本発明の実施の形態2におけるLDを概略的に示す断面図である。
【図5】実施例1における角度位置と回折強度との関係を示す図である。
【図6】実施例1におけるPL波長とPL強度との関係を示す図である。
【図7】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図8】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図9】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図10】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図11】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図12】実施例3における半値全幅と発光波長との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。
【0029】
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における発光素子の一例であるLEDを概略的に示す断面図である。図1を参照して、本実施の形態におけるLEDを説明する。本実施の形態におけるLED10は、基板11と、n型バッファ層12と、活性層13と、p型電子ブロック層14と、p型コンタクト層15と、p型電極16と、n型電極17とを備えている。
【0030】
基板11は、たとえばn型GaN基板である。n型バッファ層12は、基板11上に形成された第1の層12aと、第1の層12a上に形成された第2の層12bと、第2の層12b上に形成された第3の層12cとを含んでいる。第1の層12aは、たとえば50nmの厚みを有し、n型AlGaNからなっている。第2の層12bは、たとえば2000nmの厚みを有し、n型GaNからなっている。第3の層12cは、たとえば50nmの厚みを有し、n型GaNよりなっている。
【0031】
活性層13は、n型バッファ層12上に形成され、InとNとを含む井戸層13aと、Nを含み、かつ井戸層13aよりもバンドギャップが大きいバリア層13bとが積層された量子井戸構造を有している。本実施の形態では、活性層13の最下層(n型バッファ層12と接する層)および最上層(p型電子ブロック層14と接する層)にはバリア層13bが形成されている。活性層13は、最下層および最上層のバリア層13b内に、井戸層13aとバリア層13bとが交互に積層されている多重量子井戸(MQW:Multiple-Quantum Well)構造である。
【0032】
井戸層13aは、たとえば3nmの厚みを有し、InGaNよりなっている。井戸層13aの厚みは、1nm以上10nm以下であることが好ましい。井戸層13aの厚みが1nm以上の場合、波長450nm以上の発光を容易に得ることができる。井戸層13aの厚みが10nm以下の場合、発光効率が高くて結晶品質の良好な井戸層を容易に成長することができる。バリア層13bは、たとえば15nmの厚みを有し、GaNよりなっている。
【0033】
p型電子ブロック層14は、活性層13上に形成され、たとえば20nmの厚みを有し、p型AlGaNからなっている。
【0034】
p型コンタクト層15は、p型電子ブロック層14上に形成され、たとえば50nmの厚みを有し、p型GaNからなっている。
【0035】
p型電極16は、p型コンタクト層15上に形成され、透過率が高いという特長を有する。p型電極16は、たとえばニッケル(Ni)および金(Au)で構成される場合や、ITO(酸化インジウムスズ)などからなる場合がある。n型電極17は、基板11のn型バッファ層12を形成した面と反対の面側上に形成され、たとえばチタン(Ti)およびAlなどよりなっている。
【0036】
LED10は、450nm以上、好ましくは500nm以上の発光波長を有している。波長が450nm以上の場合、InGaN井戸層からのIn組成低下が生じる場合があり、本発明を適用する意義が大きい。波長が500nm以上の場合、InGaN井戸層からのIn組成低下が容易に生じるため、本発明を適用する意義が非常に大きい。なお、LED10の波長の上限は、製造上の理由からたとえば600nmである。
【0037】
またLED10は、10A/cm2以上通電したときの半値全幅をy(nm)、発光波長をx(nm)としたときに、0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たしている。0.2333x−90<yの場合、ほぼ理想的な結晶での半値全幅である。y<0.4284x−174の場合、本発明の適用でIn組成低下が抑制され、均一な井戸層が形成されている。
【0038】
なお、上記発光波長は、たとえば10A/cm2の電流密度で通電したときの発光スペクトルを測定し、発光強度が最大(ピーク強度)となるピーク波長である。また上記半値全幅は、ピーク強度の半分の値を与える2つの波長の差である。
【0039】
図2は、本実施の形態におけるLED10の製造方法を示すフローチャートである。続いて、図1および図2を参照して、本実施の形態におけるLED10の製造方法を説明する。
【0040】
まず、基板11を準備する(ステップS1)。本実施の形態では、基板11として、たとえばn型GaN基板を準備する。
【0041】
次に、基板11上にn型バッファ層12を形成する。このステップでは、たとえばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学気相堆積)法により、上述した第1の層12a、第2の層12bおよび第3の層12cをこの順に形成する。
【0042】
次に、n型バッファ層12上に、活性層13を形成する(ステップS2〜S6)。図3は、本実施の形態における活性層13を形成するステップを説明するための模式図である。図1〜図3を参照して、本実施の形態における活性層13を形成するステップについて、以下説明する。
【0043】
まず、図1〜図3に示すように、n型バッファ層12上に、Nを含むバリア層13bを形成する(ステップS2)。このステップS2では、たとえばMOCVD法によりGaNを成長する。またステップS2では、結晶性や光学特性の優れた層を成長するため、たとえば880℃の高温でバリア層13bを成長する。バリア層13bのN源として、たとえばアンモニアを用いる。
【0044】
その後、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する(ステップS3)。このステップS3では、原料の供給をストップして、井戸層13aを成長させる温度まで降温する。このステップS2では、キャリアガスのみを流してもよく、全てのガスを流さなくてもよく、キャリアガスとともに、あるいはキャリアガスに代えて他のガスを流してもよい。
【0045】
次いで、InとNとを含む井戸層13aを形成する(ステップS4)。このステップS4では、たとえばMOCVD法によりInGaNを成長する。またステップS4では、井戸層13aを構成するInは低温で成長表面から脱離しやすいので、バリア層13bを形成するステップS2よりも低温(たとえば790℃)で、井戸層13aを形成する。なお、井戸層13aを形成するステップS4は、バリア層13bを形成するステップS2よりも成長温度が低いので、成長速度も小さい。井戸層13aのN源として、たとえばアンモニアを用いる。
【0046】
その後、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する(ステップS5)。このステップS5では、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。これにより、井戸層13aの保護効果を強くすることができ、井戸層13aを構成するInとNとの分解を抑制できる。
【0047】
ここで、活性窒素とは、たとえばダングリングボンドを有するNを意味する。ダングリングボンドを有するNは、他の元素と容易に反応するので、InとNとの結合の解離を抑制でき、あるいは、井戸層13a表面でNと分離したInと結合が可能である。分解効率とは、たとえば活性窒素への解離反応定数、結合エネルギーなどにより判断できる。InとNとは900℃以上で特に分解が進むので、900℃での活性窒素への分解効率が高いガスを用いる。
【0048】
分解効率の指標の一例である活性窒素への結合エネルギーを下記の表1に示す。表1において、エネルギーの小さな結合を有するガスが、分解効率が高いガスである。
【0049】
【表1】
【0050】
なお、上記表1に示すように、窒素およびアンモニアの結合エネルギーに比べてモノメチルアミン、ジメチルアミンおよびトリエチルアミンの結合エネルギーは小さい。また、ヒドラジン、ジメチルヒドラジンおよびジエチルヒドラジン(ヒドラジン系原料)の結合エネルギーはさらに小さいが、反応性が高すぎる。このため、ヒドラジン系原料は、有機金属原料と気相反応して、成長速度が低下するという問題を有する。また、ヒドラジン系原料は、アンモニアおよび窒素と比較して、毒性が極めて強いため、安全性維持のための設備費がかかるため、生産には向かない。このため、分解効率が高いガスとしては、モノメチルアミン、ジメチルアミンおよびトリエチルアミンを用いることが好ましい。
【0051】
特に、このステップS5では、分解効率の高いガスとして、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスを供給することが好ましい。モノメチルアミンおよびモノエチルアミンは、気相中で、NとC(炭素)との結合を1つ切断するために要するエネルギーで、ダングリングボンドを有するNH2を生成することができる。ダングリングボンドを有するNH2に気相中で分解するために要するエネルギーが小さいので、活性窒素を供給するために必要な熱量が小さい。このため、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンは、活性窒素を低温で供給することができる。
【0052】
また、アンモニアと、アンモニアに対して100分の1以下の濃度のモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方とを含むガスを供給することが好ましい。井戸層13aおよびバリア層13bのN源としてアンモニアを用いた場合には、Nの原料としてのアンモニアの供給を停止せずに活性窒素を含む雰囲気にすることができる。
【0053】
また、中断するステップS5では、井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源と異なるガスを供給する。本実施の形態では、井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源がアンモニアであり、中断するステップS5では、アンモニアと、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくとも一方とを含むガスとを供給している。この場合、中断するステップS5において、活性窒素への分解しやすい条件等が変化した場合であっても、アンモニアと、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくとも一方とを含むガス中のいずれかが活性窒素へ分解する確率が高くなり、井戸層13aを構成するNが抜けることを抑制することができる。
【0054】
またステップS5は、1秒以上かけて行なうことが好ましい。この場合、昇温を容易に行なうことができるので、製造が容易である。
【0055】
このステップS5では、活性窒素を含む雰囲気でエピタキシャル成長を中断して昇温するので、井戸層13aの表面からNおよびInが抜けることを抑制できる。このため、井戸層13aの表面を平坦にできる。また、井戸層13aのInの組成を高く維持できる。Inの組成は20%〜30%であることが好ましい。この組成では緑色の発光が得られる。
【0056】
このように、バリア層13bを形成し(ステップS2)、降温するためにエピタキシャル成長を中断し(ステップS3)、井戸層13aを形成し(ステップS4)、昇温するためにエピタキシャル成長を中断する(ステップS5)ことにより、1組のバリア層13bと井戸層13aを形成することができる。
【0057】
同様に、バリア層13bを形成し(ステップS2)、降温するためにエピタキシャル成長を中断し(ステップS3)、井戸層13aを形成し(ステップS4)、昇温するためにエピタキシャル成長を中断する(ステップS5)ことにより、複数組のバリア層13bと井戸層13aとを形成していく。
【0058】
