【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】光出力の低減を抑制しつつ比較的に低い閾値電圧で駆動可能な半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の作製方法とを提供する。
【解決手段】端面発光型の半導体レーザ素子１１であって、六方晶系半導体からなる支持基体１の主面１ａの上に設けられた活性層３と、活性層３上に設けられたｐ型窒化物半導体領域４と、ｐ型窒化物半導体領域４上に設けられたＩＴＯ電極５ａと、を備え、ｐ型窒化物半導体領域４のｐ側クラッド層４ｃは、０．１８μｍ以上０．２２μｍ以下の範囲の膜厚を有し、ＩＴＯ電極５ａは、活性層３の発振波長の光に対し２．５×１０^３ｃｍ^−１以上３．０×１０^３ｃｍ^−１以下の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】動作波長を長波長化し得るとともに、利得異方性を十分に低減し得る量子半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成され、格子定数が半導体基板の格子定数より大きい量子ドット２０と、量子ドットの側面に接するように半導体基板の上方に形成され、格子定数が、半導体基板の格子定数の０．７９倍〜１．００５倍の範囲内であり、量子ドットの格子定数より小さく、ヤング率が、半導体基板のヤング率より小さいサイドバリア層２２とを有している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させ、光出力及び信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明は、ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮ超格子構造、またはＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ｎ−ＧａＮ超格子構造の第１窒化物半導体層２０７と、第１窒化物半導体層２０の上に形成されて光を放出する活性層２１１と、活性層２１１の上に形成された第２窒化物半導体層２１３と、第２窒化物半導体層２１３の上に形成された第３窒化物半導体層２１５が含まれる窒化物半導体発光素子に関するものであって、本発明によれば、窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性が向上し、光出力及び信頼性が向上する長所がある。 （もっと読む）

【課題】 リッジ部への応力の集中を避けることが可能であると共に傾くことを抑制可能なIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体レーザ１は、リッジ部２４を含むIII族窒化物半導体積層２０と、III族窒化物半導体積層２０の上に設けられた絶縁膜６０と、リッジ部２４の上面２４ａと接合を成すｐ電極７１と、絶縁膜６０及びｐ電極７１の上に設けられたｐパッド電極７２と、絶縁膜６０の上に設けられた第１の擬似パッド８１及び第２の擬似パッド８２とを備える。III族窒化物半導体積層２０は、順に配列された第１の部分２１、第２の部分２２及び第３の部分２３を有する。第２の部分２２は前記リッジ部２４を含む。第１の擬似パッド８１は第１の部分２１の上に設けられ、第２の擬似パッド８２は第３の部分２３の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高性能な窒化物系III−Ｖ族化合物半導体素子を歩留まり良く安価に製造する。
【解決手段】基板１１上に、高炭素濃度Ａｌ−Ｎ系化合物半導体単結晶層からなる第１バッファ層１２、低炭素濃度Ａｌ−Ｎ系化合物半導体単結晶層からなる第２バッファ層１３をエピタキシャル成長し、その上に、不純物元素を故意にドープしない第１の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１４を、平坦化が不十分な状態でエピタキシャル成長し、その上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を濃度１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上含むように、第２の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１６をエピタキシャル成長し、その上に、素子構造部（２１〜２９）をエピタキシャル成長する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制し、かつレーザ光を基準面に対して略直交する方向に射出することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 各発光部は、基板、バッファ層、下部半導体ＤＢＲ、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、上部電極１１３、下部電極、配線部材、及び誘電体層１１６などを有している。基板は、ｘ軸方向を傾斜軸方向とする傾斜基板である。そして、誘電体層１１６は、ｚ軸方向からみたとき、内径の中心が射出領域の中心に対して＋ｙ方向に０．２μｍシフトしている。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸調整が容易であり、且つ小型化が可能な半導体レーザ集積素子および半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ集積素子１０と、半導体レーザ素子４０とを備える。半導体レーザ集積素子１０では、２つの半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂが半導体基板１１上に形成されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ青色レーザ光及び緑色レーザ光を出力する。半導体レーザ素子４０は赤色レーザ光を出力し、半導体レーザ構造２０Ａ上にフェースダウン実装されている。半導体レーザ集積素子１０は、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各共振端面を覆う誘電体膜を更に備える。各共振端面上における誘電体膜の厚さは略等しく、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各発振波長における誘電体膜の反射率の差は１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶基板上にモフォロジーが良好で均一な物性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層が成長された高特性のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ＧａＮ結晶基板１００と、ＧａＮ結晶基板１００の主面１００ｍ上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００と、を含み、ＧａＮ結晶基板１００は、マトリックス結晶領域１００ｓとｃ軸反転結晶領域１００ｔとを含み、主面１００ｍと｛０００１｝面１００ｃとの間のオフ角θについて、＜１０−１０＞方向および＜１−２１０＞方向のうちいずれか一方の方向を第１方向とし他方の方向を第２方向とするとき、第１方向のオフ角成分の絶対値｜θ₁｜が０．０３°以上１．１°以下、かつ、第２方向のオフ角成分の絶対値｜θ₂｜が０．７５×｜θ₁｜以下である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により特性低下を防止することができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。活性層１０５はｎ型クラッド層１０３の上方に形成される。ｐ側光閉じ込め層１０７は活性層１０５の上方に形成される。電流ブロック層１０８はｐ側光閉じ込め層１０７の上方に、開口部１０９を介して対向する一対の帯状に形成される。ｐ型クラッド層１１０は電流ブロック層１０８及びｐ側光閉じ込め層１０７の上に形成される。ｐ型コンタクト層１１１はｐ型クラッド層１１０の上方に形成される。ｐ型コンタクト層１１１から活性層１０５を貫通する一対の溝部１３０に挟まれ、メサ部１２０が形成される。電流ブロック層１０８及び開口部１０９はメサ部１２０の内部に含まれる。電流ブロック層１０８の開口部１０９と反対側の端部とメサ部１２０の側壁とは、所定値以上離隔している。 （もっと読む）

