【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、ＡｌＮバッファ層とＧａＮ下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、ＡｌＮ中間層と、ＡｌＧａＮ中間層と、ＧａＮ中間層と、を含む。前記ＡｌＧａＮ中間層は、前記ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】半極性面上への良好な電極形成と良好なリッジ形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４４を形成する。このマスク４４は、摂氏３００度以下の成膜温度で成膜されたチタン層と摂氏３００度以下の成膜温度で成膜された酸化シリコン層との多層構造を有する。マスク４４と下地との間で安定した密着性を得る。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で摂氏３００度以下の基板温度で行われる。基板主面１２ａ及び半極性主面１４ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜する。この角度範囲では半極性主面１４ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４４を用いて半導体積層１４及び金属層３４のエッチングを行い、半導体リッジ５０を含む窒化物半導体領域４８と電極層４６とを形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加を縮小可能な、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】誘電体マスク３５ａを用いて犠牲膜３３から金属膜３１を介して窒化物半導体領域３９までのエッチングを行って、リフトオフ層３３ａ、電極３１ａ及びエッチングされた窒化物半導体領域４１を形成すると共に、窒化物半導体領域３９の半極性主面３９ａをエッチングして半導体リッジ４１ａを形成する。このエッチング中に、リッジ部４１ａの形成のためにエッチングされるIII族窒化物半導体表面の面方位に依存して、エッチングされた表面４１ｂにはピラー状の微小突起４３が形成される。半極性面では、微小突起の生成がｃ面に比べて生成されやすい。エッチングにおける基板温度が摂氏６０度以上摂氏２００度以下の範囲にあるとき、微小突起の面密度の増大を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が損なわれることなく比較的小さい接触抵抗と比較的高いキャリア濃度とを有するｐ型のコンタクト層を有するＩＩＩ族窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層１７の上に設けられたコンタクト層２５ａとコンタクト層２５ａの上に設けられコンタクト層２５ａに直接接するコンタクト層２５ｂとコンタクト層２５ｂの上に設けられコンタクト層２５ｂに直接接する電極３７とを備える。コンタクト層２５ａ及びコンタクト層２５ｂはｐ型の同一の窒化ガリウム系半導体から成り、コンタクト層２５ａのｐ型ドーパントの濃度はコンタクト層２５ｂのｐ型ドーパントの濃度よりも低く、コンタクト層２５ａとコンタクト層２５ｂとの界面Ｊ１はｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０未満の角度で傾斜しており、コンタクト層２５ｂの膜厚は２０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 ミスフィット転位の発生を抑制しつつ、量子ドットからの発光波長を長波長化することができる半導体装置の製造技術が望まれている。
【解決手段】 チャンバ内に単結晶基板を装填し、単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、Ｉｎ及びＡｓを含む量子ドットを形成する。チャンバ内で、量子ドットに、少なくともＡｓ_２分子線を照射しながら第１アニールを行う。 （もっと読む）

【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低い半導体レーザの製造方法及び半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、活性層１０４を、ｎ型ＧａＮ基板の上方に堆積する。ＧａＮからなるｐ型ガイド層１０５を活性層１０４の上方に堆積する。低温ＡｌＮ層１１２を、ｐ型ガイド層１０５上に堆積する。開口部１０６ａをＡｌＮ層１１２に形成する。ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１０７を、低温ＡｌＮ層１１２及び開口部１０６ａを介して露出したｐ型ガイド層１０５上に、開口部１０６ａを介して露出したｐ型ガイド層１０５上における成長開始時の成長レートが低温ＡｌＮ層１１２上における成長開始時の成長レートよりも大きくなるように形成する。そして、ｐ型コンタクト層１０８をｐ型クラッド層１０７上に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造工程を簡略化することができる。
【解決手段】半導体発光素子１００の製造方法は、ｎ型基板２０上に電流狭窄層１０を形成する工程と、電流狭窄層１０をエッチングすることにより、電流狭窄層１０からなる電流狭窄部１４を形成するとともに、電流狭窄部１４とは異なる領域に電流狭窄層１０からなるアライメントマーク１２を形成する工程と、を備える。このため、アライメントマークを用いた半導体素子の製造工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物テンプレートまたは基板上に成長される発光デバイス構造からなるオプトエレクトロニクスデバイスおよびその製作方法を提供する。
【解決手段】
非極性ＩＩＩ族窒化物テンプレートまたは基板上に成長される発光デバイス構造であって、発光デバイス構造の活性領域は、一つ以上の非極性インジウム含有ＩＩＩ族窒化物層からなり、発光デバイス構造は、最大外部量子効率と比べて、１１１Ａ／ｃｍ² の直流密度での外部量子効率が２０％減少することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス構造を製作するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層４と、コンタクト層４上に形成されＩｎを含有するIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成されIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層６と、キャップ層６上に形成され第２導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層７とを備える。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。第１発光層は、第１障壁層と、ｎ形半導体層と第１障壁層との間に設けられた第１井戸層と、第１井戸層と第１障壁層との間に設けられた第１ｎ側中間層と、第１ｎ側中間層と第１障壁層との間に設けられた第１ｐ側中間層と、を含む。第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。第１ｐ側中間層のＩｎ組成比は、第１方向に沿って低下する。第１ｐ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率は、第１ｎ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】高効率の光半導体素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。機能部は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう方向に積層された複数の活性層を含む。複数の活性層の少なくとも２つは、多層積層体と、ｎ側障壁層と、井戸層と、ｐ側障壁層と、を含む。多層積層体は、前記方向に交互に積層された複数の厚膜層と厚膜層よりも厚さが薄い複数の薄膜層とを含む。ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】 劈開面が損傷を受けることを抑制可能な半導体レーザ素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】 基板生産物１を準備し、粘着フィルム４０の第２の部分４２に基板生産物１を貼着し、粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てることにより粘着フィルム４０に張力Ｔを与え、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０を加熱しながら、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に移動させることにより、スクライブ溝３０を用いて基板生産物１を劈開して半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとを作製し、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に移動させることにより、別のスクライブ溝３０を用いて基板生産物１Ａを劈開して、半導体レーザバー６１と基板生産物１Ｂとを作製する。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子５００（窒化物半導体素子）は、成長面２０ａを有する窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０の成長面２０ａ上に形成され、量子井戸構造を有する活性層１２０を含む窒化物半導体層２００（層構造２００）とを備えている。上記活性層１２０は、Ａｌを含む窒化物半導体からなる量子井戸層１２０ａを含んでおり、窒化物半導体層２０の成長面２０ａは、ｍ面に対して、少なくともａ軸方向にオフ角度を有する面から構成されているとともに、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい。 （もっと読む）

【課題】発光素子に、面内非均一な組成の量子井戸を有する自己組織化された量子ドットアクティベーション層を形成する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。前記アクティベーション層は、少なくとも一つのインジウム含有量子井戸層を含んでおり、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成は、前記アクティベーション層を成長させる成長面において変動している。前記基板には、中実部と多孔質部が設けられ、前記多孔質部は、前記インジウム含有量子井戸層のエピタキシャル成長のとき、温度を前記成長面に沿って変動させて、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成を変動させるように構成された孔を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶を成長させる基板表面の温度分布及び平均波長の狙い値からのズレを抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、保持体の上面の中心から被形成体の外周部よりも内側で被形成体の下面と接し、保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基層上に均一な結晶を成長させる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基層の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる工程を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基層の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、及びｐ型ｐ型電流分散層７を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ１であって、ｐ型ｐ型電流分散層７中の水素濃度の平均値を１．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下にしたものである。 （もっと読む）