これにより、図1に示すInとNとを含む井戸層13aと、Nを含み、かつ井戸層13aよりもバンドギャップが大きいバリア層13bとを含む活性層13を形成することができる。なお、本実施の形態では、活性層13の最上層に位置するようにバリア層13bを形成している(ステップS6)。
【0059】
次に、図1に示すように、活性層13上に、p型電子ブロック層14を形成する。このステップでは、たとえばMOCVD法によりp型AlGaNを成長する。
【0060】
次に、p型電子ブロック層14上に、p型コンタクト層15を形成する。このステップでは、たとえばMOCVD法によりp型GaNを成長する。
【0061】
次に、p型コンタクト層15上に、透過率の高いp型電極16を形成する。このステップでは、たとえばNi、Au、ITOなどが積層された電極を蒸着法により形成する。
【0062】
次に、基板11のn型バッファ層12を形成した面と反対の面側にn型電極17を形成する。このステップでは、たとえばTiおよびAlなどが積層された電極を蒸着法により形成する。
【0063】
なお、n型またはp型のIII−V族化合物半導体を成長させる際には、所望のn型またはp型のキャリア濃度となるような条件で、n型不純物を含む原料またはp型不純物を含む原料を、III族元素の原料である有機金属およびV族原料とともに用いる。有機金属はたとえばTMG(トリメチルガリウム)、TMI(トリメチルインジウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)などを、n型不純物はたとえばシランなどを、p型不純物はたとえばビスシクロペンタジエニルマグネシウムなどを、キャリアガスはたとえば窒素、水素などを用いることができる。
【0064】
上記ステップを実施することにより、図1に示すLED10を製造することができる。
なお、本実施の形態では、MOCVD法によりIII−V族化合物半導体を成長したが、特にこれに限定されず、たとえばHVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy:ハイドライド気相成長)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシ)法などの気相成長法を採用することができる。またこれらの気相成長法を複数組み合わせてもよい。
【0065】
また、井戸層13aを形成するステップS4後、バリア層13bを形成するステップS2、S6前に、エピタキシャル成長を中断するステップS5では、昇温をしなくてもよい。言い換えると、中断するステップS5では、一定の温度を保持してもよい。この場合でも、井戸層13aを形成するための原料から、バリア層13bを形成するための原料への切り替えを行なう間に、エピタキシャル成長を中断する。中断中の温度が低温であっても、InとNとの結合が弱いため、InとNとの分離は起こる。このため、エピタキシャル成長を中断するステップS5では、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する、および、井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源と異なるガスを供給することの少なくともいずれかを行なう。
【0066】
また、バリア層13bを形成するステップS2後、井戸層13aを形成するステップS4前に、エピタキシャル成長を中断するステップS3は省略されてもよい。
【0067】
また、本実施の形態では、井戸層がInGaNで、バリア層がInGaNであるLED10を例に挙げて説明したが、InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子であれば特にこれに限定されない。たとえば、井戸層がInxGa(1-x)As(1-y)Ny(0<x<1、0<y<1)で、バリア層がGaAsである発光素子にも本発明は適用できる。
【0068】
以上説明したように、本実施の形態におけるLED10の製造方法によれば、中断するステップS5時に、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給している。キャリアガスとして一般的に用いられるN2やV族原料として用いられるNH3は比較的安定であるので、活性層13を形成する温度である900℃以下で活性窒素への分解が促進されない。本実施の形態では、中断するステップS5で窒素およびアンモニアよりも分解効率が高いガスを供給しているので、活性窒素を多く含む雰囲気でエピタキシャル成長を中断することができる。これにより、井戸層13aを構成するInとNとが分離する反応を抑制することができる。さらに、井戸層13aを構成するInとNとが分離した場合であっても雰囲気中の活性窒素により井戸層13aにNが取り込まれる。このため、中断するステップS5で、井戸層13aを構成するNが抜けることを抑制でき、Nが抜けることによるInの抜けも抑制できる。したがって、井戸層13aを形成した後に、バリア層13bを形成するまでの間に、井戸層13aの表面の凹凸が形成されることを抑制できるので、発光特性を向上することができる。また井戸層13aの表面からNが脱離することを抑制でき、Inの凝集を抑制できるので、Inの一部が金属Inとして凝集することを抑制できる。このため、黒色化による非発光領域を低減することができるので、発光効率の低下を抑制できる。さらにInの組成が低下することを抑制することができる。したがって、たとえばInの組成が20%〜30%のInGaNを含む井戸層13aを含む活性層13を形成できるので、長波長の緑色LED10を製造することができる。
【0069】
また、中断するステップS5時に、井戸層13aから分解されたInが雰囲気に含まれている場合には、雰囲気中で活性窒素がInを捕獲することができる。このため、井戸層13a形成後、バリア層13bを形成するステップS2、S6において、予定していないInが取り込まれることを抑制できる。
【0070】
さらに、中断するステップS5では、井戸層13a中に発光に寄与する量子サイズオーダのInGaNのドットを均一性を向上して形成することができる。このため、ドット化による量子効果を促進することができるとともに、各ドット間での発光波長のバラツキを抑制することができる。このため、発光波長の半値全幅を小さくでき、発光特性を向上できるLED10を実現できる。
【0071】
本実施の形態におけるLED10の製造方法において、中断するステップS5では昇温することが好ましい。これにより、高温でバリア層13bを形成することもできる。このため、バリア層13bの結晶性および光学特性を向上することもできる。
【0072】
(実施の形態2)
図4は、本発明の実施の形態2における発光デバイスの一例であるLDを概略的に示す断面図である。図4を参照して、本実施の形態におけるLDを説明する。具体的には、図4に示すように、本実施例におけるLD20は、基板21と、n型クラッド層22と、ガイド層23と、活性層13と、ガイド層24と、p型電子ブロック層25と、p型クラッド層26と、p型コンタクト層27と、p型電極28と、n型電極29と、絶縁膜31とを備えている。
【0073】
基板21は、たとえばn型GaN基板である。n型クラッド層22は、基板21上に形成され、たとえば2.3μmの厚みを有し、n型AlGaNからなっている。
【0074】
ガイド層23は、n型クラッド層22上に形成された第1の層23aと、第1の層23a上に形成された第2の層23bとを含んでいる。第1の層23aは、たとえば200nmの厚みを有し、n型GaNよりなっている。第2の層23bは、たとえば50nmの厚みを有し、アンドープInGaNよりなっている。
【0075】
活性層13は、ガイド層23上に形成されている。活性層13は、実施の形態1と同様であるので、その説明は繰り返さない。
【0076】
ガイド層24は、活性層13上に形成された第1の層24aと、第1の層24a上に形成された第2の層24aとを含んでいる。第1の層24aは、たとえば50nmの厚みを有し、アンドープInGaNよりなっている。第2の層24bは、たとえば200nmの厚みを有し、アンドープGaNよりなっている。
【0077】
p型電子ブロック層25は、ガイド層24上に形成され、たとえば20nmの厚みを有し、p型AlGaNからなっている。
【0078】
p型クラッド層26は、p型電子ブロック層25上に形成され、たとえば0.4μmの厚みを有し、p型AlGaNからなっている。
【0079】
p型コンタクト層27は、p型クラッド層26上に形成され、たとえば10nmの厚みを有し、p型GaNからなっている。
【0080】
p型電極28とp型コンタクト層27との接触部以外は、ドライエッチングによりメサ構造が形成されている。接触部以外に絶縁膜31としてたとえばSiO2が蒸着法により形成されている。p型電極28は、p型コンタクト層27上に形成され、たとえばNiおよびAuなどからなっている。n型電極29は、基板21のn型クラッド層22を形成した面と反対の面側上に形成され、たとえばTiおよびAlなどよりなっている。
【0081】
続いて、図4を参照して、本実施の形態におけるLD20の製造方法を説明する。まず、実施の形態1と同様に、基板21を準備する(ステップS1)。
【0082】
次に、基板21上に、たとえばMOCVD法により、n型クラッド層22、活性層13、ガイド層24、p型電子ブロック層25、p型クラッド層26およびp型コンタクト層27をこの順に形成する。なお、活性層13を形成するステップS2〜S6は、実施の形態1と同様であるので、その説明は繰り返さない。また、III族原料である有機金属、V族原料、n型およびp型不純物、キャリアガスなどは、実施の形態1と同様の材料を用いることができる。
【0083】
次に、p型電極28とp型コンタクト層27の接触部以外の領域を、たとえばCl2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、幅2μm、深さ0.4μmのメサ構造を形成する。p型電子ブロック層25が表面に露出した後、接触部以外に絶縁膜31としてたとえばSiO2を蒸着法により形成する。
【0084】
次に、p型コンタクト層27上に、p型電極28を形成し、基板11のn型クラッド層22を形成した面と反対の面側にn型電極29を形成する。
【0085】
上記ステップを実施することにより、図4に示すLD20を製造することができる。LD20は、実施の形態1と同様の活性層13を備えているので、発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現するLD20を実現できる。
【実施例1】
【0086】
本実施例では、井戸層13aを形成するステップS4後、バリア層13bを形成するステップS2、S6前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断するステップS5において、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給することの効果について調べた。また、中断するステップS5において井戸層113aおよびバリア層113bのNの供給源と異なるガスを供給することの効果について調べた。
【0087】
(本発明例1)
本発明例1では、実施の形態1におけるLEDの製造方法にしたがって、MOCVD法によりエピタキシャルウエハおよびLED10を製造した。
【0088】
具体的には、まず、III族原料としてTMG、TMIおよびTMAを、V族原料としてアンモニアを、n型不純物としてSiH4(モノシラン)を、中断するステップS5に供給するガスとしてモノメチルアミンを準備した。
【0089】
基板11として、主面が(0001)面のGaN基板を準備した(ステップS1)。この基板11をMOCVD装置内のサセプタ上に配置した。その後、MOCVD装置内の圧力を101kPaに制御しながら、MOCVD装置内にアンモニアと水素とを導入し、1050℃で10分間クリーニングを行なった。
【0090】
次に、TMG、TMA、アンモニア、シランを導入して、1050℃で、基板11上に、第1の層12aとして、50nmの厚みを有するn型Al0.08Ga0.92Nを形成した。その後、第2の層12bとして、2000nmの厚みを有するn型GaN層を形成した。その後、第3の層12cとして、800℃まで降温して、50nmの厚みを有するn型In0.06Ga0.94N層を形成した。成長速度はそれぞれ、第1の層12aで0.4μm/h、第2の層12bで4μm/h、第3層12cで0.15μm/hであった。
【0091】
次に、n型バッファ層12上に、活性層13を形成した(ステップS2〜S6)。具体的には、図3に示すような温度プロファイルと成長速度プロファイルを有するように、成長した。以下、活性層13の形成方法を説明する。
