【課題】Ｉｎを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に、ｐ型の窒化アルミニウムガリウムからなるクラッド層を、発光層の結晶品質を劣化させることなく積層することが可能となるための条件を示し、発光効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型クラッド層１０３、ＩｎＧａＮ層を含む発光層１０５、窒化アルミニウムガリウム層からなるｐ型クラッド層１０７を順次接して積層し、ｎ型クラッド層、発光層、ｐ型クラッド層でダブルヘテロ構造の発光部を形成するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合、ｐ型クラッド層１０７の成長雰囲気中にインジウム原料を供給し、ｐ型クラッド層の成長温度を８００℃〜１０００℃の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】良質でなおかつ既存のものに比べて高性能な半導体デバイスを、安価に製造することができる、中赤外光領域で作動する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
結晶基板１上にバッファ層２を積層して形成した基本積層体３上に、特定のエッチング液により選択的に除去可能な薄厚の犠牲層４を積層する犠牲層積層ステップと、その犠牲層上にデバイス層５を形成した後、犠牲層４のみをエッチング除去して前記デバイス層５を前記基本積層体３から分離するデバイス層分離ステップと、前記デバイス層分離ステップにおいてデバイス層５とともに分離された前記基本積層体３に対し、前記犠牲層積層ステップ及びデバイス生成ステップを再度施す再利用ステップと、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反りを抑制し、リーク電流を一層低減させること。
【解決手段】基板１上にバッファ層２，３を介して積層された半導体動作層４を備える電界効果トランジスタ１００において、バッファ層３は、窒化物系化合物半導体を用いて形成された層であって該層の層厚に対する電界効果トランジスタ１００のリーク電流が略最小となる厚さに形成された第１の層１１上に、この第１の層１１よりもＡｌ組成比が高い窒化物系化合物半導体を用いて形成された層であって該層の成長温度に対する電界効果トランジスタ１００のリーク電流が略極小となる温度で形成された第２の層１２が積層された複合層１０を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面上に配設された複数の細長いナノ構造体、及び細長いナノ構造体上にコンフォーマルに堆積して複数の光活性接合を形成する多層膜を含んでなる光起電力デバイスを提供する。
【解決手段】基板１０２表面上に複数の細長いナノ構造体１０１を生成し、及び多層膜１０３をコンフォーマルに堆積させて複数の光活性接合を形成する段階を含んでなり、複数の光活性接合は異なる波長の光を捕獲するように設計される。ソーラーパネルは１以上の光起電力デバイスを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物の異常拡散の発生を防止すること。
【解決手段】半導体光電陰極は、ｐ型の不純物がドープされ、且つ互いにヘテロ接合する第１および第２のIII−V族化合物半導体層を備える。第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 （もっと読む）

