【課題】第１半導体層上へのそれとは異なる第２半導体層を形成する新規な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子Ｌの製造方法は、主面１２ａがｃ面であり且つ該主面１２ａとは異なる結晶成長面１２ｂが露出した第１半導体層１２を有する基板１０を用い、基板１０の第１半導体層１２の露出した結晶成長面１２ｂを起点として、第１半導体層１２を構成する半導体とは異なる半導体を結晶成長させることにより、第１半導体層１２上に第２半導体層１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）ＧａＮ層上にＧａＡｌＮを積層した構造である第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、（３）該導電性材料で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
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【課題】結晶材料としてＡｌＧａＩｎＮを用いた発光層の内部量子効率の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層６における障壁層６ｂとしての第１の窒化物半導体層が、成長時に第１の不純物であるＳｉが濃度Ａ（例えば、５×１０¹⁶ｃｍ^-3）で意図的に添加されたＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）からなるとともに、井戸層６ａとしての第２の窒化物半導体層が、成長時に第２の不純物であるＳｉが濃度Ｂ（０≦Ｂ＜Ａ）で意図的に添加され第１の窒化物半導体層よりもＡｌの組成の小さなＡｌ_cＧａ_dＩｎ_(1-c-d)Ｎ層（０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、１−ｃ−ｄ＞０）からなり、第１の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度が第２の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ条件に応じて天板内に最適な共振領域を形成し、高い圧力から低い圧力にわたって安定したプラズマの発生が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板を収納し、プラズマを発生するプラズマ発生室と、プラズマ発生室の上部の開口部に配置され、マイクロ波をプラズマ発生室内へ供給するアンテナと、アンテナの下部に設けられ、面方向に均一な所定の厚さを有してプラズマ発生室の開口部を封止する天板４と、天板４の下面側に形成されたテーパ状の凸部４２１，４２３または凹部４２２と、天板４のアンテナ側の中心部に形成されており、良導体の配置される凹部４２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜組成分布を向上せしめると共に、基板面内の結晶粒の発生の微視的なバラツキを抑制し、さらに表面ラフネスの向上を達成することができるＰＺＴ薄膜の形成方法及びこの薄膜を含んでなる半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ用のそれぞれの有機金属化合物原料として、Ｐｂ（ｔｈｄ）_２及びＰｂ（ｄｍｈｄ）_２から選ばれた１種類のＰｂ用有機金属化合物原料と、Ｚｒ（ｄｍｈｄ）_４、Ｚｒ（ｔｈｄ）_２（ｄｍｈｄ）_２、Ｚｒ（ｔｈｄ）_３（ｄｍｈｄ）、Ｚｒ（ｉ−ＰｒＯ）_２（ｔｈｄ）_２、及びＺｒ（ｉ−ＰｒＯ）（ｔｈｄ）_３から選ばれた１種類のＺｒ用有機金属化合物原料と、Ｔｉ（ｉ−ＰｒＯ）_２（ｄｍｈｄ）_２のＴｉ用有機金属化合物原料とを用いる。この強誘電体薄膜を含む半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】有機金属気相成長法により、成膜室内に載置される基板Ｗに成膜処理を行う成膜装置１は、成膜室を３以上備え、第１の成膜室２と第２の成膜室１０２と第３の成膜室２０２は、互いに独立に、少なくとも原料ガスの組成と、原料ガスの流量と、室内の温度と、室内の圧力とが制御され、それぞれが異なる膜を基板Ｗ上に形成するよう構成されている。成膜室２、１０２、２０２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。 （もっと読む）

ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体を組み込んでいる電子デバイスを形成するための基板を準備するための方法および装置が提供される。元素状ハロゲンガス、ハロゲン化水素ガス、または他のハロゲンガスもしくはハロゲン化物ガスが、液体または固体のＩＩＩ族金属と接触して、窒素ソースと反応して基板上に窒化物バッファ層を堆積させる前駆物質を形成する。移行層とすることができるバッファ層は、複数のＩＩＩ族金属を取り込むことができ、非晶質形態または結晶質形態で堆積させることができる。非晶質層を、熱処理によって部分的にまたは完全に再結晶化させることができる。層の代わりに、複数の分離した核形成サイトを形成することができ、そのサイズ、密度、および分布を制御することができる。窒素ソースは、反応性窒素化合物ならびに遠隔プラズマソースからの活性窒素を含むことができる。バッファ層または移行層の組成は、所望のプロファイルに従う深さによっても変更可能である。
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【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ_３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。
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【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】少ないドーパント供給量で、高い二次元電子ガス濃度をもつＨＥＭＴ構造を有するエピタキシャル基板を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓ層から成るチャネル層５とｎ−ＡｌＧａＡｓ層またはｎ−ＩｎＧａＰ層から成るフロント側電子供給層７とを備えて成るｐ−ＨＥＭＴ構造を有する化合物半導体エピタキシャル基板において、歪チャネル層であるＩｎＧａＡｓ層より表面側に、ゲート層として秩序化状態のＩｎＧａＰ層を設けた。秩序化状態のＩｎＧａＰ層の界面準位は低く、界面電荷の発生効果により、少ないドーパント供給量で、高い二次元電子ガス濃度をもつＨＥＭＴ構造が実現される。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数測定が可能な測定方法及び測定装置を実現する。
【解決手段】 本発明の高圧力プラズマの電子密度、電子衝突周波数の測定方法及びプラズマ特性測定装置１によれば、プローブ１０を高圧力プラズマＰに挿入し、高周波発振器２１によりプローブ１０に周波数を掃引しながら高周波パワーを供給し、反射係数スペクトル表示部２５により、プローブ１０から反射されるパワーにより得られる反射係数のスペクトルを測定し、プローブ１０の共振スペクトルを検出し、当該共振スペクトルから共振周波数及び共振の半値幅を算出し、プラズマ特性算出部２６において、当該共振周波数及び共振の半値幅に基づいて、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数を算出することができる。 （もっと読む）