【0092】
まず、n型バッファ層12上に、15nmの厚みを有し、GaNよりなるバリア層13bを形成した(ステップS2)。このステップS2では、成長温度は880℃であり、成長速度は0.4μm/hであり、アンモニアの流量は29.6slmであった。
【0093】
次いで、エピタキシャル成長を中断した(ステップS3)。このステップS3では、4分間で880℃から790℃まで降温した。このとき、29.6slmの流量でアンモニアを供給した。
【0094】
その後、バリア層13b上に、3nmの厚みを有し、Inの組成比が約20%のInGaNよりなる井戸層13aを形成した(ステップS4)。このステップS4では、成長温度は790℃であり、成長速度は0.15μm/hであり、アンモニアの流量は29.6slmであった。
【0095】
次いで、エピタキシャル成長を中断した(ステップS5)。このステップS5では、3分間で790℃から880℃まで昇温した。このとき、29.6slmの流量のアンモニアと、3sccmの流量のモノメチルアミンとを供給した。モノメチルアミンは、MOCVD装置内に供給される前に、アンモニアと合流させて、サセプタ上に供給した。なお、モノメチルアミンは、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有している。
【0096】
その後、上記ステップS2〜S5を3回繰り返した。これにより、三重量子井戸構造を形成した。さらに、10nmの厚みを有し、GaNよりなるバリア層13bを形成した(ステップS6)。このステップS6では、成長温度は880℃であり、成長速度は0.4μm/hであった。これにより、活性層13の最上層位置するバリア層13bを形成した。以上より、活性層13を形成した。
【0097】
次に、基板11の温度を1000℃まで昇温して、活性層13上に、p型電子ブロック層14として20nmの厚みを有するp型Al0.08Ga0.92Nを形成した。
【0098】
引き続き、p型電子ブロック層14上に、p型コンタクト層15として50nmの厚みを有するp型GaNを形成した。
【0099】
その後、MOCVD装置内を降温して、III−V族半導体のエピタキシャルウエハをMOCVD装置から取り出した。以上のステップにより、本発明例1のエピタキシャルウエハを製造した。
【0100】
次に、p型コンタクト層15上に、p型電極16としてNiおよびAuが積層された半透明電極を蒸着法により形成した。次に、基板11のn型バッファ層12を形成した面と反対の面側に、n型電極17としてTiおよびAlなどが積層された電極を蒸着法により形成した。
【0101】
また、エピタキシャルウエハにメサ構造に形成した。具体的には、メサのパターン形成にはフォトリソグラフィ法を用い、メサの形成には反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)法を用いた。
【0102】
以上のステップにより、400μm×400μmの大きさの本発明例1のLED10を製造した。
【0103】
(比較例1)
比較例1は、基本的には本発明例1と同様にエピタキシャルウエハおよびLEDを製造したが、中断するステップS5において、モノメチルアミンを供給せずに、アンモニアのみを供給した点においてのみ異なっていた。
【0104】
(評価結果)
本発明例1および比較例1のエピタキシャルウエハについて、X線回折により、井戸層のInの組成を調べた。X線源がCuKα1で、入射スリットサイズを0.2mm×2.0mmとした。また、(0002)面の回折をω−2θ法により測定した。その結果を図5に示す。なお、図5は、本実施例における角度位置(ω/2θ)と、回折強度との関係を示す図である。図5中、横軸はω/2θ(単位:秒)を示し、縦軸は回折強度(単位:カウント数/秒)を示す。図5において、活性層のMQWに起因する0次のサテライトピーク位置から、MQWの平均In組成を求め、井戸層の平均In組成を見積もった。
【0105】
その結果、中断するステップS5でモノメチルアミンを供給した本発明例1のエピタキシャルウエハのIn組成は0.18であった。一方、中断するステップS5でモノメチルアミンを供給せず、アンモニアのみ供給した比較例1のエピタキシャルウエハのIn組成は0.14であった。
【0106】
この結果から、中断するステップS5において900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するモノメチルアミンを供給することにより、また井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源であるアンモニアと異なるガスであるモノメチルアミンを供給することにより、井戸層13aの保護効果が強くなり、InとNとの分解を抑制することができたことがわかった。
【0107】
また、図5に示すように、MQWに起因したサテライトピーク強度の低角側に注目すると、中断するステップS5でモノメチルアミンを供給した本発明例1の回折強度は、モノメチルアミンを供給しなかった比較例1より明瞭に観察された
。このことから、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するモノメチルアミンを供給することにより、また井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源であるアンモニアと異なるガスであるモノメチルアミンを供給することにより、界面急峻性を増加できたことがわかった。
【0108】
さらに、本発明例1および比較例1のエピタキシャルウエハについて、フォトルミネッセンス法により発光波長、発光強度、半値全幅および発光スペクトルを評価した。励起レーザには、波長が325nmのHe(ヘリウム)−Cd(カドミウム)レーザを用いた。励起密度は2W/cm2とした。測定は室温で行なった。その結果を表2および図6に示す。なお、図6は、本実施例におけるPL波長と、PL強度との関係を示す図である。図6中、横軸はPL波長(単位:nm)を示し、縦軸はPL強度(単位:a.u.)を示す。
【0109】
【表2】
【0110】
表2および図6に示すように、本発明例1は、比較例1よりも発光波長が長く、発光強度が高く、かつ半値全幅が小さかった。このことから、中断するステップS5においてモノメチルアミンを供給することで、井戸層13aの保護効果が強くなり、InとNとの分解を抑制することができたことがわかった。
【0111】
さらに、本発明例1および比較例1のLEDについて、75A/cm2の電流を通電した際の光出力を測定することにより、発光波長、発光強度および半値全幅を測定した。その結果を、下記の表3に示す。表3の値は、LED内の中間値を示している。なお、表3中、ブルーシフト量は、1A/cm2の電流を通電した際の発光波長との差異を求めた。
【0112】
【表3】
【0113】
表3に示すように、本発明例1は比較例1よりも発光波長が長かったため、長波長化に有利であることがわかった。
【0114】
また本発明例1は比較例1よりも発光出力が強かったため、高出力化に有利であることがわかった。
【0115】
また本発明例1は比較例1よりもブルーシフト量が小さかったため、井戸層13aのバンドギャップの揺らぎが小さく、急峻性が良いことがわかった。
【0116】
また本発明例1は比較例1よりも半値全幅が狭かったため、井戸層13aのバンドギャップの揺らぎが小さく、急峻性が良いことがわかった。
【0117】
これらのことから、中断するステップS5においてモノメチルアミンを供給することで、井戸層13aとバリア層13bとの間の成長中断中の井戸層13aの分解を抑制でき、界面急峻性が改善されたことがわかった。
【0118】
以上より、本実施例によれば、中断するステップS5において、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給することにより、または、井戸層113aおよびバリア層113bのNの供給源と異なるガスを供給することにより、発光特性を向上し、かつ長波長のLEDを実現できることがわかった。
【実施例2】
【0119】
本実施例では、井戸層13aを形成するステップS4後、バリア層13bを形成するステップS2、S6前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断するステップS5において、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給することの効果について調べた。また、中断するステップS5において井戸層113aおよびバリア層113bのNの供給源と異なるガスを供給することの効果について調べた。
【0120】
(本発明例2)
本発明例2では、実施の形態2におけるLDの製造方法にしたがって、MOCVD法によりエピタキシャルウエハおよびLD20を製造した。
【0121】
具体的には、まず、本発明例1と同様に原料を準備した。また、基板11として、本発明例1と同様に、主面が(0001)面のGaN基板を準備した(ステップS1)。
【0122】
次に、TMG、TMA、アンモニア、モノシランを導入して、1050℃で、基板21上に、n型クラッド層22として2300nmの厚みを有するn型Al0.04Ga0.96Nを形成した。
【0123】
次に、第1の層23aとして、200nmの厚みを有するn型GaNを形成した。その後、第2の層23bとして、800℃まで降温して、50nmの厚みを有するアンドープIn0.05Ga0.95N層を形成した。これにより、ガイド層23を形成した。
【0124】
次に、ガイド層23上に、活性層13を形成した(ステップS2〜S6)。具体的には、以下のように成長した。
【0125】
まず、n型バッファ層12上に、15nmの厚みを有し、In0.04Ga0.96N層よりなるバリア層13bを形成した(ステップS2)。このステップS2では、成長温度は880℃であり、成長速度は0.4μm/hであり、アンモニアの流量は29.6slmであった。
【0126】
次いで、エピタキシャル成長を中断した(ステップS3)。このステップS3では、4分間で880℃から790℃まで降温した。このとき、29.6slmの流量でアンモニアを供給した。
【0127】
その後、バリア層13b上に、3nmの厚みを有し、In0.25Ga0.75Nよりなる井戸層13aを形成した(ステップS4)。このステップS4では、成長温度は790℃であり、成長速度は0.15μm/hであり、アンモニアの流量は29.6slmであった。
【0128】
次いで、エピタキシャル成長を中断した(ステップS5)。このステップS5では、3分間で790℃から880℃まで昇温した。このとき、29.6slmの流量のアンモニアと、3sccmの流量のモノメチルアミンとを供給した。
【0129】
その後、上記ステップS2〜S5を3回繰り返した。これにより、3重量子井戸構造を形成した。さらに、50nmの厚みを有し、In0.05Ga0.95Nよりなるバリア層13bを形成した(ステップS6)。このステップS6では、成長温度は880℃であり、成長速度は0.4μm/hであった。これにより、活性層13の最上層に位置するバリア層13bを形成した。
【0130】
次に、活性層13上に、ガイド層24の第1の層24aとして50nmの厚みを有するp型In0.05Ga0.95Nを形成した。その後、基板11の温度を1000℃まで昇温して、第2の層24bとして200nmの厚みをするp型GaNを形成した。
【0131】
引き続き、ガイド層24上にp型電子ブロック層25として、20nmの厚みを有し、Mgがドープされたp型Al0.18Ga0.82Nを形成した。その後、p型クラッド層26として、400nmの厚みをするp型Al0.06Ga0.94Nを形成した。次に、p型コンタクト層27として10nmの厚みを有するp型GaNを形成した。
【0132】
その後、MOCVD装置内を降温して、III−V族半導体のエピタキシャルウエハをMOCVD装置から取り出した。以上のステップにより、本発明例2のエピタキシャルウエハを製造した。
【0133】
次に、RIE法により、2μmの幅を有するリッジを形成した。その後、SiO2よりなる絶縁層をプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition:化学蒸着)法により形成した。次いで、p型電極16としてNiおよびAuが積層された電極を蒸着法により形成した。次に、基板11のn型クラッド層22を形成した面と反対の面を研磨して、基板11の厚さを100μmにした。この面に、n型電極17としてTiおよびAlなどが積層された電極を蒸着法により形成した。
【0134】
