【課題】結晶性が損なわれることなく比較的小さい接触抵抗と比較的高いキャリア濃度とを有するｐ型のコンタクト層を有するＩＩＩ族窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層１７の上に設けられたコンタクト層２５ａとコンタクト層２５ａの上に設けられコンタクト層２５ａに直接接するコンタクト層２５ｂとコンタクト層２５ｂの上に設けられコンタクト層２５ｂに直接接する電極３７とを備える。コンタクト層２５ａ及びコンタクト層２５ｂはｐ型の同一の窒化ガリウム系半導体から成り、コンタクト層２５ａのｐ型ドーパントの濃度はコンタクト層２５ｂのｐ型ドーパントの濃度よりも低く、コンタクト層２５ａとコンタクト層２５ｂとの界面Ｊ１はｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０未満の角度で傾斜しており、コンタクト層２５ｂの膜厚は２０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅１９０５が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、マスク１９００が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物のパイルアップによるｐ型キャリア濃度の低減を抑制したIII−Ｖ族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】大気中に暴露されたｐ−ＩｎＰ層１３ａ上に、Ｚｎ及びＳｂを含むｐ−ＩｎＰ層１４ａと、Ｚｎを含むｐ−ＩｎＰ層１４ｂとを順次積層して、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体結晶を再成長させると共に、ｐ−ＩｎＰ層１４ａ中におけるＺｎの濃度をｐ−ＩｎＰ層１４ｂ中におけるＺｎの濃度より高くした。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性に起因する不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において前記第一ｎ型半導体層上に、第二ｎ型半導体層と、障壁層およびＧａ_１−ｙＩｎ_ｙＮ（０．０７＜ｙ＜０．３０）なる組成の井戸層からなる発光層と、ｐ型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記障壁層を第一の成長温度Ｔ１で成長させた後に、前記第一の成長温度Ｔ１よりも高温の第二の成長温度Ｔ２に昇温して前記障壁層を成長させ、さらに、前記第二の成長温度Ｔ２よりも低温の前記第三の成長温度Ｔ３に降温して前記障壁層の成長を続けることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ピットの拡大を防ぎかつクラスターの発生を抑制して高品質の窒化物半導体を得ることを可能にする。
【解決手段】不活性ガスからなる第１キャリアガスを用いて基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を含む第１半導体層を第１成長温度で成長させる工程と、前記不活性ガスと、この不活性ガスよりも少量の水素とを含む第２キャリアガスを用いて、前記第１半導体層上に、前記第１成長温度よりも高い第２成長温度でＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）を含む第２半導体層を成長させる工程と、
前記第２キャリアガスよりも水素の含有量の少ない第３キャリアガスを用いて、前記第２半導体層上に、前記第２成長温度で、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０≦ｚ＜１、ｚ＜ｘ）を含む第３半導体層を成長させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、基板１０１と、前記基板１０１の主面上に積層されたｐ型層１０８および１０９とを含み、前記基板主面は、非極性面であり、前記ｐ型層１０８および１０９は、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩ族酸化物半導体の少なくとも一方から形成され、且つ、前記ｐ型層１０８および１０９の上面が、前記基板主面と面方位が異なるファセット面を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易に深さ（結合係数）が変化する回折格子の作製することができ、作製された素子の回折格子表面の凹凸が抑制されるため、光損失が低減され、サイドモードが抑制された特性を示す半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１８０１上に上述の開口部の幅を変化させたＳｉＯ２マスク１８０３を形成する。この試料について、メタンと水素の混合ガスを用いたＲＩＥをメタン流量４０ｓｃｃｍ、水素流量５ｓｃｃｍ、放電電力１００Ｗ、ガス圧力４０Ｐａにおいて施すと、幅が１．８μｍの第１の開口部１８０４においてエッチングが進行し、第２の開口部１８０５と第３の開口部１８０６の表面はポリマーが生成され凹凸はほとんど生じない（図７（ｂ））。引き続き、酸素プラズマを酸素流量１０ｓｃｃｍ、ガス圧力１０Ｐａ、放電電力４００Ｗで１分間照射すると、堆積したポリマーが除去される（図７（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。
【解決手段】エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ₂マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 （もっと読む）

【課題】精度良く加工された窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された第１の窒化物半導体層１０７と、第１の窒化物半導体層１０７の上に形成された欠陥導入層１０８と、欠陥導入層１０８の上に接して形成され、欠陥導入層１０８を露出する開口部を有する第２の窒化物半導体層１０９とを備えている。欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 （もっと読む）

【課題】水平方向のビーム広がり角のばらつきを抑制することができるリッジ型の光半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層１４、活性層１８、ｐ型ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層２４及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２６が順次形成されている。コンタクト層２６から第２クラッド層２４の途中までエッチングされてリッジ２８が形成されている。第２クラッド層２４のＡｌ組成はコンタクト層２６に向かって増加する。これにより、水平方向のビーム広がり角のばらつきを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍ以上の発光波長を有する窒化物半導体発光素子において、発光効率の向上、歩留まりの向上または発光素子の長寿命化を図る。
【解決手段】発光層は、１以上の井戸層、１以上の障壁層、および前記井戸層と前記障壁層との間に接して設けられた１以上の保護層を含み、４３０ｎｍ以上の発光波長を有するものであり、ＩｎとＧａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより井戸層を形成する工程と、Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより保護層を形成する工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料の供給を停止し、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスを供給して、所定の時間、結晶成長を中断する第１の成長中断工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスにより障壁層を形成する工程、をこの順に含む。 （もっと読む）