【課題】ストライプ形状の複数の半導体レーザ素子が配列された半導体チップとサブマウントとを接合する場合に、半導体レーザ素子の電極とサブマウント側の対応する配線層の位置合せの許容度を高めて、生産効率を高めることができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント３０には、配線層３１ａ〜３１ｄが形成されている。半導体チップ４０には、ストライプ状のリッジ部Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。リッジ部Ｒ１〜Ｒ４上には、接続電極部４１ａ〜４１ｄが形成されている。ストライプ状のリッジ部の全体を含む範囲を、ストライプ方向を横切る方向で２つのブロックに分割し、かつ、ストライプ方向に沿って２分割して、合計４つの分割領域を生成している。１つの分割領域内に１つの接続電極部を形成し、各接続電極の配置位置を、ストライプ方向を横切る方向に対してすべて異なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は、窒化物半導体からなり、コート膜は、アルミニウムの酸窒化物からなり、厚さ方向に酸素の含有量が異なる窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】
回折格子層の結合係数をより改善した光半導体素子を提供することにある。
【解決手段】
凸凹周期構造の回折格子ベース層と、その凸凹構造を埋めるように形成される回折格子カバー層と、を含む回折格子層において、回折格子ベース層凹部上部の回折格子カバー層の屈折率は、回折格子ベース層凸部上部の回折格子カバー層の屈折率よりも大きく、かつ回折格子ベース層の屈折率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内で素子ごとにエッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有する第一のマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、第一のマスクの周辺に第一のマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための第二のマスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマを第一のマスク１９００および第二のマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物のパイルアップによるｐ型キャリア濃度の低減を抑制したIII−Ｖ族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】大気中に暴露されたｐ−ＩｎＰ層１３ａ上に、Ｚｎ及びＳｂを含むｐ−ＩｎＰ層１４ａと、Ｚｎを含むｐ−ＩｎＰ層１４ｂとを順次積層して、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体結晶を再成長させると共に、ｐ−ＩｎＰ層１４ａ中におけるＺｎの濃度をｐ−ＩｎＰ層１４ｂ中におけるＺｎの濃度より高くした。 （もっと読む）

【課題】凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置において、リッジ部とそれに接続される電極とのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】リッジ部１６Ａの上方に厚い膜厚の酸化シリコン膜１８を堆積し、リッジ部１６Ａが形成された領域とその周囲との実効的な段差を大きくする。これにより、リッジ部１６Ａの両側に塗布されたフォトレジスト膜２２の膜厚を厚くすることができるので、フォトレジスト膜２２を露光する際の露光光量を調節することによって、リッジ部１６Ａの両側にフォトレジスト膜２２の未露光部分を残す際、その上面の高さ（未露光部分の膜厚）を高い寸法精度で制御することができる。 （もっと読む）

【課題】電流の利用効率を高めた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１ｐクラッド層１４上の所定の領域に形成されたリッジ部２と、第１ｐクラッド層１４上におけるリッジ部２の近傍の領域に凹部を介して配置されたランド部３と、リッジ部２に接続する電極２０と備え、ランド部３は、第２ｐクラッド層１６、コンタクト層１８、ｎ型ＧａＡｓ層２１と備え、リッジ部２は、第２ｐクラッド層１６、コンタクト層１８を備え、電極２０はリッジ部２のコンタクト層１８と接続している。 （もっと読む）

【課題】高光密度側端面近傍において電流集中を緩和し、また、放熱を悪くすることなく、さらに、閾値電流付近に過飽和吸収による光出力の飛びがなく、高出力・高信頼を有する半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０９と、バッファー層１０６，１０７と、第１のＳＣＨ層１０２と、活性層１０１と、第２のＳＣＨ層１０３と、第２のクラッド層１０５と、キャップ層１０８と、電極１１３とを備え、第２のクラッド層１０５およびキャップ層１０８がリッジに形成され、キャップ層１０８のリッジ頂上以外における電極１１３との間に絶縁膜１１０が挿入され、光密度の高い側端面近傍のバッファー層１０７がこれ以外のバッファー層１０６と比べ抵抗率が高くなるようにした。 （もっと読む）