最後に、m面を劈開して、600μmの共振器長を有する本発明例2のLD20を製造した。
【0135】
(比較例2)
比較例2は、基本的には本発明例2と同様にエピタキシャルウエハおよびLDを製造したが、中断するステップS5では、モノメチルアミンを供給せずに、アンモニアのみを供給した点においてのみ異なっていた。
【0136】
(評価結果)
本発明例2および比較例2のLEDについて、発光波長、閾値電流密度を測定した。その結果を下記の表4に示す。発光波長は、実施例1と同様に測定した。閾値電流密度は、発光出力の電流密度依存性を測定し、発光強度が線形に増加し始める電流密度と定義した。
【0137】
【表4】
【0138】
表4に示すように、比較例2のLDはレーザ発振しなかったが、本発明例2のLDはレーザ発振をした。また、本発明例2は比較例2よりも発光波長が長かったため、長波長化に有利であることがわかった。
【0139】
これらのことから、中断するステップS5においてモノメチルアミンを供給することで、井戸層13aとバリア層13bとの間の成長中断中の井戸層13aの分解を抑制できたので、発光特性を向上し、かつ長波長のLDを実現できることがわかった。
【実施例3】
【0140】
上述した実施例1の手順により、波長の異なるLEDを複数枚作製し、10A/cm2通電時の発光スペクトルの半値全幅を調べた。モノメチルアミンを供給して作製した試料と、アンモニアのみを供給して作製した試料のデータを比較した。
【0141】
図12は、縦軸に発光スペクトルの半値全幅yを、横軸に発光波長xを描いたグラフである。モノメチルアミンを供給して作製した試料(MMAあり)では、データを直線近似すると、y=0.2333x−85.385が得られた。一方、アンモニアのみを供給して作製した試料(MMAなし)では、データを直線近似すると、y=0.4284x−168.91が得られた。
【0142】
このことから、モノメチルアミンを供給して試料を作製すると、半値全幅が小さくなることがわかった。また、波長が長いほど、両試料のデータの差が大きくなることから、波長が長い領域ほど、モノメチルアミンを供給する効果が大きいことがわかった。上記の直線近似式に、チップ間ばらつきの典型値である±3〜5%を考慮して半値全幅を定量化して、モノメチルアミンを使用することで、0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たすような小さい半値全幅と長波長とを兼ね備えた発光素子を実現することができることがわかった。つまり、モノメチルアミンを供給することで、図12における矢印の領域の小さい半値全幅と長波長とが得られることがわかった。
【0143】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、各実施の形態および実施例の特徴を適宜組み合わせることも当初から予定している。また、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【0144】
11,21 基板、12 n型バッファ層、12a,23a,24a 第1の層、12b,23b,24b 第2の層、12c 第3の層、13 活性層、13a 井戸層、13b バリア層、14 p型電子ブロック層、15,27 p型コンタクト層、16,28 p型電極、17,29 n型電極、22 n型クラッド層、23,24 ガイド層、25 p型電子ブロック層、26 p型クラッド層。
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子の製造方法および発光素子に関し、より特定的には、In(インジウム)とN(窒素)とを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子の製造方法および発光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、GaN(窒化ガリウム)、AlN(窒化アルミニウム)、InN(窒化インジウム)とその3元混晶Al(1-x)GaxN(0<x<1)(以下AlGaNとも記す)、In(1-x)GaxN(0<x<1)(以下InGaNとも記す)、In(1-x)AlxN(0<x<1)(以下AlInNとも記す)や4元混晶In(1-x-y)AlxGayN(0<x<1、0<y<1、x+y<1)(以下InAlGaNと記す)で構成されるIII−V族化合物半導体は、緑色、青色、白色発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)、青紫色レーザー(Laser Diode:LD)などに用いられている。
【0003】
このような発光素子として、Inを含有するGaN系化合物半導体からなる井戸層と、GaN系化合物半導体からなる障壁層(バリア層)とを有する発光層を備えたGaN系化合物半導体発光素子の製造方法が、特開2007−324546号公報(特許文献1)に開示されている。この特許文献1には、以下の内容が開示されている。
【0004】
具体的には、井戸層に含まれるInの組成が大きくなるに伴って、発光する波長が長くなり、たとえば490nm以上の緑色発光波長が得られる。井戸層に含まれるInの組成を大きくするためには、成長温度を低くする必要がある。さらに、バリア層は井戸層よりも高温で成長させる必要がある。このため、発光層を形成する際に、井戸層を成長させる温度T1と、バリア層を形成する温度T2とについて、T1≦T2の関係を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2007−324546号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、特許文献1のGaN系化合物半導体発光素子の製造方法において、発光層を形成する工程について、以下の問題があることを本発明者は見い出した。図7〜図11は、上記特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。図7に示すように、バリア層113b上に成長温度T1で井戸層113aを形成すると、井戸層113aの表面は平坦である。しかし、バリア層113bを形成するために成長温度T2に昇温すると、図8に示すように、井戸層113aの表面に凹凸が生じ、Inの組成が低下する。その結果、図9に示すように、表面に凹凸が形成された井戸層113a上にバリア層113bが形成される。その後、成長温度T1まで降温して、図10に示すように、井戸層113aを形成する。しかし、バリア層113bを形成するために成長温度T2に昇温すると、図11に示すように、井戸層113aの表面に凹凸が生じ、Inの組成が低下する。
【0007】
このように、上記特許文献1のGaN系化合物半導体発光素子の製造方法においても、井戸層113aを形成する温度T2からバリア層113bを形成する温度T1に降温する際に、井戸層113aのInの組成が低下する。井戸層113aのInの組成が低下すると、長波長の発光素子が得られないという問題がある。また井戸層113aの表面に凹凸が形成されると、発光特性が低下するという問題がある。
【0008】
そこで、本発明の目的は、発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子の製造方法および発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者は、上記特許文献1のGaN系化合物半導体発光素子の製造方法では、井戸層113aの表面に凹凸が生じ、Inの組成が低下する要因を鋭意研究の結果見い出した。すなわち、井戸層113aを形成した後にバリア層113bを形成するための昇温の工程の時間が長い、または、バリア層113bが成長するまで保持される温度が高いため、井戸層113aの分解が生じることを見い出した。
【0010】
そこで、本発明者は、Inを含むIII−V族化合物半導体ではInはNとの結合が弱いため低温で熱分解してInが蒸発することに着目して、中断する工程の雰囲気について鋭意研究した。その結果、下記の本発明を見い出した。
【0011】
すなわち、本発明の一の局面における発光素子の製造方法は、InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、InとNとを含む井戸層を形成する工程と、Nを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層を形成する工程と、井戸層を形成する工程後、バリア層を形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、900℃においてN2(窒素)およびNH3(アンモニア)から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。
【0012】
本発明の一の局面における発光素子の製造方法によれば、中断する工程時に、活性窒素へ分解する分解効率の高いガスを供給している。このため、活性窒素を含む雰囲気でエピタキシャル成長を中断している。これにより、井戸層を構成するInとNとが分離することを抑制することができる。さらに、井戸層を構成するInとNとが分離した場合であっても、雰囲気中の活性窒素により井戸層にNが取り込まれる。このため、中断する工程時に、井戸層を構成するNが抜けることを抑制できる。したがって、井戸層を形成した後、バリア層を形成するまでの間に、井戸層の表面に凹凸が形成されることを抑制でき、かつInの組成が低下することを抑制することができる。よって、発光特性を向上した長波長の発光素子を製造することができる。
【0013】
本発明の他の局面における発光素子の製造方法は、InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、InとNとを含む井戸層を形成する工程と、Nを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層を形成する工程と、井戸層を形成する工程後、バリア層を形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、井戸層およびバリア層のNの供給源と異なるガスを供給する。
【0014】
本発明の他の局面における発光素子の製造方法によれば、中断する工程時に、井戸層およびバリア層のNの供給源と異なるガスを供給している。井戸層を形成する工程およびバリア層を形成する工程の雰囲気と、中断する工程の雰囲気とは、原料を流さない等の理由から異なっている。このため、井戸層およびバリア層のNの供給源と異なるガスを中断する工程で供給することにより、井戸層を構成するInとNとが分離することを抑制することができるとともに、井戸層を構成するInとNとが分離した場合にNを補うことができる。このため、中断する工程時に、井戸層を構成するNが抜けることを抑制できる。したがって、井戸層を形成した後、バリア層を形成するまでの間に、井戸層の表面の凹凸が形成されることを抑制でき、かつInの組成が低下することを抑制することができる。よって、発光特性を向上した長波長の発光素子を製造することができる。
【0015】
特に、中断する工程において、井戸層およびバリア層のNの供給源と、Nの供給源と異なるガスとの両方を供給することが好ましい。この場合には、活性窒素への分解しやすい条件等が変化した場合であっても、いずれかが活性窒素へ分解する確率が高くなる。このため、井戸層を構成するNが抜けることをより抑制することができる。
【0016】
上記一および他の局面における発光素子の製造方法において好ましくは、中断する工程では、モノメチルアミン(CH5N)およびモノエチルアミン(C2H7N)の少なくともいずれか一方を含むガスを供給する。
【0017】
本発明者は鋭意研究の結果、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンは、低温でも効率よく成長に寄与する活性窒素を供給できることを見い出した。このため、中断する工程において、活性窒素をより多く含む雰囲気を形成できるので、井戸層を構成するNが抜けることを効果的に抑制することができる。よって、発光特性をより向上した長波長の発光素子を製造することができる。
【0018】
上記一および他の局面における発光素子の製造方法において好ましくは、中断する工程では、アンモニア(NH3)と、NH3に対して100分の1以下の濃度のモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方とを含むガスを供給する。
【0019】
