【課題】窒化物半導体層の側面に配置される保護膜として最適な材料を確保して、配置することにより、密着性、放熱性、光出射効率及び／又はリップル低減等において良好な特性を与えることができる、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に積層される窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上方に配置されたＳｉとＣとを含む第１保護膜１７と、第１保護膜１７と接して、窒化物半導体層と電気的に接続する電極１９とを有し、第１保護膜１７は、電極１９との界面に、電極１９を構成する少なくとも一部の元素と第１保護膜１７を構成する少なくとも一部の元素とが混在した混在層１８を有する窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ピットの拡大を防ぎかつクラスターの発生を抑制して高品質の窒化物半導体を得ることを可能にする。
【解決手段】不活性ガスからなる第１キャリアガスを用いて基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を含む第１半導体層を第１成長温度で成長させる工程と、前記不活性ガスと、この不活性ガスよりも少量の水素とを含む第２キャリアガスを用いて、前記第１半導体層上に、前記第１成長温度よりも高い第２成長温度でＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）を含む第２半導体層を成長させる工程と、
前記第２キャリアガスよりも水素の含有量の少ない第３キャリアガスを用いて、前記第２半導体層上に、前記第２成長温度で、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０≦ｚ＜１、ｚ＜ｘ）を含む第３半導体層を成長させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化されたｐ型窒化ガリウム系半導体層を含むIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】支持体１３の主面１３ａは、基準平面Ｓｃに対して４０度以上１４０度以下の角度ＡＬＰＨＡを成しており、基準平面Ｓｃは該III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する。主面１３ａは半極性及び無極性のいずれか一方を示す。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７の炭素濃度は２×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。
【解決手段】エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ₂マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍ以上の発光波長を有する窒化物半導体発光素子において、発光効率の向上、歩留まりの向上または発光素子の長寿命化を図る。
【解決手段】発光層は、１以上の井戸層、１以上の障壁層、および前記井戸層と前記障壁層との間に接して設けられた１以上の保護層を含み、４３０ｎｍ以上の発光波長を有するものであり、ＩｎとＧａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより井戸層を形成する工程と、Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより保護層を形成する工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料の供給を停止し、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスを供給して、所定の時間、結晶成長を中断する第１の成長中断工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスにより障壁層を形成する工程、をこの順に含む。 （もっと読む）

【課題】高いＰＬ発光強度を安定して得ることが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法では、ガス供給管２１およびリアクタ２２にＭｇが残留している状態下において、ガス供給管２１をベーキングして真空置換する工程、リアクタ２２をベーキングして真空置換する工程、および、リアクタ２２の内壁上にコート膜３１を形成する工程の全てを行うことによって、活性層４のエピタキシャル成長時に、活性層４にドープされてしまうＭｇの濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりが高い一次元アレイ素子の製造方法および信頼性が高い一次元アレイ素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる一次元アレイ素子の製造方法であって、エピタキシャル成長を用いて、主表面として（１００）面を有する基板の該主表面上に、素子領域中の一部に活性領域を有する単一素子を＜０１１＞方向に対してゼロよりも大きい角度をなす配列方向に複数配列して構成した一次元アレイ素子を複数形成し、該形成した一次元アレイ素子を素子分離する。 （もっと読む）

【課題】発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、ＩｎとＮとを含む量子井戸構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、ＩｎとＮとを含む井戸層１３ａを形成する工程と、Ｎを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層１３ｂを形成する工程と、井戸層１３ａを形成する工程後、バリア層１３ｂを形成する工程前に、Ｎを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、９００℃においてＮ₂およびＮＨ₃から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。また中断する工程では、井戸層１３ａおよびバリア層１３ｂのＮの供給源と異なるガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】
巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。
【解決手段】
本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の高精度な制御が容易であり、かつ、保護膜と共振器端面との剥離を抑制する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子３０は、半導体基板１、半導体基板１上に順次設けられた半導体層２〜９，１２，１３及び第１電極１５、並びに半導体基板１における第１電極１５とは反対側に設けられた第２電極１６を備えると共に、これら１〜９，１２，１３，１５，１６の各一端面を有して構成された第１共振器端面Ａ１、及びこれに対向する第２共振器端面Ｂ１を備えた共振構造体２０を備えている。第１共振器端面Ａ１並びに第１電極１５及び前記第２電極１６における第１共振器端面Ａ１近傍の領域に亘って第１保護膜２４が形成されており、第２共振器端面Ｂ１並びに第１電極１５及び前記第２電極１６における第２共振器端面Ｂ１近傍の領域に亘って第２保護膜２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の作製プロセス中、半導体ウェハにダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１の上に、活性層１７を含む半導体積層１３を成長する第１工程と、第１工程の後に、半導体積層１３の上に、所定の膜応力および所定の厚みを有するシリコン酸化膜２１を形成する第２工程と、第２工程の後に、シリコン酸化膜２１の上に形成したレジスト２３を用いてシリコン酸化膜２１を半導体積層１３の表面が露出するまでエッチングすることにより、シリコン酸化膜２１にストライプ状の溝２５を形成する第３工程と、第３工程の後に、溝２５に、ｐ型クラッド層１９の他の一部１９ｂを成長する第４工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所望の反射特性を有する端面コーティング膜を効率良く形成することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子の製造方法では、発振波長が異なる複数のサンプル１に同一の反射防止膜１１を成膜することにより、製品となる半導体レーザ素子に形成した反射防止膜の反射率を直接測定する従来の場合とは異なり、数十ｎｍにわたる広い波長範囲において反射防止膜１１の波長依存性を求めることが可能となる。したがって、波長依存性から決定される反射防止膜１１の膜構造と設計時の膜構造とを比較し、製品となる分布帰還型半導体レーザ素子への反射防止膜１１の成膜条件を補正することにより、所望の反射特性を有する反射防止膜１１を効率良く形成できる。 （もっと読む）

