【課題】 従来、光通信用の半導体レーザーは発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物が求められているが、現在、制御機器の分解能不足、加熱機構の再現性の悪さ等により、半導体レーザー製造装置で製造条件を調整して発振波長に微小な差を付ける事が解決困難であった。そこで課題は、光通信用の半導体レーザーで発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物を作り分ける方法及び装置を供する事にある。
【解決手段】 従来の半導体レーザー製造装置での製造条件にサセプターを傾けると言う条件を加えて上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】残留亜鉛等のｐ型ドーパント除去エピタキシャル層を成長させなくても、ｐ型化合物半導体層の成長で使用したｐ型ドーパント原料の影響を受けることなく、エピタキシャル成長ができる。
【解決手段】基板１上に複数層の化合物半導体層６を、ｐ型ドーピング原料が供給されない第１の反応炉Ａを用いて積層成長し、前記積層された化合物半導体層６上に亜鉛などのｐ型ドーパントが添加されたｐ型化合物半導体層５を、第２の反応炉Ｂを用いて成長する。 （もっと読む）

【課題】半導体層間の格子歪を適切に緩和することが可能である半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に支持されたｎ−ＧａＮ層２と、ｎ−ＧａＮ層２よりも基板１に対して離間した位置に形成されたｐ−Ｇａｎ層７と、ｎ−Ｇａｎ層２およびｐ−ＧａＮ層７の間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む活性層４と、活性層４とｐ−ＧａＮ層７との間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む昇華防止層５と、昇華防止層５とｐ−ＧａＮ層７とに挟まれており、かつその厚さ方向においてＩｎの組成比が上記第２窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているＩｎ組成傾斜層６と、を備えている。 （もっと読む）

少なくともある程度のインジウムを含有する（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ核形成層を使用した有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）による、デバイス品質平面半極性窒化物半導体薄膜の成長を促進するための方法。具体的には、該方法は、反応容器に基板を装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアのフロー中で基板を加熱するステップと、加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核形成層を堆積させるステップと、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核形成層上に半極性窒化物半導体薄膜を堆積させるステップと、窒素過圧下で基板を冷却するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】反応室内で複数枚の基板を一括処理する際に各基板に所望の成膜条件を選択できる薄膜堆積装置および薄膜堆積方法を提供する。
【解決手段】原料ガスG1が供給される反応室内に、複数枚の基板Wを保持し回転する基板ホルダとしてのプラッタ2と、プラッタ2上の基板Wを加熱するヒータ5などの加熱手段とを有し、基板Wの表面に化学気相成長法で薄膜を形成する薄膜堆積装置において、任意の基板Wの表面を原料ガスG1から遮蔽する移動自在な遮蔽板9を設ける。任意の基板Wの表面への原料ガスG1の供給を遮蔽板9で遮断し、他の基板Wには原料ガスG1を供給することで、個々の基板Wの表面反応を制御することができ、膜種や膜厚が異なる薄膜、したがって品種の異なる積層膜を堆積させることが可能である。よって少量多品種生産を効率的に行える。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法によるＰＭＯ／ＣＭＯ超格子構造を有するＰｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＭＯＣＶＤ法によるＰＭＯ／ＣＭＯ超格子構造を有するＰｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３薄膜の形成方法は、有機金属化合物と溶媒を準備する工程と、有機金属化合物と溶媒を混合してＰＭＯ前駆体及びＣＭＯ前駆体を形成する工程を備え、ＰＭＯ前駆体及びＣＭＯ前駆体は、ＭＯＣＶＤ反応室の気化器に注入される。ＰＭＯ前駆体とＣＭＯ前駆体を交互にＭＯＣＶＤ反応室の気化器に注入することによりナノサイズのＰＣＭＯ薄膜または結晶質のＰＣＭＯ薄膜を形成するために堆積パラメータが選択される。選択された堆積パラメータは、ＰＣＭＯ薄膜の特定部分において所望のＰｒ：Ｃａ濃度比を有するＰＣＭＯ薄膜種を堆積するために維持される。得られたＰＣＭＯ薄膜は選択された温度で選択された時間アニーリングされる。 （もっと読む）

