【課題】ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する。
【解決手段】ＳｉＣ層１０にＳｉＯ_２層を形成し、次いで、熱伝導率を高めるためにダイアモンド層１１を形成する。そして、ＳｉＣ層１０の厚さを低減し、ダイアモンド層１１及びＳｉＣ層１０の向きを逆にしてダイアモンド１１を基板とする。次いで、ＳｉＣ層１０上に、バッファ層１６、ヘテロ構造層１４及び１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】平坦性が向上した半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成されたＩｎＧａＮからなる多重井戸構造を備える活性層１５とを備え、ｎ型積層構造が、ＧａＮ層１１と、ＧａＮ層１１上に形成されたドープ層１０と、ドープ層１０上に設けられた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２と、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１５とを備え、ｎ型積層構造（１１〜１４）がＳｉを５ｘ１０17ｃｍ-3以上２ｘ１０19ｃｍ-3以下の濃度で含有し、厚さが０．３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のドープ層１０と、ドープ層１０よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】新規な垂直光電子構造の製造方法、及び、垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、垂直光電子構造の製造方法であって、ａ）第１の基板と、第１の基板に形成されたＩｎＧａＮシード層との積層体を提供するステップと、ｂ）基板上ＩｎＧａＮ構造を得るために、ＩｎＧａＮシード層上にＩｎＧａＮ層を成長させるステップと、ｃ）ＩｎＧａＮ層の表面上にわたって第１のミラー層を形成するステップと、ｄ）第１の基板を剥離するステップと、ｅ）ＩｎＧａＮの反対の表面上にわたって第２のミラー層を形成するステップとをさらに含む垂直光電子構造の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させることができる窒化物半導体素子、その窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体発光素子、ならびに結晶性を向上させることができるとともに表面の平坦性に優れた窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第１の窒化物半導体層を積層した後に、第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を保護する台座領域を有する場合においても、リップルが低減され、遠視野像の形状がガウシアン形状に近い窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。半導体層積層体２０は、リッジ部２０ａと、溝部２０ｃによりリッジ部２０ａと分離された台座部２０ｂとを有する。リッジ部２０ａの側壁及び溝部２０ｃの底面におけるリッジ部２０ａ側の領域は、誘電体層１６に覆われている。溝部２０ｃの底面と台座部２０ｂの側壁とに跨って、誘電体層１６と比べて発光波長における消衰係数が大きい材料からなる光吸収膜３２が形成されている。台座部２０ｂの上面の高さは、リッジ部２０ｂの上面の高さ以上である。 （もっと読む）

【課題】非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】１つ以上の非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層が、金属・有機化学気相成長ＭＯＣＶＤを使用して、ｒ平面（１１０２）サファイア基板上で成長される。これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 （もっと読む）

【課題】素子特性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成された上部クラッド層８と、上部クラッド層８の途中の深さまでドライエッチングされることによって形成されたリッジ部１１とを備えている。上部クラッド層８は、ＡｌＧａＮから構成されており、上部クラッド層８中には、屈折率の異なるエッチング終点モニター層８ａが形成されている。このエッチング終点モニター層８ａは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮの組成から構成されており、そのＡｌ組成比ｘは、０．１５以上０．３以下に設定されている。また、上記エッチング終点モニター層８ａは、０．０１５μｍ以上０．０３μｍ以下の厚みに形成されている。 （もっと読む）

【課題】劈開時に生じた段差に起因する歩留まりの低下やレーザ特性の劣化を抑制し得る構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。段差閉じ込め層１９は、半導体基板１２に対して１％以上の圧縮歪み量を有する。キャップ層１７は、活性層１６よりも広いバンドギャップを有し、段差閉じ込め層１９のバンドギャップは、活性層１６のバンドギャップよりも広く、かつキャップ層１７のバンドギャップよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】活性層の平坦性を高くすると共に、表面酸化しないクラッド層を備えた光半導体素子とする。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０２上に、ＩｎＧａＡｓバッファ層１２１と、格子緩和したＩｎＧａＡｓ１２２を形成して擬似的なＩｎＧａＡｓ基板する。この基板上に、量子井戸層１３１を下クラッド層１１１と上クラッド層１１３で挟んだ半導体構造を構成する。このとき、下クラッド層１１１をＩｎＡｌＧａＡｓとして活性層の平坦性を高くし、上クラッド層１１３をＩｎＧａＰとして表面酸化（劣化）せず信頼性を向上した。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることにより、一層結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。
【解決手段】C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 （もっと読む）