【課題】量子井戸構造の質の向上を図ることができるＺｎＯ系半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる井戸層を成長する工程と、（ｃ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる障壁層を、サーファクタントとしてＳを供給しながら成長する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１３上に有機金属気相成長法で形成され、該ＩｎＰ基板１３の格子定数に対して２％以上大きい格子定数を有する量子井戸層１０を含む量子井戸構造において、前記量子井戸層１０は、成長温度が４４０℃以上５１０℃以下、かつ、成長速度が１．５μｍ／時以上で形成した。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体結晶層を成長する場合にも、半導体結晶層の層厚を均一化できる気相成長方法を提供する。
【解決手段】基板(1)を保持した自転サセプタ(2)を公転サセプタ(3)に設置して前記基板(1)を自公転させ、加熱された前記基板(1)上に原料ガス(G)を供給して基板(1)上に半導体
結晶を成長させる気相成長方法において、前記基板(1)上に一つの半導体結晶層を成長さ
せるのに要する基板(1)の自転回数が１６回未満の場合に、前記一つの半導体結晶層を成
長させる時間を前記基板(1)の自転周期の整数倍とした。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法により電極・配線層を形成する化合物半導体素子において、メッキ液がバリアメタル層を物理的に通り抜けたり、エッチングして化合物半導体層に浸入し、発振不良や電気特性不良などの素子特性不良が生じることを抑制する。
【解決手段】スパッタリングによりバリアメタル層としてＭｏ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層およびＷ層のいずれかを形成する際に、何れも、スパッタリング時の入力パワーが２０００Ｗ以上５０００Ｗ以下に設定することによって、スパッタリング時の入力パワーを１０００Ｗとした従来技術の場合に比べて、バリアメタル層１３の膜質を、従来技術のような多孔質ではなく、緻密な繊維状の多結晶膜とし、バリアメタル層１３の金属粒径を５０ｎｍ以下として金属粒径が半分以下に小さくする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりがよく、局所的な領域から光を放出する側面発光半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０¹⁹ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は窒化物半導体からなり、光出射部に接するコート膜が光出射部側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなる窒化物半導体発光素子である。また、共振器端面にコート膜が形成されている窒化物半導体レーザ素子を製造する方法であって、劈開により共振器端面を形成する工程と、共振器端面に共振器端面側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなるコート膜を形成する工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 金属−半導体界面に１μｍ以下の凹凸を高密度に形成することにより、駆動電圧を低下させることができ、それによって発熱量の低下に基づく長寿命化及び高発光効率を期待できる窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の窒化物系半導体発光素子は、以下の（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とする。
（１）窒化物化合物半導体素子の表面に段差が大きい凹凸を形成する工程、
（２）前記段差が大きい凹凸の表面に段差が小さい凹凸を形成して段差の大きさが異なる２段階の凹凸を形成する工程、
（３）前記段差の大きさが異なる２段階の凹凸の表面に電極を形成する工程。 （もっと読む）

【課題】 急峻なヘテロ接合を有する高品質なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＳｂとＡｓを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の半導体層と、Ｓｂを含まず、Ａｓを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の半導体層とのヘテロ接合を有する化合物半導体素子を、分子線エピタキシー法により製造する方法であって、前記第１の半導体層を形成する工程においてＡｓ分子線の分子種としてＡｓ４を用い、前記第２の半導体層を形成する工程においてＡｓ分子線の分子種としてＡｓ２を用いることを特徴とする。 （もっと読む）