【課題】ｉ層に微結晶シリコンゲルマニウムを用いたｐｉｎ型光電変換層を備えた光電変換装置及びその製造方法において、ｉ層のゲルマニウム濃度の増加に伴う発電特性の低下を抑制する。
【解決手段】ｐ型シリコン系半導体の層を製膜する工程、ｉ型シリコン系半導体の層を製膜する工程、及びｎ型シリコン系半導体の層を製膜する工程によりｐｉｎ接合を形成して光電変換層を形成する光電変換装置の製造方法であって、ｉ型シリコン系半導体の層を製膜する工程が、微結晶シリコンゲルマニウムの層を１００℃以上１６０℃以下の製膜温度でプラズマＣＶＤ法により製膜する工程である。 （もっと読む）

【課題】層厚さが厚くてもＳｉＣ結晶中にある炭素空孔を低減できるＳｉＣ結晶成長層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第２の期間を設けている。このことで、結晶成長表面の炭素の過飽和度を上げ、成長途中の表面に過剰な格子間炭素を発生させる。これにより、成長後のＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３の表面から離れている比較的深い箇所での炭素空孔を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを低減させてＲＦ特性を改善し、携帯電話基地局用アンプに必要とされる耐圧を得ることを可能とする。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層３を成長形成するに際して、ｉ−ＧａＮ層２上にノンドープでＡｌ組成率が１５％程度のＡｌＧａＮ層（ｉ−ＡｌＧａＮ層）１１を膜厚３ｎｍ程度に成長し、更にＳｉを濃度２×１０¹⁸／ｃｍ³程度にドープしたＡｌ組成率が１５％程度のＡｌＧａＮ層（ｎ−ＡｌＧａＮ層）１２を膜厚１７ｎｍ程度に成長し、これら２層構造からなるＡｌＧａＮ層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮを含む基板上において、電気特性に優れた横型デバイスを得ること。

【解決手段】化学式Ａｌ_ａ’Ｇａ_１−ａ’Ｎ（０＜ａ’≦１）で表される組成をもつ基板（１１、１２ａ）上に、緩衝層（１２ａ、１２ｂ）を介して、化学式Ａｌ_ｍ’Ｇａ_１−ｍ’Ｎ（０≦ｍ’＜１）で表される組成をもつ能動層（１３、１４）が形成され、前記能動層上に離間して第１及び第２の主電極（１５、１６）が形成された構成を備え、前記能動層において前記第１及び第２の主電極間に電流が流されて動作する半導体装置（１０）であって、
前記緩衝層は、化学式Ａｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０＜ｂ＜１、ａ’＞ｂ＞ｍ’）で表される組成を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半絶縁層の抵抗率が低く、半導体素子として有効に利用できるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板は、基板１と、基板１上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層２と、下地層２上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層３とを備えている。第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。第二の窒化物半導体が、Ｇａを含み、比抵抗が１０^４Ω・ｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンおよび表面モフォロジー（平坦性）を改善することにより、発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１２〜１８とを備えている。成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１２〜１８は、ＡｌＧａＮからなる下部クラッド層１２を含んでいる。そして、この下部クラッド層１２が、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａと接するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質であり所望の導電型や導電性に制御された炭化シリコン膜を低コストで効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜の製造方法は、不純物領域を有する炭化シリコン膜の製造方法である。表層にシリコン膜１６ａを有する基板１１のシリコン膜１６ａを炭化処理して、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程を有する。不純物領域になる部分のシリコン膜を炭化処理する前に、この部分に不純物を注入する。 （もっと読む）

【課題】 活性層からクラッド層への電子のオーバーフローを十分に抑制可能な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】 窒化物半導体発光素子１は、活性層Ｉと、活性層Ｉの一方側に設けられたｐ型クラッド層Ｌと、ｐ型クラッド層Ｌと活性層Ｉとの間に設けられたｐ型電子ブロック層Ｋと、活性層Ｉとｐ型電子ブロック層Ｋとの間に設けられた第２ガイド層Ｊとを備え、活性層Ｉ、ｐ型クラッド層Ｌ、ｐ型電子ブロック層Ｋ、及び第２ガイド層ＪがIII族窒化物系半導体を含み、ガイド層Ｊのうちｐ型電子ブロック層Ｋ側に位置する部分は、ｐ型不純物を含むと共にｐ型電子ブロック層Ｋとがヘテロ接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にＧａＮにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にＡｌＮにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともＩｎとＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる組成のIII族窒化物であって、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる４つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】高い密度の電流を注入したときの発光効率を向上させることができる窒化物半導体発光ダイオード及びその窒化物半導体発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層からなる発光ダイオードにおいて、活性層中の発光層は複数の層からなり、異なるＩｎ混晶比を持つ層が少なくとも２以上ともに接して形成される、窒化物半導体発光ダイオードに関する。 （もっと読む）