これにより、低温でも効率よく成長に寄与するモノメチルアミンおよびモノエチルアミンにより、活性窒素をより多く含む雰囲気を形成できる。さらに、バリア層および井戸層のN源としてNH3を用いた場合には、中断する工程時にNH3の供給を停止し、バリア層を形成する工程でNH3の供給を再開するといった工程を省略できる。このため、発光特性をより向上した長波長の発光素子を、製造工程を簡略化して製造することができる。
【0020】
本発明の一の局面における発光素子は、上記発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、450nm以上の発光波長を有することを特徴としている。
【0021】
本発明の一の局面における発光素子によれば、上記発光素子の製造方法により製造されるので、Inの組成が高い井戸層を有する発光層を備えた発光素子を製造することができる。このため、450nm以上の長波長の発光素子を実現することができる。
【0022】
本発明の他の局面における発光素子は、上記発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、井戸層は、1nm以上10nm以下の厚みを有することを特徴としている。
【0023】
本発明の他の局面における発光素子によれば、上記発光素子の製造方法により製造しているので、井戸層の表面からNが抜けることを抑制できる。このため、1nm以上10nm以下の従来できなかった大きな厚みの井戸層を有する発光素子を実現することができる。
【0024】
本発明のさらに他の局面における発光素子は、上記発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、10A/cm2以上通電したときの半値全幅をy(nm)、発光波長をx(nm)としたときに、0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たしている。
【0025】
本発明のさらに他の局面における発光素子によれば、上記発光素子の製造方法により製造している。井戸層の表面からNが抜けることを抑制できるため、半値全幅を小さくできる。井戸層のInの組成を高めることができるので、波長を長くすることができる。これにより、0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たすような小さい半値全幅と長波長とを兼ね備えた発光素子を実現することができる。
【発明の効果】
【0026】
本発明の発光素子の製造方法および発光素子によれば、発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】本発明の実施の形態1におけるLEDを概略的に示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1におけるLEDの製造方法を示すフローチャートである。
【図3】本発明の実施の形態1における活性層を形成するステップを説明するための模式図である。
【図4】本発明の実施の形態2におけるLDを概略的に示す断面図である。
【図5】実施例1における角度位置と回折強度との関係を示す図である。
【図6】実施例1におけるPL波長とPL強度との関係を示す図である。
【図7】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図8】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図9】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図10】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図11】特許文献1のInとNとを含む量子井戸構造を有する発光層を形成する方法を説明するための断面図である。
【図12】実施例3における半値全幅と発光波長との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。
【0029】
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における発光素子の一例であるLEDを概略的に示す断面図である。図1を参照して、本実施の形態におけるLEDを説明する。本実施の形態におけるLED10は、基板11と、n型バッファ層12と、活性層13と、p型電子ブロック層14と、p型コンタクト層15と、p型電極16と、n型電極17とを備えている。
【0030】
基板11は、たとえばn型GaN基板である。n型バッファ層12は、基板11上に形成された第1の層12aと、第1の層12a上に形成された第2の層12bと、第2の層12b上に形成された第3の層12cとを含んでいる。第1の層12aは、たとえば50nmの厚みを有し、n型AlGaNからなっている。第2の層12bは、たとえば2000nmの厚みを有し、n型GaNからなっている。第3の層12cは、たとえば50nmの厚みを有し、n型GaNよりなっている。
【0031】
活性層13は、n型バッファ層12上に形成され、InとNとを含む井戸層13aと、Nを含み、かつ井戸層13aよりもバンドギャップが大きいバリア層13bとが積層された量子井戸構造を有している。本実施の形態では、活性層13の最下層(n型バッファ層12と接する層)および最上層(p型電子ブロック層14と接する層)にはバリア層13bが形成されている。活性層13は、最下層および最上層のバリア層13b内に、井戸層13aとバリア層13bとが交互に積層されている多重量子井戸(MQW:Multiple-Quantum Well)構造である。
【0032】
井戸層13aは、たとえば3nmの厚みを有し、InGaNよりなっている。井戸層13aの厚みは、1nm以上10nm以下であることが好ましい。井戸層13aの厚みが1nm以上の場合、波長450nm以上の発光を容易に得ることができる。井戸層13aの厚みが10nm以下の場合、発光効率が高くて結晶品質の良好な井戸層を容易に成長することができる。バリア層13bは、たとえば15nmの厚みを有し、GaNよりなっている。
【0033】
p型電子ブロック層14は、活性層13上に形成され、たとえば20nmの厚みを有し、p型AlGaNからなっている。
【0034】
p型コンタクト層15は、p型電子ブロック層14上に形成され、たとえば50nmの厚みを有し、p型GaNからなっている。
【0035】
p型電極16は、p型コンタクト層15上に形成され、透過率が高いという特長を有する。p型電極16は、たとえばニッケル(Ni)および金(Au)で構成される場合や、ITO(酸化インジウムスズ)などからなる場合がある。n型電極17は、基板11のn型バッファ層12を形成した面と反対の面側上に形成され、たとえばチタン(Ti)およびAlなどよりなっている。
【0036】
LED10は、450nm以上、好ましくは500nm以上の発光波長を有している。波長が450nm以上の場合、InGaN井戸層からのIn組成低下が生じる場合があり、本発明を適用する意義が大きい。波長が500nm以上の場合、InGaN井戸層からのIn組成低下が容易に生じるため、本発明を適用する意義が非常に大きい。なお、LED10の波長の上限は、製造上の理由からたとえば600nmである。
【0037】
またLED10は、10A/cm2以上通電したときの半値全幅をy(nm)、発光波長をx(nm)としたときに、0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たしている。0.2333x−90<yの場合、ほぼ理想的な結晶での半値全幅である。y<0.4284x−174の場合、本発明の適用でIn組成低下が抑制され、均一な井戸層が形成されている。
【0038】
なお、上記発光波長は、たとえば10A/cm2の電流密度で通電したときの発光スペクトルを測定し、発光強度が最大(ピーク強度)となるピーク波長である。また上記半値全幅は、ピーク強度の半分の値を与える2つの波長の差である。
【0039】
図2は、本実施の形態におけるLED10の製造方法を示すフローチャートである。続いて、図1および図2を参照して、本実施の形態におけるLED10の製造方法を説明する。
【0040】
まず、基板11を準備する(ステップS1)。本実施の形態では、基板11として、たとえばn型GaN基板を準備する。
【0041】
次に、基板11上にn型バッファ層12を形成する。このステップでは、たとえばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学気相堆積)法により、上述した第1の層12a、第2の層12bおよび第3の層12cをこの順に形成する。
【0042】
次に、n型バッファ層12上に、活性層13を形成する(ステップS2〜S6)。図3は、本実施の形態における活性層13を形成するステップを説明するための模式図である。図1〜図3を参照して、本実施の形態における活性層13を形成するステップについて、以下説明する。
【0043】
まず、図1〜図3に示すように、n型バッファ層12上に、Nを含むバリア層13bを形成する(ステップS2)。このステップS2では、たとえばMOCVD法によりGaNを成長する。またステップS2では、結晶性や光学特性の優れた層を成長するため、たとえば880℃の高温でバリア層13bを成長する。バリア層13bのN源として、たとえばアンモニアを用いる。
【0044】
その後、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する(ステップS3)。このステップS3では、原料の供給をストップして、井戸層13aを成長させる温度まで降温する。このステップS2では、キャリアガスのみを流してもよく、全てのガスを流さなくてもよく、キャリアガスとともに、あるいはキャリアガスに代えて他のガスを流してもよい。
【0045】
次いで、InとNとを含む井戸層13aを形成する(ステップS4)。このステップS4では、たとえばMOCVD法によりInGaNを成長する。またステップS4では、井戸層13aを構成するInは低温で成長表面から脱離しやすいので、バリア層13bを形成するステップS2よりも低温(たとえば790℃)で、井戸層13aを形成する。なお、井戸層13aを形成するステップS4は、バリア層13bを形成するステップS2よりも成長温度が低いので、成長速度も小さい。井戸層13aのN源として、たとえばアンモニアを用いる。
【0046】
その後、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する(ステップS5)。このステップS5では、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。これにより、井戸層13aの保護効果を強くすることができ、井戸層13aを構成するInとNとの分解を抑制できる。
【0047】
ここで、活性窒素とは、たとえばダングリングボンドを有するNを意味する。ダングリングボンドを有するNは、他の元素と容易に反応するので、InとNとの結合の解離を抑制でき、あるいは、井戸層13a表面でNと分離したInと結合が可能である。分解効率とは、たとえば活性窒素への解離反応定数、結合エネルギーなどにより判断できる。InとNとは900℃以上で特に分解が進むので、900℃での活性窒素への分解効率が高いガスを用いる。
【0048】
分解効率の指標の一例である活性窒素への結合エネルギーを下記の表1に示す。表1において、エネルギーの小さな結合を有するガスが、分解効率が高いガスである。
【0049】
【表1】
【0050】
なお、上記表1に示すように、窒素およびアンモニアの結合エネルギーに比べてモノメチルアミン、ジメチルアミンおよびトリエチルアミンの結合エネルギーは小さい。また、ヒドラジン、ジメチルヒドラジンおよびジエチルヒドラジン(ヒドラジン系原料)の結合エネルギーはさらに小さいが、反応性が高すぎる。このため、ヒドラジン系原料は、有機金属原料と気相反応して、成長速度が低下するという問題を有する。また、ヒドラジン系原料は、アンモニアおよび窒素と比較して、毒性が極めて強いため、安全性維持のための設備費がかかるため、生産には向かない。このため、分解効率が高いガスとしては、モノメチルアミン、ジメチルアミンおよびトリエチルアミンを用いることが好ましい。
【0051】
特に、このステップS5では、分解効率の高いガスとして、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスを供給することが好ましい。モノメチルアミンおよびモノエチルアミンは、気相中で、NとC(炭素)との結合を1つ切断するために要するエネルギーで、ダングリングボンドを有するNH2を生成することができる。ダングリングボンドを有するNH2に気相中で分解するために要するエネルギーが小さいので、活性窒素を供給するために必要な熱量が小さい。このため、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンは、活性窒素を低温で供給することができる。
