【課題】半極性面を有するＧａＮ支持基体上に設けられた発光層を含みミスフィット転位による発光効率の低下を抑制できる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１は、六方晶系窒化ガリウムからなる支持基体１３と、Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｙ１Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｙ１}Ｎ（０＜Ｘ１＜１、０＜Ｙ１＜１、Ｘ１＋Ｙ１＜１）層２１を含むｎ型窒化ガリウム系半導体層１５と、発光層１７と、ｐ型窒化ガリウム系半導体層１９とを備える。このＩｎＡｌＧａＮ層２１は半極性主面１３ａと発光層１７との間に設けられる。ＩｎＡｌＧａＮ層２１のバンドギャップＥが窒化ガリウムのバンドギャップＥ以上であるので、発光層１７へのキャリアと光の閉じ込め効果が提供される。ＩｎＡｌＧａＮ層２１のｃ面Ｓｃ２が法線軸Ａｘに対して傾斜しているけれども、ｃ面を主とするすべり面によるミスフィット転位の密度がＡｌＧａＮに比べて低減される。 （もっと読む）

【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、前記バッファは、１×10¹⁸/cm³以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、前記Si単結晶基板はｐ型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜特性の優れた堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】減圧可能で内部に基体１０２を設置可能な反応容器部１０１および、反応容器部１０１との間を開口および閉口する弁体を有するゲートバルブ部１３０からなり、弁体により反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を開口して、反応容器部１０１の中に基体１０２を搬入し、堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、ゲートバルブ部は、弁体を摺擦することが可能な摺擦部材と、弁体が反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を閉口している位置から開口している位置に移動する際に、弁体と摺擦部材を摺擦させるか否かの選択可能であって、摺擦させる場合に、摺擦部材が弁体を摺擦することによって、弁体に付着した異物を除去し、さらに除去した異物を反応容器部１０１の中へ落とすことが可能な摺擦機構を有する。 （もっと読む）

【課題】 バッファ領域の漏れ電流を低減する共に、半導体領域の転位密度を低減した窒化物半導体装置形成用基板を提供し、高周波特性に優れた窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 多層構造体のバッファ領域の一部にｐ型不純物をドーピングし、二次元電子ガス層の発生を抑制することで、転位、漏れ電流を低減する。また二次元電子ガス層の発生を抑制することで寄生容量が低減され、高周波特性を大きく改善した窒化物半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上に平坦性及び結晶性に優れたIII族窒化物系半導体層を形成し、ガウシアン形状に近い垂直ＦＦＰ形状を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、ｎ型ＧａＮからなる基板１０１と、基板１０１の主面上に該主面と接して形成されたＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（但し、ｘは０＜ｘ＜１である。）からなるｎ型クラッド層１０２と、該ｎ型クラッド層１０２の上に形成されたＭＱＷ活性層１０４と、該ＭＱＷ活性層１０４の上に形成されたｐ型クラッド層１０７とを含む積層構造体１２０と有している。基板１０１の主面は、面方位の（０００１）面に対して０．３５°以上且つ０．７°以下の範囲で傾斜している。また、ｎ型クラッド層１０２を構成するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮにおけるＡｌ組成ｘは、０．０２５以上且つ０．０４以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系結晶またはＧｅ系結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、水素ガス雰囲気中において、圧力が第１の圧力であり、温度が第１の温度である条件下で、シリコン窒化物からなる部材を備えたＳｉ系基板の前記部材に覆われていない領域の自然酸化膜および付着したシリコン窒化物を除去する工程と、水素ガス雰囲気中において、圧力を前記第１の圧力に保持したまま、温度を前記第１の温度から第２の温度に下げる工程と、水素ガス雰囲気中において、温度を前記第２の温度に保持したまま、圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に下げる工程と、圧力を前記第２の圧力に下げた後、水素ガス、およびＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含む前駆体ガス雰囲気中において、前記Ｓｉ系基板の表面にＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含む結晶をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安価な基板を用いて製造することができ、良好な特性を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層２上に形成され、空乏化されたｎ型ＧａＮ層３と、ｎ型ＧａＮ層３上に形成された厚さが３０μｍ以上のアンドープのＧａＮ層４と、が設けられている。更に、ＧａＮ層４上に形成された活性層５と、活性層５上に形成された電極層６と、が設けられている。これらの積層体は、サファイア基板を用いて形成されたものであり、積層体の形成後にサファイア基板が分離されている。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた電子デバイスを、クラックを生じさせることなく形成できるエピタキシャル基板、および該電子デバイスを提供する。
