マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

誘電体層(410,510,610)、誘電体層(410,510,610)上の可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)、および可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)上のSiキャップ層(450,530,630)を持った基板(400,500,600)を含むSiGe薄層半導体構造である。可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)は、勾配を付けたGeを有するSi_xGe_1-x層(520,620)、または、それぞれ異なったGe含有量(421,431)を有する複数のSi_xGe_1-xサブ層(420,430)を含むことができる。本発明の一実施形態では、SiGe薄層半導体構造は、誘電体層(610)、誘電体層(610)上のSi含有シード層(615)、シード層(615)上の可変組成Si_xGe_1-x層(620)、及び可変組成Si_xGe_1-x層(620)上のSiキャップ層(630)を持つ半導体基板(600)を含む。SiGe薄層半導体構造を加工するための方法と処理ツール(1,100)も提供される。
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デバイスが、成長面（１２２）、成長マスク（１３２）、成長導波コアメサ（１４０）およびクラッド層（１６０）を有する光電子デバイスまたは透明な導波デバイスである。成長マスクは、成長面上に配置されており、細長い成長窓を画定する。光導波コアメサは、成長窓内に配置されており、台形の断面形状を有している。クラッド層は、光導波コアメサを覆い、成長マスクの少なくとも一部上に延びている。このようなデバイスは、成長面（１２２）を有するウェハ（１１０）を設け、光導波コアメサ（１４０）をマイクロ選択領域成長によって第１の温度で成長面上に成長させ、さらに、光導波コアメサを、第１の温度より低い第２の温度でクラッド材料（１６０）で覆うことによって製造する。
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薄膜形成のため、及び、半導体表面上に膜を析出するための析出チャンバー（２６、８４、１３０）に蒸気を導入するための蒸発系（５０、９２、９２ａ、９２ｂ、１８０）であって、この系は蒸発チャンバー（５２、１１６、１９２）を有し、蒸発チャンバーには、ガスストリーム中で運ばれる少なくとも２つの異なる独立した液状前駆物質（５４Ａ、５４Ｂ、５４Ｃ、１１０Ａ、１１０Ｂ、１８６）が選択的に提供される。ガスストリームは、ガス供給源（１２、６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、９８Ａ、９８Ｂ、１８４）からの単一のキャリヤガスか、又は複数のキャリヤガスのうち選択された１つであってもよい。導入しようとする液体が、高温表面との接触により熱分解を受けやすい場合は、蒸発チャンバー（５２、１１６、１９２）の入口で噴霧器（９４、１４２Ａ、１４２Ｂ、１５４Ａ、１５４Ｂ、１８２）を使用して、蒸発チャンバー（５２、１１６、１９２）に同時又は連続的に導入するためのガス供給源１２、６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、９８Ａ、９８Ｂからの１種又はそれより多い個々のキャリヤガスから、蒸発チャンバー（５２、１１６、１９２）にエアロゾルを提供する。蒸発チャンバー（５２、１１６、１９２）は、蒸発させたガス／蒸気混合物が蒸発チャンバー（５２，１１６，１９２）から出る前に、加熱された通路（１９８、１２４、２０２、２１２）を通る再循環ガスフローを組み込むことにより、完全な蒸発が確実になるように設計してもよい。
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【数１】


方向または
【数２】


方向に主に向かう＜０００１＞方向から、約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物、例えばＧａＮ基板。表面が５０×５０μｍ^２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する。この基板は相当するブールまたはウェハブランクのオフカットスライスにより、オフカットラッピングまたは相当する微傾斜へテロエピタキシャル基板、例えばオフカットサファイア上の基板本体の成長により形成することができる。この基板はＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる。
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高い熱伝導率の金属マトリックスを含む非連続なダイヤモンド粒子、およびこれらの複合材料を製造する方法が提供される。この製造方法は、ダイヤモンド粒子上に、拡散して結合され、機能的に勾配を有するインタラクティブＳｉＣ表面層が形成される薄層反応を含む。インタラクティブ表面転化ＳｉＣコーティングされたダイヤモンド粒子は、ついで型内に配置され、加圧下に、粒子間で急速に個体化される。ダイヤモンド粒子上の表面転化インタラクティブＳｉＣコーティングは、金属マトリックスと最小の界面熱抵抗、良好な機械的強度および複合材料の剛性を与え、複合材料の理論的な熱伝導率に近いレベルを達成する。ダイヤモンド金属複合材料は二次的に薄いシート製品を製造するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、ＧａＡｓ等の第１の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプＩＩ構造のバンド構造を有する属元素と６属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスＧａＳ層（ａ−ＧａＳ層）を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）