【0052】
また、アンモニアと、アンモニアに対して100分の1以下の濃度のモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方とを含むガスを供給することが好ましい。井戸層13aおよびバリア層13bのN源としてアンモニアを用いた場合には、Nの原料としてのアンモニアの供給を停止せずに活性窒素を含む雰囲気にすることができる。
【0053】
また、中断するステップS5では、井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源と異なるガスを供給する。本実施の形態では、井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源がアンモニアであり、中断するステップS5では、アンモニアと、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくとも一方とを含むガスとを供給している。この場合、中断するステップS5において、活性窒素への分解しやすい条件等が変化した場合であっても、アンモニアと、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくとも一方とを含むガス中のいずれかが活性窒素へ分解する確率が高くなり、井戸層13aを構成するNが抜けることを抑制することができる。
【0054】
またステップS5は、1秒以上かけて行なうことが好ましい。この場合、昇温を容易に行なうことができるので、製造が容易である。
【0055】
このステップS5では、活性窒素を含む雰囲気でエピタキシャル成長を中断して昇温するので、井戸層13aの表面からNおよびInが抜けることを抑制できる。このため、井戸層13aの表面を平坦にできる。また、井戸層13aのInの組成を高く維持できる。Inの組成は20%〜30%であることが好ましい。この組成では緑色の発光が得られる。
【0056】
このように、バリア層13bを形成し(ステップS2)、降温するためにエピタキシャル成長を中断し(ステップS3)、井戸層13aを形成し(ステップS4)、昇温するためにエピタキシャル成長を中断する(ステップS5)ことにより、1組のバリア層13bと井戸層13aを形成することができる。
【0057】
同様に、バリア層13bを形成し(ステップS2)、降温するためにエピタキシャル成長を中断し(ステップS3)、井戸層13aを形成し(ステップS4)、昇温するためにエピタキシャル成長を中断する(ステップS5)ことにより、複数組のバリア層13bと井戸層13aとを形成していく。
【0058】
これにより、図1に示すInとNとを含む井戸層13aと、Nを含み、かつ井戸層13aよりもバンドギャップが大きいバリア層13bとを含む活性層13を形成することができる。なお、本実施の形態では、活性層13の最上層に位置するようにバリア層13bを形成している(ステップS6)。
【0059】
次に、図1に示すように、活性層13上に、p型電子ブロック層14を形成する。このステップでは、たとえばMOCVD法によりp型AlGaNを成長する。
【0060】
次に、p型電子ブロック層14上に、p型コンタクト層15を形成する。このステップでは、たとえばMOCVD法によりp型GaNを成長する。
【0061】
次に、p型コンタクト層15上に、透過率の高いp型電極16を形成する。このステップでは、たとえばNi、Au、ITOなどが積層された電極を蒸着法により形成する。
【0062】
次に、基板11のn型バッファ層12を形成した面と反対の面側にn型電極17を形成する。このステップでは、たとえばTiおよびAlなどが積層された電極を蒸着法により形成する。
【0063】
なお、n型またはp型のIII−V族化合物半導体を成長させる際には、所望のn型またはp型のキャリア濃度となるような条件で、n型不純物を含む原料またはp型不純物を含む原料を、III族元素の原料である有機金属およびV族原料とともに用いる。有機金属はたとえばTMG(トリメチルガリウム)、TMI(トリメチルインジウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)などを、n型不純物はたとえばシランなどを、p型不純物はたとえばビスシクロペンタジエニルマグネシウムなどを、キャリアガスはたとえば窒素、水素などを用いることができる。
【0064】
上記ステップを実施することにより、図1に示すLED10を製造することができる。
なお、本実施の形態では、MOCVD法によりIII−V族化合物半導体を成長したが、特にこれに限定されず、たとえばHVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy:ハイドライド気相成長)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシ)法などの気相成長法を採用することができる。またこれらの気相成長法を複数組み合わせてもよい。
【0065】
また、井戸層13aを形成するステップS4後、バリア層13bを形成するステップS2、S6前に、エピタキシャル成長を中断するステップS5では、昇温をしなくてもよい。言い換えると、中断するステップS5では、一定の温度を保持してもよい。この場合でも、井戸層13aを形成するための原料から、バリア層13bを形成するための原料への切り替えを行なう間に、エピタキシャル成長を中断する。中断中の温度が低温であっても、InとNとの結合が弱いため、InとNとの分離は起こる。このため、エピタキシャル成長を中断するステップS5では、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する、および、井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源と異なるガスを供給することの少なくともいずれかを行なう。
【0066】
また、バリア層13bを形成するステップS2後、井戸層13aを形成するステップS4前に、エピタキシャル成長を中断するステップS3は省略されてもよい。
【0067】
また、本実施の形態では、井戸層がInGaNで、バリア層がInGaNであるLED10を例に挙げて説明したが、InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子であれば特にこれに限定されない。たとえば、井戸層がInxGa(1-x)As(1-y)Ny(0<x<1、0<y<1)で、バリア層がGaAsである発光素子にも本発明は適用できる。
【0068】
以上説明したように、本実施の形態におけるLED10の製造方法によれば、中断するステップS5時に、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給している。キャリアガスとして一般的に用いられるN2やV族原料として用いられるNH3は比較的安定であるので、活性層13を形成する温度である900℃以下で活性窒素への分解が促進されない。本実施の形態では、中断するステップS5で窒素およびアンモニアよりも分解効率が高いガスを供給しているので、活性窒素を多く含む雰囲気でエピタキシャル成長を中断することができる。これにより、井戸層13aを構成するInとNとが分離する反応を抑制することができる。さらに、井戸層13aを構成するInとNとが分離した場合であっても雰囲気中の活性窒素により井戸層13aにNが取り込まれる。このため、中断するステップS5で、井戸層13aを構成するNが抜けることを抑制でき、Nが抜けることによるInの抜けも抑制できる。したがって、井戸層13aを形成した後に、バリア層13bを形成するまでの間に、井戸層13aの表面の凹凸が形成されることを抑制できるので、発光特性を向上することができる。また井戸層13aの表面からNが脱離することを抑制でき、Inの凝集を抑制できるので、Inの一部が金属Inとして凝集することを抑制できる。このため、黒色化による非発光領域を低減することができるので、発光効率の低下を抑制できる。さらにInの組成が低下することを抑制することができる。したがって、たとえばInの組成が20%〜30%のInGaNを含む井戸層13aを含む活性層13を形成できるので、長波長の緑色LED10を製造することができる。
【0069】
また、中断するステップS5時に、井戸層13aから分解されたInが雰囲気に含まれている場合には、雰囲気中で活性窒素がInを捕獲することができる。このため、井戸層13a形成後、バリア層13bを形成するステップS2、S6において、予定していないInが取り込まれることを抑制できる。
【0070】
さらに、中断するステップS5では、井戸層13a中に発光に寄与する量子サイズオーダのInGaNのドットを均一性を向上して形成することができる。このため、ドット化による量子効果を促進することができるとともに、各ドット間での発光波長のバラツキを抑制することができる。このため、発光波長の半値全幅を小さくでき、発光特性を向上できるLED10を実現できる。
【0071】
本実施の形態におけるLED10の製造方法において、中断するステップS5では昇温することが好ましい。これにより、高温でバリア層13bを形成することもできる。このため、バリア層13bの結晶性および光学特性を向上することもできる。
【0072】
(実施の形態2)
図4は、本発明の実施の形態2における発光デバイスの一例であるLDを概略的に示す断面図である。図4を参照して、本実施の形態におけるLDを説明する。具体的には、図4に示すように、本実施例におけるLD20は、基板21と、n型クラッド層22と、ガイド層23と、活性層13と、ガイド層24と、p型電子ブロック層25と、p型クラッド層26と、p型コンタクト層27と、p型電極28と、n型電極29と、絶縁膜31とを備えている。
【0073】
基板21は、たとえばn型GaN基板である。n型クラッド層22は、基板21上に形成され、たとえば2.3μmの厚みを有し、n型AlGaNからなっている。
【0074】
ガイド層23は、n型クラッド層22上に形成された第1の層23aと、第1の層23a上に形成された第2の層23bとを含んでいる。第1の層23aは、たとえば200nmの厚みを有し、n型GaNよりなっている。第2の層23bは、たとえば50nmの厚みを有し、アンドープInGaNよりなっている。
【0075】
活性層13は、ガイド層23上に形成されている。活性層13は、実施の形態1と同様であるので、その説明は繰り返さない。
【0076】
ガイド層24は、活性層13上に形成された第1の層24aと、第1の層24a上に形成された第2の層24aとを含んでいる。第1の層24aは、たとえば50nmの厚みを有し、アンドープInGaNよりなっている。第2の層24bは、たとえば200nmの厚みを有し、アンドープGaNよりなっている。
【0077】
p型電子ブロック層25は、ガイド層24上に形成され、たとえば20nmの厚みを有し、p型AlGaNからなっている。
【0078】
p型クラッド層26は、p型電子ブロック層25上に形成され、たとえば0.4μmの厚みを有し、p型AlGaNからなっている。
【0079】
p型コンタクト層27は、p型クラッド層26上に形成され、たとえば10nmの厚みを有し、p型GaNからなっている。
【0080】
p型電極28とp型コンタクト層27との接触部以外は、ドライエッチングによりメサ構造が形成されている。接触部以外に絶縁膜31としてたとえばSiO2が蒸着法により形成されている。p型電極28は、p型コンタクト層27上に形成され、たとえばNiおよびAuなどからなっている。n型電極29は、基板21のn型クラッド層22を形成した面と反対の面側上に形成され、たとえばTiおよびAlなどよりなっている。
【0081】
続いて、図4を参照して、本実施の形態におけるLD20の製造方法を説明する。まず、実施の形態1と同様に、基板21を準備する(ステップS1)。
【0082】
次に、基板21上に、たとえばMOCVD法により、n型クラッド層22、活性層13、ガイド層24、p型電子ブロック層25、p型クラッド層26およびp型コンタクト層27をこの順に形成する。なお、活性層13を形成するステップS2〜S6は、実施の形態1と同様であるので、その説明は繰り返さない。また、III族原料である有機金属、V族原料、n型およびp型不純物、キャリアガスなどは、実施の形態1と同様の材料を用いることができる。
【0083】
