基板１２を反応管１１内に載置する工程の後、３族元素を含む第１の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、窒素元素を含む第２の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、を交互に行うことにより、窒化物半導体結晶を基板上に直接堆積する窒化物半導体の結晶成長方法である。第１の材料ガスに含まれる３族元素のモル数に対する第２の材料ガスに含まれる窒素元素のモル数の比は２００以上である。
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【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することを可能とする。
【解決手段】 処理炉は、処理容器１５の領域Ａ〜Ｄに対応して分割された複数の分割ヒータ１０ａ〜１０ｄを備える。分割ヒータは、温度制御部１６によって独立に制御可能とする。処理工程で堆積した堆積膜を除去するためのクリーニング工程で、クリーニングガスを流す際、クリーニングガス供給側の領域Ａの温度を低く設定し、逆に、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄでは、排気側に向かって、相対的に温度を高く設定する。これにより、クリーニングガス供給側の領域Ａでのエッチング反応を遅く、排気側の領域Ｂ、Ｃ、Ｄでのエッチング反応を順次速くする。 （もっと読む）

基板上にナノ結晶シリコン層を堆積させるための方法。本発明の一実施形態においては、基板が単一ウエハチャンバ内に配置され、約３００℃〜約４９０℃の温度に加熱される。シリコン源も、単一ウエハチャンバに供給される。 （もっと読む）

プロセシング中にウエハを加熱するための装置及び方法。該装置は、プロセシング領域を画定するプロセシング管を内部に収容するプロセスチャンバを有する。プロセシング管は第１及び第２の壁を有し、両者の間に中空キャビティ即ち通路が画定される。第２の壁には複数の孔即ち出口が形成され、中空キャビティとプロセシング領域とを連通させている。該装置は、プロセシング管に隣接した位置に複数の抵抗性加熱要素も有する。抵抗性加熱要素から放出される熱エネルギーが中空キャビティを通して流れるガスを加熱するように構成される。中空キャビティを通して流れるガスは、前記複数の孔を通して中空キャビティから流出し、対流の効果を利用してプロセシング管に配置されたウエハの温度を変化させる。
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【課題】 処理室の気密を保持する伸縮部材の温度低下を防止する。
【解決手段】 処理室２０１内にヒータユニット３２７が設けられる。このヒータユニット３２７は、処理室２０１底部から挿入される支持体（駆動軸）３７６によって昇降自在に支持される。この支持体３７６の外側にベローズ（伸縮部材）２７９が設けられる。ベローズ２７９は、支持体３７６の直線軸運動を許容しつつ、支持体３７６の処理室２０１への挿入部３７８をシールする。ベローズ２７９の外側に、ベローズ２７９と空間３８８を介して、筒状加熱手段３８０をベローズ２７９と同軸的に設ける。この筒状加熱手段３８０を、ベローズ２７９の伸縮にともなって伸縮するように、はめ込み式の２つの筒状ヒータ３８１、３８２で構成する。 （もっと読む）

【課題】不純物領域に３Ｃ−ＳｉＣ欠陥が混入しないようにすると共に、選択マスクを着実に除去できるようにする。
【解決手段】トレンチ５内に形成される不純物領域７の成長上面が選択マスクとなるカーボン膜２の下面よりも下方となるようにする。すなわち、カーボン膜２の下面までにトレンチ５内に形成される不純物領域７の成長上面を抑える。これにより、不純物領域７の横方向の拡大を抑制することができ、横方向成長した場合に発生する３Ｃ−ＳｉＣ膜８の多形混入を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 容量結合プラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマの高性能化を実現できる高周波プラズマ装置を提供する。
【解決手段】 所定の間隔で対面する壁面部１ａ，１ｂを有する所望のガス雰囲気を形成するための反応容器１と、高周波電源７と、前記反応容器１の一方の壁面部１ａの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で配置された第１のコイル４と、前記反応容器１の他方の壁面部１ｂの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で且つ前記第１のコイル４と対向する位置に配置された第２のコイル５とを備え、前記高周波電源７より前記第１のコイル４及び前記第２のコイル５に高周波電流を流すことによって前記壁面部１ａ，１ｂの壁面を横切る高周波磁界を形成するとともに、前記壁面１ａ，１ｂ間に強電界を形成し、前記反応容器１内に誘導結合プラズマ及び容量結合プラズマを放電維持させ、該プラズマによって、前記反応容器１内のガス雰囲気中に位置する被処理物１０に対して所望のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴ性能を向上させる。
【解決手段】
本発明は、ヘテロ構造上で、若干のＨＥＭＴトランジスタを製造する方法と同様に、ＭＯＣＶＤを用いてＳｉＮ層をいささかも除去することなく、表面に接点を蒸着させることにより、構造の冷却および反応器からの試料の取り出しに先立ち、高温で成長が起こる反応器内で、最上部ＡｌＧａＮ層上の表面を薄いＳｉＮ層で覆うことにより、より高性能（出力）を伴い、有機金属気相成長法により成長させられた、ＨＥＭＴ、ＭＯＳＨＦＥＴ、ＭＩＳＨＦＥＴ素子、またはＭＥＳＦＥＴ素子のような、ＩＩＩ族−Ｎ電界効果素子を製造するための新規な方法を解説している。本発明は素子も解説している。 （もっと読む）