【課題】寿命が低下するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子３０は、基板１１と、基板１１の側端面３０ａの主表面側に形成された段差部２１ｃと、側端面３０ａの反対側で、かつ、側端面３０ａと略平行な側端面３０ｂの主表面側に形成された段差部２１ｄと、主表面上に、段差部２１ｃの側壁２１ａを起点とする（０００−１）面からなる結晶成長面１２ａと、段差部２１ｄの側壁２１ｂを起点とする結晶成長面１２ｂとを含む窒化物系半導体層１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが複雑になるのを抑制することが可能で、かつ、発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子５０（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１の（１−１００）面からなる主表面上に下地層２を介して形成され、（１−１００）面を主面とする発光層６を有する半導体レーザ素子層３と、半導体レーザ素子層３の発光層６を含む領域の端部に形成され、発光層６の主面（（１−１００）面）に対して略垂直な方向に延びる（０００−１）面からなる光出射面２０ａと、（０００−１）面からなる光出射面２０ａと対向する領域に形成され、半導体レーザ素子層３の成長面からなり、光出射面２０ａに対して角度θ_１（約６２°）傾斜した方向に延びる反射面２０ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体を用いた発光装置において、光取出効率を増大させる。
【解決手段】サファイア基板１０の表面にナノインプリントプロセス及びＲＩＥでナノ寸法の凹凸構造を形成し、その上にＧａＮ層１４、ｎ型ＧａＮ層１６、活性層１８、ｐ型ＧａＮ層２０を形成する。凹凸構造により活性層１８からの光の反射を抑制する。サファイア基板１０とＧａＮ層１４との界面にＳｉＯ_２あるいは金属を蒸着してもよい。ｐ型ＧａＮ層２０の外表面にナノ寸法の凹凸構造を形成してもよい。 （もっと読む）

紫外発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ１２、及び安定したｃｗ出力を呈するＡｌＩｎＧａＮ多重量子井戸活性領域５００を用いて該紫外発光ダイオードアレイを製造する方法。ＬＥＤは、その上に紫外発光アレイ構造を有するテンプレート１０を備える。テンプレートは、第１のバッファ層３２１、そして第１のバッファ層上に第２のバッファ４２１を備える。好ましくは双方のバッファ層内に歪み緩和層がある。次に、第１のタイプの導電率を有する半導体層５００が存在し、続いて、１９０ｎｍ〜３６９ｎｍの範囲の放射スペクトルを有する量子井戸領域６００を提供する層が存在する。次に、第２のタイプの導電率を有する別の半導体層８００が適用される。第１の金属コンタクト９８０は、第１の層と電気的に接触する電荷拡散層であり、ＬＥＤアレイの間にある。第２のコンタクト９９０が第２のタイプの導電率を有する半導体層に適用され、ＬＥＤが完成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】発光出力の高いＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物化合物半導体とは屈折率が異なる基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、第一の層およびＤＢＲ層がこの順序で設けられており、該ＤＢＲ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように設けられており、該第一の層の厚さが１０００ｎｍ以下であるＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶ミラー直下の活性領域にキャリアを効率的に注入することが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１００上に、下部ミラーを構成する第１の反射ミラー１０２と、上部ミラーを構成する第２の反射ミラー１１２と、これらの反射ミラー間に設けられた活性層１０６と、を有する垂直共振器型面発光レーザであって、
前記第２の反射ミラーは、導電性を有する第１の媒質１１００と、該第１の媒質よりも屈折率が低い第２の媒質１１０２とによる、前記基板の面内方向に周期的に配列された屈折率周期構造を備え、
前記屈折率周期構造の下部側には、前記第１の媒質よりも屈折率が低い第３の媒質１１０４による層状構造が、前記第１の媒質内に埋め込まれている構成とする。 （もっと読む）

パターニングされた基板上に改良された品質の窒化物の薄い薄膜を成長させる方法が開示され、窒化物薄膜は大気圧で成長する。パターニングされた基板と、パターニングされた基板からの１つ以上の窒化物層直接成長とを備え、横方向のエピタキシャルの成長のない領域、および、表面への発光デバイス品質の窒化物層の後の堆積に十分であるほど滑らかである実質的に合体した表面を備えている、窒化物テンプレートが開示される。窒化物薄膜を備えている発光ダイードもまた開示される。
（もっと読む）

【課題】活性層の結晶性の悪化を抑制することができ、大電流密度で発光効率の高い半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。また、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層とを含み、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層との間に第１のｐ型窒化物半導体層を備え、窒化物半導体活性層から見て第１のｐ型窒化物半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）