【課題】高周波励起のプラズマＣＶＤ法によるシリコン系薄膜の形成方法において、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶化度の高い多結晶シリコン系薄膜を形成する。
【解決手段】成膜時のガス圧を０．００９５Ｐａ〜６４Ｐａの範囲から、成膜室内へ導入する成膜原料ガスの導入流量Ｍｓに対する希釈ガスの導入流量Ｍｄの比（Ｍｄ／Ｍｓ）を０〜１２００の範囲から、高周波電力密度を０．００２４Ｗ／ｃｍ³ 〜１１Ｗ／ｃｍ³ の範囲からそれぞれ選択、決定するとともに、成膜時のプラズマポテンシャルを２５Ｖ以下、プラズマ中電子密度を１×１０¹⁰個／ｃｍ³ 以上に維持して膜形成し、且つ、それら圧力等の組み合わせをレーザラマン散乱分光法による膜中シリコンの結晶性評価においてアモルファスシリコン成分に起因するＩａに対する結晶化シリコン成分に起因するＩｃの比（Ｉｃ／Ｉａ＝結晶化度）が８以上となる組み合わせとして多結晶シリコン系薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】デバイス中のベーサルプレーン転位を低減させること。
【解決手段】炭化珪素半導体基板１００は、炭化珪素単結晶基板１０１上に、窒素（Ｎ）をドープしたＮドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０２、およびリン（Ｐ）をドープしたＰドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０３が順に積層されている。Ｎドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０２およびＰドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０３は、エピタキシャル成長時に２種類以上のドーパント、たとえば、窒素およびリンを用いることによって形成される。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を含むＧａＮ系半導体発光素子における動作電圧の低減。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子（１０）は、複数のＧａＮ系半導体層が積層されてなる積層体Ｌを有し、積層体Ｌには、第１のｎ型層（２）と、発光層（３）と、ｐ型層（４）と、第２のｎ型層（５）とがこの順に含まれている。ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とはヘテロ界面をなすように接しており、第２のｎ型層（５）には正電極（Ｅ１）が形成されている。
一実施形態では、ヘテロ界面をなすｐ^＋型層（４ｃ）とｎ^＋型層（５ａ）とにおいて、ｐ^＋型層（４ｃ）のバンドギャップがｎ^＋型層（５ａ）のバンドギャップよりも大きい。
一実施形態では、ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とがなすヘテロ界面の位置に、ｐ型不純物および／またはｎ型不純物の層厚方向の分布のピークを有している。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレインを構成するシリコンゲルマニウムの成膜方法を工夫することで、短チャネル効果の抑制と移動度の向上を両立させることを可能とする。
【解決手段】半導体基板１１に絶縁ゲート型ＦＥＴを形成する半導体装置の製造方法であって、絶縁ゲート型ＦＥＴのソース・ドレイン１９、２０は、半導体基板１１のソース・ドレインが形成される領域に凹部１６を形成した後、シリコン原料ガスと、ゲルマニウム原料ガスと、エッチング成分ガスの塩化水素ガスと、搬送ガスの水素ガスとを成膜雰囲気に供給して、凹部の内面に沿って不純物を含まない第１ＳｉＧｅ層１７を形成し、各ガスをその供給量を調整しながら成膜雰囲気に導入しつつ、不純物を含む不純物原料ガスを徐々に成膜に必要な所定量まで増加させながら成膜雰囲気に供給して、凹部の第１ＳｉＧｅ層１７上に不純物を含む第２ＳｉＧｅ層１８を形成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの中間反応が低減された結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。
【解決手段】基板を回転軸のまわりに公転させつつ、前記回転軸の側から前記基板の主面に対して略平行な方向に原料ガスおよびキャリアガスを流し、前記原料ガスの熱分解により形成される半導体膜の成長速度が最大となる位置よりも前記基板の中心が前記回転軸の側となるように配置して前記半導体膜を形成することを特徴とする結晶成長方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる半導体製造方法であって、Ｍｇのドーピングプロファイルを正確に制御できる方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇアンドープIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させた後、ＭｇドープIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させる前に、III族元素原料容器から反応領域（反応炉）へIII族元素原料ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＴＭＩを非供給にする一方、Ｖ族元素原料容器、ドーパント原料容器から反応領域（反応炉）へそれぞれＶ族元素原料ＰＨ_３、Ｍｇドーパント原料を供給するプリフロー期間ｔ１１，ｔ１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの製造単価を低減することのできるエピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法を提供すること。
【解決方法】本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第１ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第１ドーピング濃度より高い第２ドーピング濃度を有する第１エピタキシャル層と、該第１エピタキシャル層上に前記第２ドーピング濃度より低い第３ドーピング濃度を有する第２エピタキシャル層とを備える。 （もっと読む）

【課題】 予備洗浄エッチングと減圧処理を含む基板を処理する方法を開示する。
【解決手段】 予備洗浄エッチング処理は、基板を処理チャンバに導入するステップと；処理チャンバにエッチングガスを流すステップと；基板の少なくとも一部をエッチングで処理して汚染された又は損傷した層を基板表面から除去するステップと；エッチングガスの流れを停止するステップと；処理チャンバを排気してチャンバ内の減圧を達成するステップと；基板表面を減圧で処理するステップと；を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板を用いてｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を構成するとともに、半導体層の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶７は、ＳｉＣ基板１のＭ面（１０−１０）上に、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面がＭ面で成長する。Ｍ面は、Ｇａ極性面やＮ（窒素）極性面ではなく、無極性面となるので、自発分極やピエゾ分極により発生する電界の影響を非常に小さくすることができる。また、導電性のＳｉＣ基板１を用いているために、ｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を形成できる。 （もっと読む）

【課題】シート抵抗の経時変化がないＡｌＧａＮ層とＧａＮ層のヘテロ接合構造を有する半導体装置。
【解決手段】図１のように、ＡｌＧａＮ層１とＧａＮ層２のヘテロ接合構造を有する半導体装置において、ＡｌＧａＮのＡｌ組成比をｘ％、ＡｌＧａＮ層の膜厚をｙｎｍとしたとき、ｘとｙが、ｘ＋ｙ＜５５、２５≦ｘ≦４０、ｙ≧１０、を満たす値であると、ｙは臨界膜厚より小さな値であるため、ＡｌＧａＮ層にクラックが発生しない。したがって、高いＡｌ組成比でありながら、シート抵抗の経時変化がほとんどない半導体装置となる。 （もっと読む）

