【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＰ型ＧａＮ層が形成された積層体において、その表面が極めて平滑であり、電極特性が良好な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ（Ｘ、ＹおよびＺが、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である）層と、不純物原子がドープされたＧａＮ層と有するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、Ｐ型ＧａＮ層１６が、層厚みをＴ[ｎｍ]とし、Ｐ型ＧａＮ層の層厚み方向における成長速度をＧＲ[ｎｍ／分]とし、Ｐ型ＧａＮ層を形成するために用いられるＧａ原料の流量をＦ_Ｇａ［μｍｏｌ／分］とし、不純物原子原料の流量をＦｉ[μｍｏｌ／分]としたときに、ＧＲが０．１５以上２．０以下、（Ｆｉ／Ｆ_Ｇａ）×ｌｎ（Ｔ）が０．１を超え０．４以下となるように成長させる。 （もっと読む）

【課題】優れた窒化物半導体装置を簡単な工程で製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１０上にｎ型Ａｌ_０．０３Ｇａ_０．９７Ｎクラッド層１２及びｎ型ＧａＮ光ガイド層１４を形成する。ｎ型ＧａＮ光ガイド層１４上に、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用い、キャリアガスに水素を添加して、Ｉｎを含む窒化物系半導体からなる活性層１６を形成する。活性層１６上に、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いてｐ型Ａｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎ電子障壁層１８、ｐ型ＧａＮ光ガイド層２０、ｐ型Ａｌ_０．０３Ｇａ_０．９７Ｎクラッド層２２、ｐ型ＧａＮコンタクト層２４を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室に接続された複数のガス供給管の前記反応室内の複数の出口からIII族原料ガスとＶ族原料ガスとを前記反応室内に供給して前記反応室内に配置された基板上に窒化物系半導体層を成膜する気相成長方法であって、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを互いに異なる出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント以上の窒化物系半導体を含む第１半導体層を成長させる工程と、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを混合して同じ出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント未満の窒化物系半導体を含む第２半導体層を成長させる工程と、を備えた気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】メサストライプ構造に含まれるＺｎとの相互拡散を抑制しつつ、安定的に形成される高抵抗な埋め込み層を備える半導体光素子、及び、その製造方法の提供。
【解決手段】メサストライプ構造の両側部に隣接して配置される、ルテニウムを含む１以上の不純物が添加される半導体を含む埋め込み層には、メサストライプ構造に接して形成されるルテニウムが添加される半導体層からなる第１埋め込み層と、ルテニウムと前記半導体の禁制帯のディープレベルに不純物準位を付与する他の金属が添加される半導体層からなる第２埋め込み層と、を含む。 （もっと読む）

１つ以上のＡｌ含有エッチング停止層を有する（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎレーザダイオードを製造するステップを含む、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎレーザダイオードにおいて選択的エッチングを達成するために使用され得る構造および方法。エッチング停止層は、素子における１つ以上のエッチングされた層のエッチング深さを制御するために使用される層であり、エッチングされた層は、素子内にエッチング停止層と他の層との間に選択的にエッチングされた層を備える。エッチング停止層は、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎのｎ型ドープ、ｐ型ドープ、または非ドープ合金から構成される層に隣接する。最後に、エッチング停止層は、電子遮断層としても機能するか、またはしなくてもよい。
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【課題】簡易に深さ（結合係数）が変化する回折格子の作製することができ、作製された素子の回折格子表面の凹凸が抑制されるため、光損失が低減され、サイドモードが抑制された特性を示す半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１８０１上に上述の開口部の幅を変化させたＳｉＯ２マスク１８０３を形成する。この試料について、メタンと水素の混合ガスを用いたＲＩＥをメタン流量４０ｓｃｃｍ、水素流量５ｓｃｃｍ、放電電力１００Ｗ、ガス圧力４０Ｐａにおいて施すと、幅が１．８μｍの第１の開口部１８０４においてエッチングが進行し、第２の開口部１８０５と第３の開口部１８０６の表面はポリマーが生成され凹凸はほとんど生じない（図７（ｂ））。引き続き、酸素プラズマを酸素流量１０ｓｃｃｍ、ガス圧力１０Ｐａ、放電電力４００Ｗで１分間照射すると、堆積したポリマーが除去される（図７（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】低コスト化及び高出力化を図ることができるとともに、通電劣化を抑制することができるリッジ型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】
第１導電型クラッド層（３）と、第１導電型クラッド層（３）上に形成された活性層（４）と、活性層（４）上に形成され、平坦部と、前記平坦部から突出するように形成されたリッジ部を構成する凸部とを有する第２導電型クラッド層（５，６，７）と、前記凸部の側面上及び前記平坦部上に形成される電流ブロック層（９）とを備え、電流ブロック層（９）が窒化珪素からなり、電流ブロック層（９）の屈折率が１．８６以下であるリッジ型半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】水平方向のビーム広がり角のばらつきを抑制することができるリッジ型の光半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層１４、活性層１８、ｐ型ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層２４及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２６が順次形成されている。コンタクト層２６から第２クラッド層２４の途中までエッチングされてリッジ２８が形成されている。第２クラッド層２４のＡｌ組成はコンタクト層２６に向かって増加する。これにより、水平方向のビーム広がり角のばらつきを抑制することができる。 （もっと読む）

