【課題】 クラックの発生を抑制することができ、歩留りの向上を図ることが可能な窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体基板１０上に素子形成層２０を有している。窒化物半導体基板１０は、成長基板１１の一面側にバッファ層１２を介して積層された種結晶層１３を備えている。種結晶層１３には、所定の幅を有する第１の開口１３ａ１と、この第１の開口１３ａ１よりも広い幅を有する第２の開口１３ａ２とが設けられている。第２の開口１３ａにより種結晶層１３上に形成された素子形成層２０に働く内部応力が分散され、素子形成層２０にクラックが発生することが抑制される。
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【課題】 本発明は、ポリシリコン膜の界面特性を改善させることが可能な半導体素子のポリシリコン膜形成方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体基板を蒸着チャンバーの内部にロードさせた後、前記蒸着チャンバーの内部にＳｉＨ_４またはＳｉ_２Ｈ_６ガスを１５０ｓｃｃｍ以上、且つ２５０ｓｃｃｍ以下程度の流量でフローさせ、前記半導体基板上にアンドープトポリシリコン膜を蒸着する段階を含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の実施形態により、高ドーパント濃度を含有するエピタキシャルシリコンゲルマニウム材料を選択的に堆積するなど、シリコン含有材料を堆積するためのプロセスが提供される。一実施例において、１つの層を別の層の上部に堆積するために、少なくとも２つの異なるプロセスガスに基板が曝される。１つのプロセスガスは、ジクロロシラン、ゲルマニウム源、およびエッチャントを含有し、次のプロセスガスは、シランおよびエッチャントを含有する。他の実施例において、プロセスガスが、ジクロロシラン、メチルシラン、および塩化水素、またはシラン、メチルシラン、および塩化水素を含有する。一態様において、堆積された層が、結晶格子内に格子間部位を有し、格子間部位内に約３ａｔ％以下の炭素を含有し、引き続き、結晶格子の置換部位内に炭素を包含するようにアニーリングされる。別の態様において、シリコンゲルマニウム積層体が、約２５ａｔ％以下、約２５ａｔ％以上、および約５ａｔ％以下のゲルマニウム濃度を含有する第１、第２、および第３の層を有する。 （もっと読む）