【課題】配管パージ等の作業を行うことなく、電気的特性等に影響を与える残留したＴｅやＳｅのエピタキシャル層中への混入を防止できるトランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】基板１００と化合物半導体層２００とコンタクト層３００とを有し、コンタクト層３００は、ｎ型不純物としてＴｅ又はＳｅがドーピングされたＩｎ組成比ｘが０．３≦ｘ≦０．６で一定のｎ型ＩｎＧａＡｓ層からなり、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層は、ｎ型不純物濃度が１．０×１０¹⁹ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁹ｃｍ^-3以下で、且つ、炭素濃度が１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上３．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であり、化合物半導体層２００は、バッファ層４００を備え、バッファ層４００は、アンドープＡｌＡｓ層からなる第１バッファ層４０１と、Ａｌ組成比ｙが０＜ｙ＜１のアンドープＡｌＧａＡｓ層からなる第２バッファ層４０２とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】チャネル内へのキャリアの閉じ込めを改善すること。
【解決手段】へテロ接合トランジスタは、ＩＩＩ族窒化物を含むチャネル層１４と、チャネル層の上のＩＩＩ族窒化物を含む障壁層１６と、チャネル層１４が障壁層１６とエネルギー障壁３８との間にあるようにした、チャネル層１４の上のインジウムを有するＩＩＩ族窒化物の層を含むエネルギー障壁とを備えることができる。障壁層１６は、チャネル層よりも大きなバンドギャップを有することができ、エネルギー障壁３８のインジウム（Ｉｎ）の濃度はチャネル層１４のインジウム（Ｉｎ）の濃度よりも高い可能性がある。 （もっと読む）

【課題】所望の不純物濃度と、高い結晶性とを有するドリフト層を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層３１は、基板３０上に設けられ、不純物を含有する炭化珪素から作られ、１μｍより大きく７μｍより小さい厚さを有する。ドリフト層３２は、バッファ層３１上に設けられ、バッファ層３１の不純物濃度よりも小さい不純物濃度を有する炭化珪素から作られている。 （もっと読む）

【課題】高耐電圧性を有するとともにｐ型不純物の拡散による結晶品質の劣化が好適に抑制された、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】（１１１）方位の単結晶シリコンである下地基板１の上に、前記下地基板の基板面に対し（０００１）結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなる半導体素子用のエピタキシャル基板１０が、組成の相異なる第１単位層３１と第２単位層３２とを繰り返し交互に積層してなる組成変調層３と、組成変調層の上に形成され、Ａｌを含むIII族窒化物からなる中間層５と、を含む単位構造体を複数積層してなるバッファ層８と、バッファ層の直上に形成されたチャネル層９ａと、チャネル層の上に形成されたバリア層９ｂと、を備え、バッファ層に含まれる複数の前記中間層のうちの少なくとも１つにｐ型不純物が意図的に導入されてなり、隣接層に第１の層から拡散したｐ型不純物が存在する、ようにする。 （もっと読む）

【課題】 良好なデバイス特性を得ることできる、複数の細孔が形成された窒化物半導体を有する構造体の製造方法、および該構造体を備えた発光素子の提供を目的とする。
【解決手段】 Ｉｎを含むIII族窒化物半導体からなる第１の半導体層を形成する工程と、第１の半導体層の上に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低いIII族窒化物半導体からなる第２の半導体層を形成する工程を有する。第２の半導体層および第１の半導体層に複数の細孔を形成する工程と、窒素元素を含む雰囲気下で熱処理することにより、複数の細孔が形成された第１の半導体層の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低い半導体結晶構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。第１発光層は、第１障壁層と、ｎ形半導体層と第１障壁層との間に設けられた第１井戸層と、第１井戸層と第１障壁層との間に設けられた第１ｎ側中間層と、第１ｎ側中間層と第１障壁層との間に設けられた第１ｐ側中間層と、を含む。第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。第１ｐ側中間層のＩｎ組成比は、第１方向に沿って低下する。第１ｐ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率は、第１ｎ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物を導入した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０の製造方法は、以下の工程を備えている。成長室内で、ＧａＳｂ基板１２上に、Ｓｂ供給部からＳｂの原料を供給することでＧａＳｂを含む層を成長する。成長室内で、ＧａＳｂを含む層上に第１のＩｎＡｓ層１６を成長することで、エピタキシャルウエハを得る。第１のＩｎＡｓ層１６の成長時の温度よりも高い温度でエピタキシャルウエハを保持する。成長室からエピタキシャルウエハを取り出して、Ｓｂ供給部を立ち下げる。Ｓｂ供給部が立ち下げられた状態で、エピタキシャルウエハを成長室内に投入し、第１のＩｎＡｓ層１６上に第２のＩｎＡｓ層１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂ含有層を備えながら、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板１の上に、ＧａＡｓＳｂ層３ａとＩｎＧａＡｓ層３ｂとを交互に繰り返し成長する工程を備え、ＧａＡｓＳｂ層の成長の際、該ＧａＡｓＳｂ層のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_１と、供給している原料ガス（気相）のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_２とが、０．７５≦（ｘ_１／ｘ_２）≦１．２０、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０は、基板１と、基板１の上面１ａ上に形成されたＡｌＧａＮ層２と、ＡｌＧａＮ層２上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層４とを備えている。ＡｌＧａＮ層２は第１ＡｌＧａＮ層２ａと、第１ＡｌＧａＮ層２ａ上に形成された第２ＡｌＧａＮ層２ｂとを有しており、第１ＡｌＧａＮ層２ａのＡｌ濃度は第２ＡｌＧａＮ層２ｂのＡｌ濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層に不純物として供給するＴｅ、Ｓｅのメモリーの影響を小さくしつつ、コンタクト抵抗を低減し、かつ、特性変動や信頼性低下を抑制しつつ、電子供給層の不純物濃度を高め、オン抵抗を低減したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】単結晶基板１１上に、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層からなるバッファ層１２ａ，１２ｂ、ｎ型不純物を含有するＡｌＧａＡｓ層１３，１７又はＩｎＧａＰ層若しくはＳｉプレナードープ層からなる電子供給層、Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層からなるチャネル層１５、アンドープ又は低濃度ｎ型不純物を含有するＡｌＧａＡｓ層からなるショットキー層１８、ｎ型不純物を含有するＩｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層からなるコンタクト層２０ａ、２０ｂを積層したＨＥＭＴ構造を有し、チャネル層のｘを０．３≦ｘ≦０．３５とし、コンタクト層のｘを０．５５≦ｘ≦０．６０としたものである。 （もっと読む）