本発明は、ＵＶＬＥＤ装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板（１）上に下から上への順で設けられたＡｌＮ核層（２、３）、真性ＡｌＧａＮエピタキシャル層（４）、ｎ−型ＡｌＧａＮバリア層（５）、活性領域（６）、第１のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（７）、第２のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（８）、及びｐ−型ＧａＮキャップ層（９）を含備える。ｐ−型ＧａＮキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域（１０、Ｗ、Ａ）をエッチングしている。 （もっと読む）

【課題】酸素を含む高品質な薄膜の形成が可能で、水分発生器やオゾン発生器を必要とせず、低コスト化を実現する。
【解決手段】複数枚の基板を収容する処理室と、処理室内で複数枚の基板を加熱する加熱手段と、処理室内で複数枚の基板を多段に保持する基板保持手段と、第１の原料ガスを基板保持手段に沿って立設されたノズルを介して処理室内へ供給する第１のガス供給手段と、第１の原料ガスとは異なる酸化性ガスと還元性ガスとを含む第２の原料ガスを処理室内へ供給する第２のガス供給手段と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、複数枚の基板を基板保持手段により多段に保持した状態で収容した減圧下の処理室内に、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給することで複数枚の各基板上に酸化膜を形成するよう制御する制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としての、例えばフォトレジスト膜５３からなる有機膜を無機化する無機化ステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってフォトレジスト膜５３をＳｉ酸化膜に改質する酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上にエピタキシャル膜を形成する際に発生する付着物の除去を効率よく行える成膜方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持補助部材２０で支持しながら、基板Ｗ上にエピタキシャル膜を形成する。次いで、膜形成がされた基板Ｗを支持補助部材２０から取り外し、支持補助部材２０の表と裏を反転させる。そして、周縁部に付着物３１０が形成された支持補助部材２０の表面を裏面側にし、未処理の基板Ｗを表面側に載置する。次いで、未処理の基板Ｗを載置した支持補助部材２０に対し、付着物３１０のある下面側からエッチングガスを吹き付けて付着物を除去する。その後、エッチングガスの吹き付けを停止して、未処理の基板Ｗ上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長におけるクラックの発生を低減することができ、高品質なＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を高速に製造できるＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、単一の指数面の結晶成長面を有する種基板を準備する種基板準備工程Ｓ１０と、結晶成長面上にＩＩＩ族窒化物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長工程Ｓ２０とを備え、結晶成長工程は、自発的に形成された低指数面からなる複数の結晶表面で囲みながらＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を成長させる工程であり、低指数面は、結晶面を表す個々の面指数をいずれも３以下とすることにより、結晶成長時の微細クラックの発生が抑制された高品質のＧａＮインゴットが得られる。続いて、ＧａＮインゴットを切断工程Ｓ３０で切断、スライスし、ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶のウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも結晶品質の優れたIII族窒化物結晶およびその形成方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物結晶の形成方法が、所定の基材の上に全III族元素におけるＡｌの割合が８０モル％以上である第１のIII族窒化物からなる下地層２をエピタキシャル形成する下地層形成工程と、下地層２を基材ともども下地層２の形成温度よりも高くかつ１２５０℃以上の加熱温度で加熱する熱処理により下地層２の表面形状を変換する表面形状変換工程と、表面形状変換工程を経た下地層２の上に第２のIII族窒化物からなる結晶層４をエピタキシャル形成する結晶層形成工程と、を備える。このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。 （もっと読む）

【課題】導電性ＳｉＣ基板上にＧａＮ系のキャリア走行層を含む化合物半導体層を形成して化合物半導体装置を構成する場合において、優れたデバイス特性を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に、ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に形成されたｉ型ＡｌＮバッファ層１２と、ｉ型ＡｌＮバッファ層１２上に形成され、Ｆｅが添加されたＧａＮバッファ層１６と、ＧａＮバッファ層１６上に形成されたｉ型ＧａＮ層１８と、ｉ型ＧａＮ層１８上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮ層２０と、ｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたソース電極２６及びドレイン電極２８と、ソース電極２６及びドレイン電極２８との間のｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたゲート電極３４とを有している。 （もっと読む）