【解決手段】六方晶ＳｉＣ基材の上に、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎなる緩衝層を、緩衝層下部と緩衝層上部とで結晶粒の形態とが相異なるように、両者の間の結晶粒の形態変化が局所的ではあるが漸次的であるように形成する。さらに、緩衝層上部が、基板面に対して略垂直方向に存在する粒界を含むとともにｃ軸に配向した柱状多結晶からなり、緩衝層下部に存在する粒界の数が緩衝層上部に存在する粒界の数より多く、緩衝層上部についてのＸ線ロッキングカーブ（０００２）ωスキャンの半値幅が３００秒以上３０００秒以下であり、緩衝層の表面のＲＭＳが０．２ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、基材表面に平行な方向における緩衝層上部の結晶粒の粒界幅と、緩衝層の形成厚みとの比が、０．５以上１．５以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】ゲート間のピッチが狭い場合における短チャネル効果の劣化を抑制する。
【解決手段】基板上に、第１ゲートと、第１ゲートに隣接する第２ゲートを形成する工程、第１ゲートの側壁に第１サイドウォールを、第２ゲートの側壁に第２サイドウォールを形成する工程、第１ゲート、第１サイドウォール、第２ゲート、第２サイドウォールをマスクとして、基板に第１不純物の注入を行う工程、全面に絶縁膜を堆積した後、絶縁膜をエッチングして、第１サイドウォールの側面に第３サイドウォールを、第２サイドウォールの側面に第４サイドウォールを、第１ゲートと第２ゲートの間において第３サイドウォールと第４サイドウォールとが接触するように形成する工程、第１ゲート、第１及び第３サイドウォール、第２ゲート、第２及び第４サイドウォールをマスクとして、基板に第２不純物の注入を行う工程、第３及び第４サイドウォールを除去する工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。 （もっと読む）

３次元トランジスタの製造に用いられる半導体構造の作製方法を提供する。この半導体構造は、シリコン基板およびエピタキシャル層を備え、このエピタキシャル層は終点検出エピタキシャル領域を備え、この終点検出エピタキシャル領域は、炭素、ゲルマニウム、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される終点検出不純物を含む。
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【課題】Ｎ／Ｎ／Ｎエピタキシャル基板を製造する際に必要となる、ＦｅやＭｏ等の重金属の同定と定量を高感度に行うことのできるシリコン単結晶基板の評価方法、及びＦｅやＭｏ等の重金属不純物濃度が低い良好なエピタキシャル基板を得ることが出来るエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐ型シリコン単結晶基板を準備する工程と、該Ｐ型シリコン単結晶基板の一主表面上にＮ型シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程と、該Ｎ型シリコン単結晶薄膜を有するＰ型シリコン単結晶基板の前記Ｎ型シリコン単結晶薄膜のみを除去して前記Ｐ型シリコン単結晶基板の主表面を露出させる工程と、ＤＬＴＳ法によって該主表面を露出させたＰ型シリコン単結晶基板の重金属濃度の測定を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】
隣接するＡｓ系半導体層からのＡｓの拡散を防止できるＰ系化合物半導体層を成長する。
【解決手段】
化合物半導体装置の製造方法は、（ａ）化合物半導体基板上方に、第２のＡｓ系化合物半導体層、第３のＡｓ系化合物半導体層を形成する工程と、（ｘ）第３のＡｓ系化合物半導体層の上に、Ａｓ濃度５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３〜３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の範囲のＡｓをドーピングしつつ、Ｖ族元素がＰである第１のＰ系化合物半導体層を形成する工程と、（ｙ）第１のＰ系化合物半導体層の上にＶ族元素がＡｓである第１のＡｓ系化合物半導体層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、（１）反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の５倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程２１１と、安定化工程２１１後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程２１２と、を有し、（２）膜堆積工程２１２は、電力の立ち上がり工程２０１と、インピーダンス整合工程２０３と、安定放電工程２０５と、電力をオフする立ち下がり工程２０４と、からなり、立ち上がり工程２０１とインピーダンス整合工程２０３と立ち下がり工程２０４の合計時間が、１秒以上、１０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合部における比抵抗の分布を急峻にすることができる半導体基板の製造方法及び該製造方法に得られる半導体基板を提供すること。