本発明は、一般に、ＬＥＤ構造を形成する装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）プロセスまたは有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）プロセスによって第１の処理チャンバ内で基板上に第１の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第１の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の処理チャンバ内で第１の層を覆って第２の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第２の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の層を覆って第３の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第３の層を形成するステップとを含む、窒化化合物構造を製作する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍ以上の発光波長を有する窒化物半導体発光素子において、発光効率の向上、歩留まりの向上または発光素子の長寿命化を図る。
【解決手段】発光層は、１以上の井戸層、１以上の障壁層、および前記井戸層と前記障壁層との間に接して設けられた１以上の保護層を含み、４３０ｎｍ以上の発光波長を有するものであり、ＩｎとＧａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより井戸層を形成する工程と、Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより保護層を形成する工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料の供給を停止し、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスを供給して、所定の時間、結晶成長を中断する第１の成長中断工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスにより障壁層を形成する工程、をこの順に含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、共振器端面にダメージを与えずに表面のクリーニングを行い、瞬時光学損傷への耐性が維持された信頼性の高い窒化物半導体レーザを得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる窒化物半導体レーザの製造方法は、窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ２００の製造方法であって、（ａ）前記窒化物半導体層に、光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を形成する工程と、（ｂ）窒素を含むガスを熱分解してラジカル化した雰囲気に、前記光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を暴露する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＦＦＰがリップルの少ない良好なガウシアン形状となる半導体発光素子を提供すること。また、共振器端面と保護膜との密着性を向上させ、製造効率の増大を図り、製造コストの低減を行うことができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板と、該基板上に積層された半導体層と、該半導体層の共振器側の端面に形成された突出部とを有する半導体発光素子において、前記突出部は、光出射面と側面とを有しており、前記突出部の平面視形状は、連続した波状形状又は凹凸形状をしており、前記突出部の側面は、光出射面よりも表面粗さが大きい領域を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、ＩｎとＮとを含む量子井戸構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、ＩｎとＮとを含む井戸層１３ａを形成する工程と、Ｎを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層１３ｂを形成する工程と、井戸層１３ａを形成する工程後、バリア層１３ｂを形成する工程前に、Ｎを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、９００℃においてＮ₂およびＮＨ₃から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。また中断する工程では、井戸層１３ａおよびバリア層１３ｂのＮの供給源と異なるガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】Ｎソースガスを時刻ｔ２で急激に増加して、時刻ｔ２１において定常値に到達する。時刻ｔ２にＧａソースガスの供給を再び開始した後に、Ｇａソースガスの供給量をゆるやかに増加させて時刻ｔ２１の後の時刻ｔ２２において定常値に到達する。また、時刻ｔ２にＩｎソースガスの供給を開始した後に、Ｉｎソースガスの供給量をゆるやかに増加させて、例えば時刻ｔ２２において定常値に到達する。この実施例では、Ｉｎソースガスが時刻ｔ２２で定常値に到達するが、この時刻は、時刻ｔ２１よりも遅い時刻である。時刻ｔ２と時刻ｔ２２との差は時間△ｔ２０である。時間△ｔ２０は時間△ｔ２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体領域の半極性主面上に、良好な発光特性を有する窒化物系半導体光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０６では、成長炉１０の温度を温度Ｔ_Ｗに保ち、半極性主面２３ａ上に時刻ｔ４〜ｔ５の期間でＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ井戸層２５ａを成長する。工程Ｓ１０７では、井戸層２５ａの成長完了の直後に、温度Ｔ_Ｗで、井戸層２５ａの主面を覆う保護層２７ａの成長を開始する。保護層２７ａは、井戸層２５ａのバンドギャップエネルギより大きく障壁層２３のバンドギャップエネルギ以下の窒化ガリウム系半導体からなる。工程Ｓ１０８では、障壁層を成長する前に成長温度Ｔ_Ｗから成長温度Ｔ_Ｂに成長炉１０の温度を変更する。成長炉１０の温度を成長温度Ｔ_Ｂに保ちながら、時刻ｔ８〜ｔ９で、窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２９ａを保護層２７ａ上に成長する。 （もっと読む）

【課題】長波長化のためにＩｎ組成の高い活性層を用いた場合でも、レーザ発振特性が良好である窒化物系青色半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体レーザは、ｃ面半導体基板１０１と、ｃ面半導体基板１０１上に形成された第１クラッド層１０２及び第２クラッド層１０６と、その間に設けられた量子井戸活性層１０４とを備えている。量子井戸活性層１０４は、Ｉｎ、Ｇａ及びＮを含む量子井戸層１２１と、量子井戸層１２１のｃ面半導体基板１０１側に形成された第１バリア層１２２と、量子井戸層１２１を介して当該第１バリア層１２２と対向して形成された第２バリア層１２３とを備え、量子井戸層１２１内のＩｎ組成は、第２バリア層１２３側から第１バリア層１２２に向けて高くなっており、第１バリア層１２２のバンドギャップよりも第２バリア層１２３のバンドギャップの方が大きい。 （もっと読む）

【課題】基板のＡｌＧａＮが露出した最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させるのに適したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法およびその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水素と窒素とアンモニアとを含み水素の体積比率が水素の体積と窒素の体積との合計体積の０．２以下であるガス雰囲気または窒素とアンモニアとを含み水素を含まないガス雰囲気においてＡｌＧａＮが最表面に露出した基板を９００℃以上に加熱する加熱工程と、加熱工程後に基板の最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させる結晶成長工程とを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法とその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】生成された結晶に含まれる酸素の濃度を低くすることができるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３と還元性ガスＨ_２２１ｂとを加熱状態で反応させて、ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３の還元物ガスＧａ_２Ｏを生成させる還元物ガス生成工程と、還元物ガスＧａ_２Ｏと窒素含有ガス２３ｃとを反応させて、ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４を生成する結晶生成工程とを有する。ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４は、ＧａＮ結晶である。 （もっと読む）