【課題】光導波層の結晶性を良好とすることができることにより長寿命の、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、活性層７、アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層を順次成長させて半導体レーザを製造する場合、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９まではＮ₂ 雰囲気で成長を行い、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層まではＮ₂ とＨ₂ との混合ガス雰囲気で成長を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体領域の半極性主面上に、良好な発光特性を有する窒化物系半導体光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０６では、成長炉１０の温度を温度Ｔ_Ｗに保ち、半極性主面２３ａ上に時刻ｔ４〜ｔ５の期間でＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ井戸層２５ａを成長する。工程Ｓ１０７では、井戸層２５ａの成長完了の直後に、温度Ｔ_Ｗで、井戸層２５ａの主面を覆う保護層２７ａの成長を開始する。保護層２７ａは、井戸層２５ａのバンドギャップエネルギより大きく障壁層２３のバンドギャップエネルギ以下の窒化ガリウム系半導体からなる。工程Ｓ１０８では、障壁層を成長する前に成長温度Ｔ_Ｗから成長温度Ｔ_Ｂに成長炉１０の温度を変更する。成長炉１０の温度を成長温度Ｔ_Ｂに保ちながら、時刻ｔ８〜ｔ９で、窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２９ａを保護層２７ａ上に成長する。 （もっと読む）

【課題】長波長化のためにＩｎ組成の高い活性層を用いた場合でも、レーザ発振特性が良好である窒化物系青色半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体レーザは、ｃ面半導体基板１０１と、ｃ面半導体基板１０１上に形成された第１クラッド層１０２及び第２クラッド層１０６と、その間に設けられた量子井戸活性層１０４とを備えている。量子井戸活性層１０４は、Ｉｎ、Ｇａ及びＮを含む量子井戸層１２１と、量子井戸層１２１のｃ面半導体基板１０１側に形成された第１バリア層１２２と、量子井戸層１２１を介して当該第１バリア層１２２と対向して形成された第２バリア層１２３とを備え、量子井戸層１２１内のＩｎ組成は、第２バリア層１２３側から第１バリア層１２２に向けて高くなっており、第１バリア層１２２のバンドギャップよりも第２バリア層１２３のバンドギャップの方が大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回折格子の形状が製造工程中に変化せず所望の形状とすることができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に光ガイド層を形成する工程と、該光ガイド層上にキャップ層を形成する工程と、該光ガイド層の一部が該回折格子を形成するように該光ガイド層と該キャップ層の一部に開口部を形成する工程とを備える。そして更に該基板を該キャップ層の成長温度未満かつ該キャップ層のマストランスポートが起こる温度以上に昇温し、該開口部において露出している該光ガイド層の側面を該キャップ層の一部で覆うマストランスポート工程と、該マストランスポート工程後に該基板上に該回折格子の埋め込み層を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法、および良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ（０００１）基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を３０キロパスカルにして基板１のクリーニングを行う。その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。その後、一旦原料の供給を停止する。次いで、装置内の圧力を３０キロパスカルに保持したまま、摂氏１１００度の基板温度になるまで加熱する。温度が安定した後に、更に厚さ１マイクロメートルのｎ型ＧａＮバッファ層５を基板１上に成長する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＡｌＧａＮ系超格子構造の低抵抗化を実現できる化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造を提供する。
【解決手段】ホールのド・ブロイ波長近傍の膜厚のＡｌＧａＮ層とホールのド・ブロイ波長近傍の膜厚のＧａＮ層とが交互に積層された、Ｍｇを含有しｐ型導電性を示すＡｌＧａＮ系超格子構造を備えた化合物半導体の製造方法において、前記ＡｌＧａＮ層の成長時にはＭｇ原料を供給せず、前記ＧａＮ層の成長時に供給するＭｇ原料の供給時間ｔ_Ｍｇを前記ＧａＮ層の成長時間ｔ_Ｗよりも短く設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、共振器端面上に形成する窒化物誘電体膜の応力を低減し、窒化物誘電体膜の成膜時に生じる共振器端面へのダメージを低減させた、信頼性の高い窒化物半導体レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による窒化物半導体レーザの製造方法は、窒化物III−Ｖ族半導体を用いた窒化物半導体レーザの製造方法であって、（ａ）窒素ガスからなるプラズマを用いて光出射側共振器端面２０および光反射側共振器端面２３上に窒化物誘電体からなる密着層２１、２４を形成する工程と、（ｂ）密着層２１、２４上に誘電体からなる低反射端面コート膜２２および高反射端面コート膜２５を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎ及びＡｓのためのＶ族構成元素およびIII族構成元素を少なくとも含むIII−Ｖ化合物半導体層の表面形態を引き継ぐこと無く、III−Ｖ化合物半導体層上に成長される半導体層表面の平坦性を向上できる。
【解決手段】成長期間ｔ_５〜ｔ_６では、ＴＥＧａ及びＴＢＡｓを交互に成長炉１１に供給して、ＧａＡｓ障壁層をＧａＩｎＮＡｓ層上に成長する。具体的には、第２のIII−Ｖ化合物半導体層１９の成長では、時刻ｔ_５において、ガリウム原料の供給を開始すると共に、時刻ｔ_５１において、ガリウム原料の供給を停止する。次いで、時刻ｔ_５２においてヒ素原料の供給を開始すると共に、時刻ｔ_５３においてヒ素原料の供給を停止する。Ｖ族原料を供給する第１工程と、III族原料を供給する第２工程とを繰り返すことによって、第２のIII−Ｖ化合物半導体層１９が成長される。 （もっと読む）