半導体結晶、及びそれを形成する方法を提供する。当該方法は、ドーパント及びＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを供給し、その後、ドーパント及びＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを停止し、温度を低下させ、ＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを再開し、そして、温度を上昇させることを含む。
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【課題】ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】多光子吸収工程によってゲッタリングシンク４を形成した後で、シリコンウェーハ２を鏡面研磨する（ポリッシング工程：図４（ｂ）参照）。シリコンウェーハ２を鏡面研磨するポリッシング工程によって、前工程である多光子吸収工程においてレーザビームの照射により生じたシリコンウェーハ２の一面２ａの微細な傷（アブレーション）は完全に除去される（図４（ｂ）参照）。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子のクラックの発生を防ぎ、かつ基板の掘り込み領域以外の領域上における窒化物半導体層の組成変動を抑制して、高い歩留まりで窒化物半導体発光素子を得る。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、掘り込み領域（１６）が形成された主面を有する窒化物半導体基板（１０ａ）と、掘り込み領域上に形成された結晶成長抑制膜（１０ｂ）と、結晶成長抑制膜（１０ｂ）および基板（１０ａ）の主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層（１１）を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物をチャネルに用いた電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁層とチャネル層との間の界面が良好な構造を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に、ゲート電極５と、ゲート絶縁層６と、チャネル層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、を有し、前記ゲート絶縁層６及び前記チャネル層４は、ガリウム（Ｇａ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも構成元素とする層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】導電性ＳｉＣ基板上にＧａＮ系のキャリア走行層を含む化合物半導体層を形成して化合物半導体装置を構成する場合において、優れたデバイス特性を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に、ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に形成されたｉ型ＡｌＮバッファ層１２と、ｉ型ＡｌＮバッファ層１２上に形成され、Ｆｅが添加されたＧａＮバッファ層１６と、ＧａＮバッファ層１６上に形成されたｉ型ＧａＮ層１８と、ｉ型ＧａＮ層１８上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮ層２０と、ｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたソース電極２６及びドレイン電極２８と、ソース電極２６及びドレイン電極２８との間のｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたゲート電極３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜にミスフィット転位が発生しにくい超低抵抗率のシリコンエピタキシャルウェーハとこれを低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶基板と、該シリコン単結晶基板の主表面上に気相成長によって形成されたシリコン薄膜からなるシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板は、抵抗率が２ｍΩ・ｃｍ以下で、かつ燐及びゲルマニウムが、前記燐の濃度〔Ｐ〕と前記ゲルマニウムの濃度〔Ｇｅ〕の比〔Ｇｅ〕／〔Ｐ〕が、０．５５≦〔Ｇｅ〕／〔Ｐ〕＜１．５となるようにドープされたものであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】５族原料の使用量を低減しつつ、３−５族化合物半導体のｐ型キャリア濃度を制御する。
【解決手段】ベース基板を反応容器の内部に設置する段階と、反応容器に、３族元素の有機金属化合物からなる３族原料ガス、５族元素からなる５族原料ガス、および、半導体内にドープされてドナーとなる不純物を含む不純物ガスを供給して、ベース基板にｐ型３−５族化合物半導体をエピタキシャル成長させる段階とを備え、ベース基板にｐ型３−５族化合物半導体をエピタキシャル成長させる段階において、不純物ガスの流量、および３族原料ガスに対する５族原料ガスの流量比を、ｐ型３−５族化合物半導体の残留キャリア濃度Ｎ（ｃｍ^−３）および厚さｄ（ｃｍ）の積Ｎ×ｄ（ｃｍ^−２）が８．０×１０^１１以下になるよう設定する。 （もっと読む）