次に、p型電極28とp型コンタクト層27の接触部以外の領域を、たとえばCl2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、幅2μm、深さ0.4μmのメサ構造を形成する。p型電子ブロック層25が表面に露出した後、接触部以外に絶縁膜31としてたとえばSiO2を蒸着法により形成する。
【0084】
次に、p型コンタクト層27上に、p型電極28を形成し、基板11のn型クラッド層22を形成した面と反対の面側にn型電極29を形成する。
【0085】
上記ステップを実施することにより、図4に示すLD20を製造することができる。LD20は、実施の形態1と同様の活性層13を備えているので、発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現するLD20を実現できる。
【実施例1】
【0086】
本実施例では、井戸層13aを形成するステップS4後、バリア層13bを形成するステップS2、S6前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断するステップS5において、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給することの効果について調べた。また、中断するステップS5において井戸層113aおよびバリア層113bのNの供給源と異なるガスを供給することの効果について調べた。
【0087】
(本発明例1)
本発明例1では、実施の形態1におけるLEDの製造方法にしたがって、MOCVD法によりエピタキシャルウエハおよびLED10を製造した。
【0088】
具体的には、まず、III族原料としてTMG、TMIおよびTMAを、V族原料としてアンモニアを、n型不純物としてSiH4(モノシラン)を、中断するステップS5に供給するガスとしてモノメチルアミンを準備した。
【0089】
基板11として、主面が(0001)面のGaN基板を準備した(ステップS1)。この基板11をMOCVD装置内のサセプタ上に配置した。その後、MOCVD装置内の圧力を101kPaに制御しながら、MOCVD装置内にアンモニアと水素とを導入し、1050℃で10分間クリーニングを行なった。
【0090】
次に、TMG、TMA、アンモニア、シランを導入して、1050℃で、基板11上に、第1の層12aとして、50nmの厚みを有するn型Al0.08Ga0.92Nを形成した。その後、第2の層12bとして、2000nmの厚みを有するn型GaN層を形成した。その後、第3の層12cとして、800℃まで降温して、50nmの厚みを有するn型In0.06Ga0.94N層を形成した。成長速度はそれぞれ、第1の層12aで0.4μm/h、第2の層12bで4μm/h、第3層12cで0.15μm/hであった。
【0091】
次に、n型バッファ層12上に、活性層13を形成した(ステップS2〜S6)。具体的には、図3に示すような温度プロファイルと成長速度プロファイルを有するように、成長した。以下、活性層13の形成方法を説明する。
【0092】
まず、n型バッファ層12上に、15nmの厚みを有し、GaNよりなるバリア層13bを形成した(ステップS2)。このステップS2では、成長温度は880℃であり、成長速度は0.4μm/hであり、アンモニアの流量は29.6slmであった。
【0093】
次いで、エピタキシャル成長を中断した(ステップS3)。このステップS3では、4分間で880℃から790℃まで降温した。このとき、29.6slmの流量でアンモニアを供給した。
【0094】
その後、バリア層13b上に、3nmの厚みを有し、Inの組成比が約20%のInGaNよりなる井戸層13aを形成した(ステップS4)。このステップS4では、成長温度は790℃であり、成長速度は0.15μm/hであり、アンモニアの流量は29.6slmであった。
【0095】
次いで、エピタキシャル成長を中断した(ステップS5)。このステップS5では、3分間で790℃から880℃まで昇温した。このとき、29.6slmの流量のアンモニアと、3sccmの流量のモノメチルアミンとを供給した。モノメチルアミンは、MOCVD装置内に供給される前に、アンモニアと合流させて、サセプタ上に供給した。なお、モノメチルアミンは、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有している。
【0096】
その後、上記ステップS2〜S5を3回繰り返した。これにより、三重量子井戸構造を形成した。さらに、10nmの厚みを有し、GaNよりなるバリア層13bを形成した(ステップS6)。このステップS6では、成長温度は880℃であり、成長速度は0.4μm/hであった。これにより、活性層13の最上層位置するバリア層13bを形成した。以上より、活性層13を形成した。
【0097】
次に、基板11の温度を1000℃まで昇温して、活性層13上に、p型電子ブロック層14として20nmの厚みを有するp型Al0.08Ga0.92Nを形成した。
【0098】
引き続き、p型電子ブロック層14上に、p型コンタクト層15として50nmの厚みを有するp型GaNを形成した。
【0099】
その後、MOCVD装置内を降温して、III−V族半導体のエピタキシャルウエハをMOCVD装置から取り出した。以上のステップにより、本発明例1のエピタキシャルウエハを製造した。
【0100】
次に、p型コンタクト層15上に、p型電極16としてNiおよびAuが積層された半透明電極を蒸着法により形成した。次に、基板11のn型バッファ層12を形成した面と反対の面側に、n型電極17としてTiおよびAlなどが積層された電極を蒸着法により形成した。
【0101】
また、エピタキシャルウエハにメサ構造に形成した。具体的には、メサのパターン形成にはフォトリソグラフィ法を用い、メサの形成には反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)法を用いた。
【0102】
以上のステップにより、400μm×400μmの大きさの本発明例1のLED10を製造した。
【0103】
(比較例1)
比較例1は、基本的には本発明例1と同様にエピタキシャルウエハおよびLEDを製造したが、中断するステップS5において、モノメチルアミンを供給せずに、アンモニアのみを供給した点においてのみ異なっていた。
【0104】
(評価結果)
本発明例1および比較例1のエピタキシャルウエハについて、X線回折により、井戸層のInの組成を調べた。X線源がCuKα1で、入射スリットサイズを0.2mm×2.0mmとした。また、(0002)面の回折をω−2θ法により測定した。その結果を図5に示す。なお、図5は、本実施例における角度位置(ω/2θ)と、回折強度との関係を示す図である。図5中、横軸はω/2θ(単位:秒)を示し、縦軸は回折強度(単位:カウント数/秒)を示す。図5において、活性層のMQWに起因する0次のサテライトピーク位置から、MQWの平均In組成を求め、井戸層の平均In組成を見積もった。
【0105】
その結果、中断するステップS5でモノメチルアミンを供給した本発明例1のエピタキシャルウエハのIn組成は0.18であった。一方、中断するステップS5でモノメチルアミンを供給せず、アンモニアのみ供給した比較例1のエピタキシャルウエハのIn組成は0.14であった。
【0106】
この結果から、中断するステップS5において900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するモノメチルアミンを供給することにより、また井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源であるアンモニアと異なるガスであるモノメチルアミンを供給することにより、井戸層13aの保護効果が強くなり、InとNとの分解を抑制することができたことがわかった。
【0107】
また、図5に示すように、MQWに起因したサテライトピーク強度の低角側に注目すると、中断するステップS5でモノメチルアミンを供給した本発明例1の回折強度は、モノメチルアミンを供給しなかった比較例1より明瞭に観察された
。このことから、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するモノメチルアミンを供給することにより、また井戸層13aおよびバリア層13bのNの供給源であるアンモニアと異なるガスであるモノメチルアミンを供給することにより、界面急峻性を増加できたことがわかった。
【0108】
さらに、本発明例1および比較例1のエピタキシャルウエハについて、フォトルミネッセンス法により発光波長、発光強度、半値全幅および発光スペクトルを評価した。励起レーザには、波長が325nmのHe(ヘリウム)−Cd(カドミウム)レーザを用いた。励起密度は2W/cm2とした。測定は室温で行なった。その結果を表2および図6に示す。なお、図6は、本実施例におけるPL波長と、PL強度との関係を示す図である。図6中、横軸はPL波長(単位:nm)を示し、縦軸はPL強度(単位:a.u.)を示す。
【0109】
【表2】
【0110】
表2および図6に示すように、本発明例1は、比較例1よりも発光波長が長く、発光強度が高く、かつ半値全幅が小さかった。このことから、中断するステップS5においてモノメチルアミンを供給することで、井戸層13aの保護効果が強くなり、InとNとの分解を抑制することができたことがわかった。
【0111】
さらに、本発明例1および比較例1のLEDについて、75A/cm2の電流を通電した際の光出力を測定することにより、発光波長、発光強度および半値全幅を測定した。その結果を、下記の表3に示す。表3の値は、LED内の中間値を示している。なお、表3中、ブルーシフト量は、1A/cm2の電流を通電した際の発光波長との差異を求めた。
【0112】
【表3】
【0113】
表3に示すように、本発明例1は比較例1よりも発光波長が長かったため、長波長化に有利であることがわかった。
【0114】
また本発明例1は比較例1よりも発光出力が強かったため、高出力化に有利であることがわかった。
【0115】
また本発明例1は比較例1よりもブルーシフト量が小さかったため、井戸層13aのバンドギャップの揺らぎが小さく、急峻性が良いことがわかった。
【0116】
また本発明例1は比較例1よりも半値全幅が狭かったため、井戸層13aのバンドギャップの揺らぎが小さく、急峻性が良いことがわかった。
【0117】
これらのことから、中断するステップS5においてモノメチルアミンを供給することで、井戸層13aとバリア層13bとの間の成長中断中の井戸層13aの分解を抑制でき、界面急峻性が改善されたことがわかった。
【0118】
以上より、本実施例によれば、中断するステップS5において、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給することにより、または、井戸層113aおよびバリア層113bのNの供給源と異なるガスを供給することにより、発光特性を向上し、かつ長波長のLEDを実現できることがわかった。
【実施例2】
【0119】
本実施例では、井戸層13aを形成するステップS4後、バリア層13bを形成するステップS2、S6前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断するステップS5において、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給することの効果について調べた。また、中断するステップS5において井戸層113aおよびバリア層113bのNの供給源と異なるガスを供給することの効果について調べた。
【0120】
(本発明例2)
本発明例2では、実施の形態2におけるLDの製造方法にしたがって、MOCVD法によりエピタキシャルウエハおよびLD20を製造した。
【0121】
具体的には、まず、本発明例1と同様に原料を準備した。また、基板11として、本発明例1と同様に、主面が(0001)面のGaN基板を準備した(ステップS1)。
【0122】
次に、TMG、TMA、アンモニア、モノシランを導入して、1050℃で、基板21上に、n型クラッド層22として2300nmの厚みを有するn型Al0.04Ga0.96Nを形成した。
【0123】
次に、第1の層23aとして、200nmの厚みを有するn型GaNを形成した。その後、第2の層23bとして、800℃まで降温して、50nmの厚みを有するアンドープIn0.05Ga0.95N層を形成した。これにより、ガイド層23を形成した。
【0124】
次に、ガイド層23上に、活性層13を形成した(ステップS2〜S6)。具体的には、以下のように成長した。
【0125】