【課題】 単一のシングルチャンバ型化学気相蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、プロセスガスとなるアンモニアガスとシランガスの混合比を制御することにより、側面及び下部の領域よりも上部の領域がさらに厚く形成可能な窒化膜の蒸着方法を提供すること。
【解決手段】 単一のシングルチャンバ型ＣＶＤ装置内において、領域ごとに相異なる厚さを有する窒化膜が蒸着されることから、工程の単純化が図れ、ウェーハの移動による不純物の浸透が防がれると共に、高温・低圧ＣＶＤ工程による熱束の発生が抑えられる。
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【課題】０．１気圧〜１００気圧という比較的高い圧力下で高速な処理を実現できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１電極１と第２電極２が平行に配置され、第２電極２上に被処理物３が配置される。第１電極１は裏板４を介して接地されている。第１ガス供給装置５から第１配管６を介して第１ガス溜まり７に不活性ガスとしてのヘリウムガスが供給され、第２ガス供給装置８から第２配管９を介して第２ガス溜まり１０に反応性ガスとしてのＳＦ₆ガスが供給される。ヘリウムガスを、第１ガス噴出口１２から噴出させるとともに、ＳＦ₆ガスを、第２ガス噴出口１３から噴出させつつ、高周波電源１１を操作して第１電極と第２電極間に電圧を印加すると、第１電極１と被処理物３の間に面状のプラズマが発生し、被処理物の表面を高速でエッチングすることができた。 （もっと読む）

【課題】 膜中の窒素の含有量を減らし、暗伝導度の低下を図ることができるアモルファスシリコン層の形成方法と、形成装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一方の対向面に固体誘電体１４を設置している対向する電極１１，１２とウェハトレイ２との間に反応ガスＧ１を供給し、対向する電極に電源１７で電圧を印加しプラズマ励起して発生させたプラズマガスを基板１の表面に接触させ、プラズマガスと基板１との接触部の外周部をカーテンガスＧ２で覆いながらアモルファスシリコン層３を堆積させ、該カーテンガスの外周部を排気装置３０で排気する。カーテンガスは希ガスが好ましく、基板１に対して外側に向けて傾斜状態に吹出すことが好ましい。また、反応容器４０内にパージガスとして窒素ガスＧ３を供給し、窒素ガスと反応ガスとの供給量の差より多い供給量でカーテンガスを供給することが好ましい。 （もっと読む）

インサイチュドープトエピタキシャル半導体層を堆積するための方法は、パターニングされた基板を収容する処理チャンバ内を約８０ｔｏｒｒより高圧に維持するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へジクロロシランのフローを提供するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へドーパント水素化物のフローを提供するステップを含む。本方法は更に、パターニングされた前記基板上の単結晶物質上に、約３ｎｍ ｍｉｎ^−１より速い速度で、前記エピタキシャル半導体層を選択的に堆積するステップを含む。
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【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

誘電体層(410,510,610)、誘電体層(410,510,610)上の可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)、および可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)上のSiキャップ層(450,530,630)を持った基板(400,500,600)を含むSiGe薄層半導体構造である。可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)は、勾配を付けたGeを有するSi_xGe_1-x層(520,620)、または、それぞれ異なったGe含有量(421,431)を有する複数のSi_xGe_1-xサブ層(420,430)を含むことができる。本発明の一実施形態では、SiGe薄層半導体構造は、誘電体層(610)、誘電体層(610)上のSi含有シード層(615)、シード層(615)上の可変組成Si_xGe_1-x層(620)、及び可変組成Si_xGe_1-x層(620)上のSiキャップ層(630)を持つ半導体基板(600)を含む。SiGe薄層半導体構造を加工するための方法と処理ツール(1,100)も提供される。
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処理領域と、基板支持体と、ガス分配システムと、ガス混合領域と、フェースプレートに固定されたアダプタリングを所望の温度に加熱するように配置された加熱素子と、温度制御排気システムとを備えた装置。また、ビス(第三級ブチルアミノ)シランを蒸発させ、ビス(第三級ブチルアミノ)シランとアンモニアを処理チャンバへ流し、アダプタリングと少なくとも２つのブロッカープレーで画成された追加の混合領域を有する２つの反応種を合わせ、アダプタリングを加熱し、ビス(第三級ブチルアミノ)シランをガス分配プレートを通って処理領域に流す方法と装置。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）

電子および／または光電子用途用のＧａＮデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ ＮｉおよびＣｕなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷを支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷとの隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このとき、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）