高い導電率及び移動度を有するドープされたＡｌＮ結晶及び／又はＡｌＧａＮエピタキシャル層の製造を、例えば、複数の不純物種を含む混晶を形成し、この結晶の少なくとも一部を電気的に活性化させることによって達成する。 （もっと読む）

【課題】汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を提供する。
【解決手段】真性アモルファスシリコン層の堆積に先立ち、誘電絶縁材料の層を堆積する第１の堆積操作により、同じＣＶＤチャンバ内で基板上に連続して堆積することにより行われる。ＴＦＴ基板上に堆積された絶縁材料は、その前に行われた基板への堆積プロセスによってチャンバ壁面に残留した残留ドーパントを覆うに充分な残留絶縁材料をチャンバ壁面に被覆させるような厚さをもつべきである。このことにより、同じＣＶＤチャンバ内で基板上に真性アモルファスシリコン層を堆積させる次の堆積プロセスに対してクリーンな環境を与える。 （もっと読む）

【課題】配管パージなどの残留Ｓｅを取り除く作業を行うことなく、残留Ｓｅのエピタキシャル層への混入を防止できるIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１とエピタキシャル層２〜８との間に、ＡｌＡｓ層９を成長し、このＡｌＡｓ層９に気相成長装置内の残留Ｓｅを閉じ込めることにより、成長の合間に行っていた残留Ｓｅの取り除き作業が不要となり、連続的な成長が行える。 （もっと読む）

【課題】 バッファ構造を適切にすることにより、低電圧印加時のリーク電流の低減（１×１０^-9Ａ以下）を図り、高耐圧化と高性能化を実現した電界効果トランジスタを提供することにある。
【解決手段】 半絶縁性基板１上に、下層から順にバッファ層２、活性層、コンタクト層を有する電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、バッファ層２が複数層から成り、その複数層のうちの最下層２ａとしてｐ型のＡｌ_xＧａ_1-ｘＡｓ（０．３≦ｘ≦１）からなるｐ型バッファ層を設け、このｐ型バッファ層の膜厚とｐ型バッファ層のｐ型キャリア濃度との積が、１×１０¹⁰〜１×１０^1２／ｃｍ²の範囲にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】シリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる際に、所望の領域に炭素等の不純物を高精度にドープし、ボロン等の不純物が拡散するのを効果的に抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン原料ガス、ゲルマニウム原料ガス、ボロン原料ガス、炭素原料ガスを反応室１に導入して、基板２上にシリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる場合に、炭素原料ガスをボロン原料ガスよりも先出しして、炭素原料ガスのガスボンベ１６からの供給タイミングをボロン原料ガスのガスボンベ１５からの供給タイミングに対して早くしている。これにより、炭素とボロンとのシリコン−ゲルマニウム混晶膜中への取り込みにずれが生じないようにして、シリコン−ゲルマニウム混晶膜の任意の深さ領域で炭素の濃度をボロンの濃度より高くしたので、ベース層形成以後の熱プロセスにおいてボロンの拡散を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

エミッタ−ベース接合を形成する方法。前記方法は、ベース層（２６）を設けるステップと、一組の処理ガスからなるガスの流れを用いて、ベース層（２６）上にドープしたモノエミッタ層（２８）を成長させるステップとを含み、ガスの流れは、ガスの流れの最初の数秒間、処理ガスにゲルマニウム（Ge）源を添加することを含む。
（もっと読む）

結晶成長装置内で、半導体ウエハ表面に、エッチング作用のある原料と結晶成長原料を同時に供給し、エッチング速度と結晶成長速度をバランスさせることで、効率良く残留不純物を除去する。
（もっと読む）