【解決手段】キャリアガスが流通する反応室の内部に半導体ソースガス及び第１ドーパントガスを供給して、半導体ウェーハの主表面に第１エピタキシャル層を成長させる第１エピタキシャル成長工程Ｓ１と、第１エピタキシャル成長工程Ｓ１の後に、前記反応室の内部に前記半導体ソースガスを実質的に供給しない状態で前記第１ドーパントガスを供給する第１ドーパントガス供給工程Ｓ２と、第１ドーパントガス供給工程Ｓ２の後に、前記反応室の内部に前記半導体ソースガスと共に前記第１ドーパントガスとは逆の導電型の第２ドーパントガスを供給して、前記第１エピタキシャル層の上に、該第１エピタキシャル層とは逆の導電型の第２エピタキシャル層を成長させる第２エピタキシャル成長工程Ｓ５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高抵抗エピタキシャル層の連続成長時、炉内ガスパージ後に滞留した第１層用の成長ガスを原因としたオートドープを抑えて、高抵抗エピ層の深さ方向の抵抗率プロファイルダレが小さいＩＧＢＴ用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】高抵抗エピタキシャル層成長時、反応容器の幅方向の中央部からの成長ガスの流量比を４０〜５５％としたので、高濃度ｎ形ドーパントを含む第１層用の成長ガスの炉内滞留量が減少する。その結果、滞留ガス中の高濃度ｎ形のドーパントが第２層へ回り込むオートドープが抑制され、第２層は成長当初から成長終了まで略均一なドーパント濃度となり、第２層の深さ方向の抵抗率プロファイルのダレが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】電子供給層について膜厚とＡｌ組成比率の最適化を図り、ノーマリオフとなる半導体装置を提供することである。
【解決手段】半導体装置１０は、基板１８上に電子走行層１７をエピタキシャル成長により形成し、さらに電子走行層１７上に電子供給層１５をエピタキシャル成長により形成する。電子走行層１７と電子供給層１５とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１６を形成可能なＨＥＭＴとする。電子供給層１５上は絶縁膜１４で覆い、ソース電極１１，ゲート電極１２およびドレイン電極１３を設ける。電子供給層１５は、Ａｌ組成比率を１０〜１８[％]とし、膜厚を５〜１５[nm]として形成する。作製された半導体装置１０は、クラック等の発生が防止され、ノーマリオフになる。よって、この半導体装置１０はパワーデバイスとして利用することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮ半導体の成長におけるドロップレットの発生が低減される、III族窒化物系発光素子を作製する方法が提供される。
【解決手段】、４９０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピーク波長を有する光を発生する活性層２１を形成する。障壁層２３ａの成長は、時刻ｔ１〜ｔ２において摂氏８８０度の成長温度Ｔ_Ｂで行われる。時刻ｔ２〜ｔ３の間で、長炉１０の基板温度を温度Ｔ_Ｂを温度Ｔ_Ｗに降下する。時刻ｔ３〜ｔ４で原料ガスＧ_Ｗを成長炉１０に供給して、アンドープＩｎ_０．２Ｇａ_０．８Ｎ井戸層２５ａを温度Ｔ_Ｗで障壁層２３ａ上に成長する。成長温度Ｔ_Ｗは摂氏８００度である。原料ガスＧ_Ｗは、III族原料と共に、ＮＨ_３及びモノメチルアミンを含む。モノメチルアミンの流量とアンモニアの流量との流量比（［モノメチルアミン］／［アンモニア］）が１／１００００以下である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法において、半導体装置内部の欠陥を低減するとともに、製造工程における歩留まりを改善し、装置の信頼性を高めて寿命を延ばす。
【解決手段】 バッファ層を提供するとともに、第１の半導体層５３０をバッファ層５２０の表面に形成する。続いて、エピタキシャル工程にて不純物を高濃度でドーピングする方式でドーピング層５４０ａを第１の半導体層５３０の表面に形成する。その後、第１のドーピング層５４０ａの表面を第２の半導体層５５０ａで被覆する。最後に、第２の半導体層５５０ａ上に半導体発光素子５６０を成長させる。第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 （もっと読む）

【課題】大口径ではＦＺ法で作製した半導体単結晶基板による高抵抗のウェーハを得ることが困難であるという問題を解決し、従来使用しているＣＺ法による半導体単結晶基板を基に作製したモニターウェーハを用いて、高感度に熱処理炉の金属不純物の汚染を検出することのできる汚染検出用モニターウェーハと、該ウェーハを用いた汚染検出方法を提供する。
【解決手段】熱処理炉の金属不純物汚染の有無を検出するための汚染検出用モニターウェーハであって、ＣＺ法により育成された単結晶インゴットからスライスして製造された半導体単結晶基板の両主表面に、ノンドープの単結晶薄膜が気相成長されたものであることを特徴とする汚染検出用モニターウェーハ。 （もっと読む）