【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、１６００℃より高くかつ１８００℃以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる。これにより、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下となる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、５°以下のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を、その表面の格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨する工程と、水素雰囲気下で、研磨後の基板を１４００〜１６００℃にしてその表面を清浄化する工程と、清浄化後の基板の表面に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量のＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスとを濃度比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２で同時に供給して炭化珪素をエピタキシャル成長させる工程と、ＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスの供給を同時に停止し、ＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスとを排気するまで基板温度を保持し、その後降温する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

堆積ガスをプラズマ相へと転換し、真空チャンバ内で基板搬送方向に動いている基板上に薄膜をプラズマ相から堆積させるためのプラズマ堆積ソースが説明される。プラズマ堆積ソースは、真空チャンバ内に設置された多領域電極デバイスであって、動いている基板の反対側に配置された少なくとも１つのＲＦ電極を含む多領域電極デバイスと、ＲＦ電極にＲＦ電力を供給するＲＦ電力発生器とを含む。ＲＦ電極は、ＲＦ電極の一方の端部に配置された少なくとも１つのガス注入部およびＲＦ電極の反対側の端部に配置された少なくとも１つのガス排出部を有する。規格化されたプラズマ体積は、電極表面と反対側の基板位置との間に画定されるプラズマ体積を、電極長さで除算することによって与えられる。規格化されたプラズマ体積は、堆積ガスの欠乏長さに合わせて調節される。
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【課題】酸素を含む高品質な薄膜の形成が可能で、水分発生器やオゾン発生器を必要とせず、低コスト化を実現する。
【解決手段】複数枚の基板を収容する処理室と、処理室内で複数枚の基板を加熱する加熱手段と、処理室内で複数枚の基板を多段に保持する基板保持手段と、第１の原料ガスを基板保持手段に沿って立設されたノズルを介して処理室内へ供給する第１のガス供給手段と、第１の原料ガスとは異なる酸化性ガスと還元性ガスとを含む第２の原料ガスを処理室内へ供給する第２のガス供給手段と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、複数枚の基板を基板保持手段により多段に保持した状態で収容した減圧下の処理室内に、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給することで複数枚の各基板上に酸化膜を形成するよう制御する制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の結晶面方位を規定して表面の微細な凹凸を抑制した炭化珪素基板上のエピタキシャル相に半導体装置を形成することによって、その電気的特性を改善する。
【解決手段】炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の（０００−１）面から０°超で以上１°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、Ｐ型あるいはＮ型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。 （もっと読む）

水素ガス及びハロゲン含有ガスを含む混合ガスを使用して、複数の成長段階同士の間にＣＶＤ反応チャンバを洗い流すことによって、エピタキシャル成長工程の間のメモリ効果を低減する方法を提供する。 （もっと読む）

単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、気相成長装置内の汚染を抑え、被処理ウェーハおよびこれを用いて構成される半導体装置の特性、歩留りの低下を抑えることが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ上に成膜を行うための反応室１と、反応室下部に設けられ、ウェーハを加熱するためのヒータ２と、ウェーハを保持するための保持機構８と、反応室１上部に設けられ、保持機構８と接続され、ウェーハを回転させるための回転機構１１と、ウェーハ上に反応ガスを供給するためのガス供給機構１４、１５を備える。 （もっと読む）

本発明は、基板上にエピタキシャル層を形成するように適応されたエピタキシャルチャンバ、上記エピタキシャルチャンバへ少なくとも１つの堆積ガス及びキャリヤガスを供給するように適応された堆積ガスマニホールド及び上記堆積ガスマニホールドとは別で上記エピタキシャルチャンバへ少なくとも１つのエッチングガス及びキャリヤガスを供給するように適応されたエッチングガスマニホールド、含むようなエピタキシャル膜形成のための方法、システム及び装置を提供する。その他の種々な態様も提供される。 （もっと読む）

ＰＥＣＶＤ反応装置の金属内面が、大表面基板（１５）上に蒸着されるμｃ−Ｓｉ層（１９）の厚み均一性および特性均一性に影響を及ぼすことを回避するために、各基板を単独処理する前に、言及した壁の少なくとも一部を、誘電体層（１３）でプレコートする。
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【課題】 結晶欠陥の少ない大口径の炭化珪素単結晶を安定性よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素基板上に形成された薄膜結晶を種として成長させるようにした。好ましくは、薄膜結晶が単結晶エピタキシャル成長層であると良い。 （もっと読む）

プロセシング中にウエハを加熱するための装置及び方法。該装置は、プロセシング領域を画定するプロセシング管を内部に収容するプロセスチャンバを有する。プロセシング管は第１及び第２の壁を有し、両者の間に中空キャビティ即ち通路が画定される。第２の壁には複数の孔即ち出口が形成され、中空キャビティとプロセシング領域とを連通させている。該装置は、プロセシング管に隣接した位置に複数の抵抗性加熱要素も有する。抵抗性加熱要素から放出される熱エネルギーが中空キャビティを通して流れるガスを加熱するように構成される。中空キャビティを通して流れるガスは、前記複数の孔を通して中空キャビティから流出し、対流の効果を利用してプロセシング管に配置されたウエハの温度を変化させる。
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【課題】電極が形成される半導体層の表面平坦性や、シート抵抗などが何れも優れた、高性能化や小型化に好適な電界効果トランジスタを実現すること。
【解決手段】ノンドープのＧａＮ結晶から成る半導体層１０３（バッファ層）の上には、厚さ約４０ｎｍのノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから成る半導体層１０４が積層されている。この半導体層１０４は、本発明に基づく厚さ約３０ｎｍの急峻界面提供層１０４１と、本発明に基づく厚さ約１０ｎｍの電極接続面提供層１０４２の計２層の半導体層から構成されている。これらは双方共に上記の通りノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから形成されているが、急峻界面提供層１０４１を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＨ₂ を使用した。また、電極接続面提供層１０４２を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＮ₂ を使用した。 （もっと読む）