まず、n型バッファ層12上に、15nmの厚みを有し、In0.04Ga0.96N層よりなるバリア層13bを形成した(ステップS2)。このステップS2では、成長温度は880℃であり、成長速度は0.4μm/hであり、アンモニアの流量は29.6slmであった。
【0126】
次いで、エピタキシャル成長を中断した(ステップS3)。このステップS3では、4分間で880℃から790℃まで降温した。このとき、29.6slmの流量でアンモニアを供給した。
【0127】
その後、バリア層13b上に、3nmの厚みを有し、In0.25Ga0.75Nよりなる井戸層13aを形成した(ステップS4)。このステップS4では、成長温度は790℃であり、成長速度は0.15μm/hであり、アンモニアの流量は29.6slmであった。
【0128】
次いで、エピタキシャル成長を中断した(ステップS5)。このステップS5では、3分間で790℃から880℃まで昇温した。このとき、29.6slmの流量のアンモニアと、3sccmの流量のモノメチルアミンとを供給した。
【0129】
その後、上記ステップS2〜S5を3回繰り返した。これにより、3重量子井戸構造を形成した。さらに、50nmの厚みを有し、In0.05Ga0.95Nよりなるバリア層13bを形成した(ステップS6)。このステップS6では、成長温度は880℃であり、成長速度は0.4μm/hであった。これにより、活性層13の最上層に位置するバリア層13bを形成した。
【0130】
次に、活性層13上に、ガイド層24の第1の層24aとして50nmの厚みを有するp型In0.05Ga0.95Nを形成した。その後、基板11の温度を1000℃まで昇温して、第2の層24bとして200nmの厚みをするp型GaNを形成した。
【0131】
引き続き、ガイド層24上にp型電子ブロック層25として、20nmの厚みを有し、Mgがドープされたp型Al0.18Ga0.82Nを形成した。その後、p型クラッド層26として、400nmの厚みをするp型Al0.06Ga0.94Nを形成した。次に、p型コンタクト層27として10nmの厚みを有するp型GaNを形成した。
【0132】
その後、MOCVD装置内を降温して、III−V族半導体のエピタキシャルウエハをMOCVD装置から取り出した。以上のステップにより、本発明例2のエピタキシャルウエハを製造した。
【0133】
次に、RIE法により、2μmの幅を有するリッジを形成した。その後、SiO2よりなる絶縁層をプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition:化学蒸着)法により形成した。次いで、p型電極16としてNiおよびAuが積層された電極を蒸着法により形成した。次に、基板11のn型クラッド層22を形成した面と反対の面を研磨して、基板11の厚さを100μmにした。この面に、n型電極17としてTiおよびAlなどが積層された電極を蒸着法により形成した。
【0134】
最後に、m面を劈開して、600μmの共振器長を有する本発明例2のLD20を製造した。
【0135】
(比較例2)
比較例2は、基本的には本発明例2と同様にエピタキシャルウエハおよびLDを製造したが、中断するステップS5では、モノメチルアミンを供給せずに、アンモニアのみを供給した点においてのみ異なっていた。
【0136】
(評価結果)
本発明例2および比較例2のLEDについて、発光波長、閾値電流密度を測定した。その結果を下記の表4に示す。発光波長は、実施例1と同様に測定した。閾値電流密度は、発光出力の電流密度依存性を測定し、発光強度が線形に増加し始める電流密度と定義した。
【0137】
【表4】
【0138】
表4に示すように、比較例2のLDはレーザ発振しなかったが、本発明例2のLDはレーザ発振をした。また、本発明例2は比較例2よりも発光波長が長かったため、長波長化に有利であることがわかった。
【0139】
これらのことから、中断するステップS5においてモノメチルアミンを供給することで、井戸層13aとバリア層13bとの間の成長中断中の井戸層13aの分解を抑制できたので、発光特性を向上し、かつ長波長のLDを実現できることがわかった。
【実施例3】
【0140】
上述した実施例1の手順により、波長の異なるLEDを複数枚作製し、10A/cm2通電時の発光スペクトルの半値全幅を調べた。モノメチルアミンを供給して作製した試料と、アンモニアのみを供給して作製した試料のデータを比較した。
【0141】
図12は、縦軸に発光スペクトルの半値全幅yを、横軸に発光波長xを描いたグラフである。モノメチルアミンを供給して作製した試料(MMAあり)では、データを直線近似すると、y=0.2333x−85.385が得られた。一方、アンモニアのみを供給して作製した試料(MMAなし)では、データを直線近似すると、y=0.4284x−168.91が得られた。
【0142】
このことから、モノメチルアミンを供給して試料を作製すると、半値全幅が小さくなることがわかった。また、波長が長いほど、両試料のデータの差が大きくなることから、波長が長い領域ほど、モノメチルアミンを供給する効果が大きいことがわかった。上記の直線近似式に、チップ間ばらつきの典型値である±3〜5%を考慮して半値全幅を定量化して、モノメチルアミンを使用することで、0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たすような小さい半値全幅と長波長とを兼ね備えた発光素子を実現することができることがわかった。つまり、モノメチルアミンを供給することで、図12における矢印の領域の小さい半値全幅と長波長とが得られることがわかった。
【0143】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、各実施の形態および実施例の特徴を適宜組み合わせることも当初から予定している。また、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【0144】
11,21 基板、12 n型バッファ層、12a,23a,24a 第1の層、12b,23b,24b 第2の層、12c 第3の層、13 活性層、13a 井戸層、13b バリア層、14 p型電子ブロック層、15,27 p型コンタクト層、16,28 p型電極、17,29 n型電極、22 n型クラッド層、23,24 ガイド層、25 p型電子ブロック層、26 p型クラッド層。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、
InとNとを含む井戸層を形成する工程と、
Nを含み、前記井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層を形成する工程と、
前記井戸層を形成する工程後、前記バリア層を形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備え、
前記中断する工程では、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有する前記ガスを供給する、発光素子の製造方法。
【請求項2】
InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、
InとNとを含む井戸層を形成する工程と、
Nを含み、前記井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層を形成する工程と、
前記井戸層を形成する工程後、前記バリア層を形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備え、
前記中断する工程では、前記井戸層および前記バリア層のNの供給源と異なる前記ガスを供給する、発光素子の製造方法。
【請求項3】
前記中断する工程では、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含む前記ガスを供給する、請求項1または2に記載の発光素子の製造方法。
【請求項4】
前記中断する工程では、アンモニアと、アンモニアに対して100分の1以下の濃度のモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方とを含む前記ガスを供給する、請求項3に記載の発光素子の製造方法。
【請求項5】
請求項1〜4の発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、
450nm以上の発光波長を有することを特徴とする、発光素子。
【請求項6】
請求項1〜4の発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、
前記井戸層は、1nm以上10nm以下の厚みを有することを特徴とする、発光素子。
【請求項7】
請求項1〜4の発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、
10A/cm2以上通電したときの半値全幅をy(nm)、発光波長をx(nm)としたときに、
0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たす、発光素子。
【請求項1】
InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、
InとNとを含む井戸層を形成する工程と、
Nを含み、前記井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層を形成する工程と、
前記井戸層を形成する工程後、前記バリア層を形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備え、
前記中断する工程では、900℃においてN2およびNH3から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有する前記ガスを供給する、発光素子の製造方法。
【請求項2】
InとNとを含む量子井戸構造を有するIII−V族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、
InとNとを含む井戸層を形成する工程と、
Nを含み、前記井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層を形成する工程と、
前記井戸層を形成する工程後、前記バリア層を形成する工程前に、Nを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備え、
前記中断する工程では、前記井戸層および前記バリア層のNの供給源と異なる前記ガスを供給する、発光素子の製造方法。
【請求項3】
前記中断する工程では、モノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含む前記ガスを供給する、請求項1または2に記載の発光素子の製造方法。
【請求項4】
前記中断する工程では、アンモニアと、アンモニアに対して100分の1以下の濃度のモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方とを含む前記ガスを供給する、請求項3に記載の発光素子の製造方法。
【請求項5】
請求項1〜4の発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、
450nm以上の発光波長を有することを特徴とする、発光素子。
【請求項6】
請求項1〜4の発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、
前記井戸層は、1nm以上10nm以下の厚みを有することを特徴とする、発光素子。
【請求項7】
請求項1〜4の発光素子の製造方法により製造される発光素子であって、
10A/cm2以上通電したときの半値全幅をy(nm)、発光波長をx(nm)としたときに、
0.2333x−90<y<0.4284x−174の関係を満たす、発光素子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2010−199236(P2010−199236A)
【公開日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−41159(P2009−41159)
【出願日】平成21年2月24日(2009.2.24)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年2月24日(2009.2.24)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】
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