【課題】 十分に低い転位密度、広い面積にわたっての均質性、作製プロセスの簡便さ、経済性を満足し、基板界面付近が高抵抗の窒化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】 基板２１上に形成されたホウ素を含む第１の窒化物半導体２２と、第１の窒化物半導体２２上に形成され、ホウ素の組成比が、第１の窒化物半導体２２のホウ素の組成比よりも小さい第２の窒化物半導体２３とを備えた。第１の窒化物半導体２２のホウ素の組成は、０．００１以上０．２以下が好適である。第１の窒化物半導体２２は、基板２１上に複数の島状の結晶として形成され、平均高さが０．１ミクロン以上であることが好ましい。 （もっと読む）

厚さ100nm〜800nmを有し高度に緩和したエピタキシャル半導体層（52）をチャンバ内で形成する方法である。本発明の方法は、基板キャリア上の成長チャンバ内に基板（51）を配置し、基板（51）の基板温度（Ts）を350〜500℃の範囲で一定に維持し、基板（51）をプラズマに曝すように成長チャンバ内に高密度・低エネルギーのプラズマを発生させ、ガス導入口からシランガス（SiH4）とゲルマンガス（GeH4）をチャンバ内に導入し、その際、上記半導体層（52）を成長速度1〜10nm/sで蒸着により形成可能にシランガスとゲルマンガスの流速を調整し、かつ上記半導体層（52）のゲルマニウム濃度xを、0＜x＜50％とする。
（もっと読む）

ガス状の前駆体混合物を形成するためにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを含む、ＳｉＧｅ膜（３０）をブランケット堆積する方法。本方法はさらに、化学気相成長条件下において、ガス状の前駆体物質を基板（１０）上に流し、パターンの有無に関わらず、基板（１０）上にエピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層（３０）を堆積させることを包含する。
（もっと読む）

組成変動を有する半導体層を備えている半導体構造を形成する。この半導体層の最上表面は、実質的にヘイズを有していない。
（もっと読む）

【課題】本発明は、ひずみへテロ接合構造体の製造を提供する。
【解決手段】多層膜の成長は、成長された層のひずみの厳密な制御及び成長された膜の完全な剥離を可能にする方法で行なわれて選択された基板への剥離された多層構造体の取付けを可能にする。シリコン−ゲルマニウムのような材料の層が、テンプレート層がその上に形成される犠牲層を有する基板の、シリコンのようなテンプレート層の上に成長される。成長層は、テンプレート層と格子不一致を有して堆積されるときに成長層がひずまされる。シリコンのような、結晶材料の最上層は、成長層及びテンプレート層を有する多層構造体を形成するために合金層の上に成長される。犠牲層は、多層構造体を犠牲層から剥離するために優先的にエッチングされて、成長層を緩和し且つ成長層と連結される結晶層をひずませる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性に優れ、発光効率が向上した、少なくともガリウム(Ｇａ)、インジウム(Ｉｎ)、窒素(Ｎ)、砒素(Ａｓ)を含むIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 この結晶成長方法では、結晶成長時間Ｔ２に、図２(Ｂ)に示すIｎ源(ＴＭIｎ)の単位時間当たりの供給量と図２(Ｄ)に示すＮ源(ＤＭｅＨｙ)の単位時間当たりの供給量とが同位相で同期して変化するように５回の変調を行っている。また、図２(Ａ)に示すＧａ源(ＴＭＧａ)の単位時間当たりの供給量は、図２(Ｂ)に示すIｎ源(ＴＭIｎ)の単位時間当たりの供給量に対して逆位相で同期して変化するように、原料の単位時間当たりの供給量の変調を行っている。これにより、ＩｎとＮとの結合の密度が、ＧａとＮとの結合の密度よりも多くなってＮ原子とIｎ原子との結合が促進されていることがわかった。 （もっと読む）

【課題】水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のＳｉＧｅエッチング停止構造物を提供する。
【解決手段】ＳｉＧｅエッチング停止構造物が、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘまでの段階が設けられた弛緩されたバッファ層と、Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙの弛緩された均質なエッチング停止層とを有しており、ｘ≦０．１７、ｙ≧０．３が好ましい。バッファ層は、基板／バッファとの界面における純粋シリコンからゲルマニウム組成にかけて、その厚みに対して一次的に変化する構成を有し、さらに、バッファ／エッチング停止界面に化学的不純物質を有する。界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 （もっと読む）