厚い傾斜バッファ層中の貫通転位のパイル−アップは、転位映進を促進することにより低減される。傾斜ＳｉＧｅバッファ層の形成中に、シリコン前駆体及びゲルマニウム前駆体からのＳｉＧｅ堆積は、１つ以上の期間において中断される。該期間においては、基板へのゲルマニウム前駆体のフローが維持されているが、基板へのシリコン前駆体のフローが止められている。 （もっと読む）

【課題】充分な厚さを有し、かつ、高い電気伝導度を有する窒化物膜の製造方法及び窒化物構造物を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ）を利用した窒化物膜の製造方法において、ガス供給方向から順次位置した外側反応室と内側反応室に不純物が含有された少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースと基板を順次配置し、前記各反応室を成長温度に加熱するステップと、前記外側反応室に塩化水素ガスとキャリアガスを供給することによって、金属塩化物が形成されるように前記ＩＩＩ族金属ソースと反応させ、前記金属塩化物を前記基板に搬送させるステップと、前記搬送させた金属塩化物を前記内側反応室に供給される窒素ソースガスと反応させることによって、前記基板上に前記不純物がドープされた窒化物膜を形成するステップと、を含む窒化物膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】下層からのマグネシウムの拡散を利用した電界効果トランジスタの製造。
【解決手段】マスク層２ｍでｐ型層１ｐの表面の一部を覆い、Ｍｇ原料を導入せずにＧａＮ層を形成するべくエピタキシャル成長を行うと、下層のｐ型層１ｐに接触する部分においては、当該ｐ型層１ｐからＭｇが拡散してｐボディ層４ｐが形成され、マスク層２ｍの上部は、アンドープＧａＮから成るチャネル形成層４ｉが形成される。同様に、ｐボディ層４ｐの上部には、ｐボディ層４ｐからＭｇが拡散してｐ−ＡｌＧａＮ層５ｐが形成され、チャネル形成層４ｉの上部には、アンドープＡｌＧａＮ層５ｉが形成される。このようにして製造されたＨＥＭＴ１００は、ボディ電極Ｂｄの形成されるｐ−ＡｌＧａＮ層５ｐ表面がエッチング処理されていないのでオーミック性が良好であり、ボディ電極Ｂｄからチャネル形成層４ｉの電位を安定して保つことができ、素子特性の安定した素子となる。 （もっと読む）

【課題】製造に必要な工程数が増加せず、かつＧａＮ層の結晶性が向上した半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基材１上に形成された第１のＡｌ_aＧａ_ｂＩｎ_1-a-bＮ_ｖ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、かつ０≦ａ＋ｂ≦１）層２と、第１のＡｌ_aＧａ_ｂＩｎ_1-a-bＮ_ｖ層２上に形成された第２のＡｌ_cＧａ_dＩｎ_1-c-dＮ_ｗ層３と、第２のＡｌ_cＧａ_dＩｎ_1-c-dＮ_ｗ層３上に位置し、第３のＡｌ_eＧａ_fＩｎ_1-e-fＮ_ｘ（０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１、かつ０≦ｅ＋ｆ≦１）層及び第４のＡｌ_gＧａ_hＩｎ_1-g-hＮ_ｙ（０≦ｇ≦１、０≦ｈ≦１、かつ０≦ｇ＋ｈ≦１）層を交互に積層した多層膜４と、多層膜４上に形成された第５のＡｌ_iＧａ_jＩｎ_1-i-jＮ_ｚ（０≦i≦１、０≦ｊ≦１、かつ０≦ｉ＋ｊ≦１）層５とを具備し、多層膜４における第３のＡｌ_eＧａ_fＩｎ_1-e-fＮ_ｘ層と第４のＡｌ_gＧａ_hＩｎ_1-g-hＮ_ｙ層の積層数は１６０層以下である。ただし、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは正数である。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体単結晶基板、その製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の第１側面は、１００μｍ以上の厚みを有し、厚さ方向に上部領域２２ｂ及び下部領域２２ａに区分され、上部領域２２ｂのドーピング濃度は、下部領域２２ａのドーピング濃度の５倍以上であることを特徴とする窒化物単結晶基板２２を提供する。好ましくは、上部領域２２ｂに該当する基板２２の上面はＧａ極性を有する。また、具体的な実施形態において、下部領域２２ａは意図的にドープされていない領域で、上部領域２２ｂはｎ型不純物でドープされていてもよい。この場合、上部及び下部領域２２ｂ、２２ａは、各々厚さ方向にほぼ同じドーピング濃度を有することが好ましい。また、本発明は窒化物単結晶基板２２の製造方法とこれを用いた垂直構造窒化物発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）