【課題】成膜工程において、膜質を低下させることなく、プロセスガスの廃棄率を低減させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】第１のウェーハＷ上に第１のプロセスガスを供給するための第１のガス供給機構１７と、第１の排ガスを排出するための第１のガス排出機構１８と、を有し、第１のウェーハＷ上に第１の被膜を形成するための第１の反応室１１と、第１の反応室１１と接続され、第１の排ガスより所定のガス成分を抽出し、第２のプロセスガスを生成するガス再生部３１と、第２のウェーハＷ’上に第２のプロセスガスを供給するための第２のガス供給機構２７と、第２の排ガスを排出するための第２のガス排出機構２８と、を有し、第２のウェーハＷ’上に第２の被膜を形成するための第２の反応室２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好な膜質の光応答性化合物半導体薄膜を安価にかつ簡便に製造する。
【解決手段】ガス中に化合物半導体の原料粒子を分散させたエアロゾルを基板に向けて噴射、衝突させて、基板上に化合物半導体薄膜を形成するエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により化合物半導体薄膜を製造する方法。ＡＤ法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを低減させてＲＦ特性を改善し、携帯電話基地局用アンプに必要とされる耐圧を得ることを可能とする。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層３を成長形成するに際して、ｉ−ＧａＮ層２上にノンドープでＡｌ組成率が１５％程度のＡｌＧａＮ層（ｉ−ＡｌＧａＮ層）１１を膜厚３ｎｍ程度に成長し、更にＳｉを濃度２×１０¹⁸／ｃｍ³程度にドープしたＡｌ組成率が１５％程度のＡｌＧａＮ層（ｎ−ＡｌＧａＮ層）１２を膜厚１７ｎｍ程度に成長し、これら２層構造からなるＡｌＧａＮ層３を形成する。 （もっと読む）

クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【目的】
電流密度分布を均一化し、均一な発光強度分布及び高い発光効率の得られる、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、基板１０１と、前記基板１０１の主面上に積層されたｐ型層１０８および１０９とを含み、前記基板主面は、非極性面であり、前記ｐ型層１０８および１０９は、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩ族酸化物半導体の少なくとも一方から形成され、且つ、前記ｐ型層１０８および１０９の上面が、前記基板主面と面方位が異なるファセット面を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反りが抑制された、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板１の上にIII族窒化物層群を積層形成した半導体素子用のエピタキシャル基板１０において、III族窒化物層群が、少なくとも２層以上のIII族窒化物層が積層された緩衝層２と、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０＜ｚ１≦１、ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成のIII族窒化物からなるチャネル層３と、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（０≦ｘ２≦１、０＜ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成のIII族窒化物からなる障壁層４と、を備え、緩衝層２の少なくとも１つが、格子空孔を有する格子空孔内在層２３であるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の裏面Ｂ１を有する第１の炭化珪素基板１１と、第２の裏面Ｂ２を有する第２の炭化珪素基板１２とが準備される。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向に露出するように第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。炭化珪素からなり、かつ第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐ成長層３０が化学気相成長法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】気化器内に付着する残留物を除去し、長期間安定的に気化器を動作させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内２０１に基板を搬入する工程と、液体原料を気化部２２９ｔで気化させた原料ガスを処理室内２０１に供給して基板を処理する工程と、処理済みの基板を処理室２０１内から搬出する工程と、気化部２２９ｔ内をクリーニングする工程と、を有し、気化部２２９ｔは、液体原料を気化させる気化室２０ｔ，ｓと、気化室２０１内に液体原料を噴霧させる噴霧ノズルと、気化室２０１内を加熱する加熱部と、を有しており、気化部２２９ｔ内をクリーニングする工程は、噴霧ノズル内に洗浄用液体を供給して噴霧ノズル内に付着した物質を除去する工程と、気化室２０１内に洗浄用ガスを供給して気化室２０１内に付着した物質を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接合の逆方向特性についての信頼性が高い半導体素子を実現可能な、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板１の上にIII族窒化物層群を（０００１）結晶面が基板面に対し略平行となるよう積層形成した半導体素子用エピタキシャル基板１０が、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、ｚ１＞０）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層３と、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＝１、ｘ２＞０、ｙ２＞０）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層５とを備え、第２のIII族窒化物が、短距離規則度パラメータαが０＜α＜１の範囲をみたす短距離規則混晶であるようにする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の所定領域にアルミニウム拡散領域を設け、表面粗さを適正範囲に設定することにより、その上方に成長されるIII族窒化物半導体の結晶性を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２と、該シリコン基板上に形成した窒化アルミニウム単結晶核生成層と、該窒化アルミニウム単結晶層３上に形成した、少なくとも一組以上の超格子層４を含むバッファ構造体とを具える電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記シリコン基板の表層部には、前記窒化アルミニウム単結晶層と接する表面から基板厚さ方向に広がるアルミニウム拡散領域５が設けられ、前記シリコン基板の、前記窒化アルミニウム単結晶層と接する表面の表面粗さRaは、0.2〜１nmの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａを積層する第１工程と、第２有機金属化学気相成長装置において、第１ｎ型半導体層１２ａ上に、第１ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第２工程とを具備し、第２工程において、第２ｎ型半導体層１２を形成する際の基板温度を、発光層１３を形成する際の基板温度よりも低くする半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】加熱室内の圧力調整を容易とし、薄膜の膜質や膜厚分布の均一性を改善する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に設けられるガス加熱部と、を備え、ガス加熱部は、処理室内に供給する処理ガスを予め所定温度に加熱する加熱室と、加熱室内の圧力を検出する圧力検出手段と、圧力検出手段の検出する圧力情報に基づき加熱室内の圧力を調整する圧力調整手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を生産性高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の処理室に設けられた複数の凸部を備える電極から、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入し、高周波電力を供給し、グロー放電を発生させて、基板上に結晶粒子を形成し、該結晶粒子上にプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体積層ウェハ１０は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる基板２７と、Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり基板２７上に設けられた第１のＡｌＧａＮ層１３と、第１のＡｌＧａＮ層１３上に設けられ、第１のＡｌＧａＮ層１３よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなる第２のＡｌＧａＮ層１５とを備える。第１のＡｌＧａＮ層１３の（０００２）面及び（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅は、１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満である。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、５°以下のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を、その表面の格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨する工程と、水素雰囲気下で、研磨後の基板を１４００〜１６００℃にしてその表面を清浄化する工程と、清浄化後の基板の表面に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量のＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスとを濃度比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２で同時に供給して炭化珪素をエピタキシャル成長させる工程と、ＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスの供給を同時に停止し、ＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスとを排気するまで基板温度を保持し、その後降温する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクト特性が優れており、かつ、良好なデバイス特性を有する半導体素子を実現することができるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上に、少なくともＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成し、チャネル層の上に、少なくともＩｎとＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を、表面近傍部におけるＩｎ組成比が表面近傍部以外の部分におけるＩｎ組成比よりも大きくなるように形成する。 （もっと読む）