【課題】遷移金属のエネルギー準位を安定にすることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、遷移金属であるＦｅとＦｅよりも深い準位を有する不純物であるＣとをそれぞれ一定の濃度で含有する第１のＧａＮ層２０と、第１のＧａＮ層２０上に設けられ、Ｆｅの濃度の変化に従いＣの濃度が変化する第２のＧａＮ層２２と、第２のＧａＮ層２２上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きい電子供給層１８と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にバッファ層を介して形成されるＧａＮ層を高品質にすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、シリコン基板１０上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいバッファ層１６と、バッファ層１６上に設けられた第１のＧａＮ層１８と、第１のＧａＮ層１８の上面に接して設けられた第２のＧａＮ層２０と、を有し、第１のＧａＮ層１８に含まれる炭素の濃度は、第２のＧａＮ層２０に含まれる炭素の濃度に比べて高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＸ線回折による（００２）面のロッキングカーブ半値幅が１５００秒以下のＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に形成されたＧａＮ系半導体層１４と、を具備する半導体基板であって、その反りの曲率半径は±２５ｍ以上であり、反り量は、半導体基板の大きさを４インチとした場合、±５０μｍ以下である。ＧａＮ系半導体層１４はＡｌＮ層１２から圧縮応力を受ける。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化した窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置２００は、シリコン基板２０１上に形成されたバッファ層２２０と、バッファ層２２０上に形成された第１の窒化物超格子層２０４ａと、第１の窒化物超格子層２０４ａ上に形成された活性領域層２３０とを備え、バッファ層２２０は、不純物がドープされた第２の窒化物超格子層２０４ｂと、第２の窒化物超格子層２０４ｂ上に形成され、不純物がドープされた第１の窒化物半導体層２０５と、第１の窒化物半導体層２０５上に形成され、第１の窒化物半導体層２０５よりもＡｌ組成及び不純物の濃度が高い第２の窒化物半導体層２０６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、マグネシウムをドープしたｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．２３以上０．３未満の範囲であり、かつキャリア濃度が５×10¹⁷／cm³以上であるか、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の範囲であり、かつキャリア濃度が３．５×10¹⁷／cm³以上であるか、または、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の範囲であり、かつキャリア濃度が２．５×10¹⁷／cm³以上であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の表面平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、低転位領域１０と、低転位領域１０よりも転位密度が高い高転位領域１２とを有するＧａＮ基板１４を準備する。次に、高転位領域１２を覆わずに高転位領域１２を囲むように低転位領域１０上に絶縁膜１６を形成する。次に、ＧａＮ基板１４上に窒化物半導体層１８を形成する。これにより、高転位領域１２上で発生した異常成長が低転位領域１０に伝播するのを防ぎつつ、原料拡散により絶縁膜１６の近傍で窒化物半導体層１８の厚みが増大するのを防ぐことができる。この結果、窒化物半導体層１８の表面平坦性を向上させることができ、半導体装置の歩留まりを向上できる。 （もっと読む）

複数の前駆体及びインジウム表面賦活剤を用いて１つ以上のｎ型層またはｐ型層を多重量子井戸(ＭＱＷ)サブアセンブリに重ねて形成するため、ＭＱＷサブアセンブリが低温気相成長プロセスにかけられる、光電発光半導体素子を作製する方法が提供される。前駆体及びインジウム表面賦活剤は１つ以上のキャリアガスを用いてそれぞれの流量で気相成長プロセスに導入され、キャリアガスの少なくとも１つはＨ_２を含む。インジウム表面賦活剤は低温気相成長プロセス中に形成されるｐ型層の結晶品質を向上させるに十分な量のインジウムを含み、それぞれの前駆体の流量及びキャリアガスのＨ_２含有量はｎ型層またはｐ型層内のインジウム表面賦活剤からのインジウムのモル分率をほぼ１％未満に維持するように選ばれる。別の実施形態において、低温気相成長プロセスは低温Ｔ_Ｇにおいて実行され、ここで、Ｔ_Ｇ≦Ｔ_Ｂ±５％であり、Ｔ_ＢはＭＱＷ障壁層成長温度である。他の実施形態も開示され、特許請求される。
（もっと読む）

【課題】成膜に用いる原料ガス同士の気相反応を抑制し、均一な成膜速度で均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）において、基板１５に近いほうから順に配置された、窒素ガスとＶ族元素ガスとが混合された第１の混合ガスを流す第１ガスライン１０と、窒素ガスとＩＩＩ族元素ガスとが混合された第２の混合ガスを流す第２ガスライン２０と、サブフロー窒素ガスを流す第３ガスライン３０から、基板の主表面に対向する領域へガスを流す。ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）における、基板１５が配置される反応室内５０の圧力は１５ｋＰａ以上２５ｋＰａ以下であり、第２の混合ガス中に含まれる窒素ガスの流速が３．２５ｍ／ｓ以上３．３５ｍ／ｓ以下である。 （もっと読む）