【課題】プラズマをバッファ室内にとどめた状態で、プラズマ密度を上げることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を収容する反応管２０３と、前記反応管２０３内に処理ガスを供給するガス供給手段のノズル２３３と、前記ノズル２３３により供給された処理ガスをプラズマ励起させるための一対の電極２６９と２７０と、環状の磁性体に所定方向に所定回数だけ巻き付けられ、前記一対の電極２６９と２７０の内いずれか一方を高周波電源２７３と接続する第一のコイル２０ａと、前記環状の磁性体に前記所定方向とは逆方向に前記所定回数だけ巻き付けられ、前記一対の電極２６９と２７０の内いずれか他方を接地させる第二のコイル２０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】自転サセプタに一体に設けられる小歯車の位置を変更することにより、一回の工程で生産される、表面に半導体結晶の薄膜が成長された半導体ウエハの数を増やす。
【解決手段】原料ガス導入口、半導体ウエハを加熱するヒータ及びガス排出口を有すると共に、各々半導体ウエハを保持する複数個の自転サセプタ及びこれら自転サセプタを夫々ベアリングを介して回転自在に設置した円板状の公転サセプタを有し、前記複数個の自転サセプタを前記円板状の公転サセプタの周辺部にリング状に並べて配置すると共に、前記複数個の自転サセプタの外周部に夫々形成された小歯車をこれら小歯車の外側に位置する共通の内歯車と噛み合わせてなる気相成長装置において、前記小歯車を前記ベアリングの上部に位置するように前記自転サセプタに一体に形成する。 （もっと読む）

【課題】 熱処理装置内に付着した反応生成物を効率よく除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、反応管２内を４００℃〜７００℃に加熱するとともに、処理ガス導入管１７からフッ素とフッ化水素とを含むクリーニングガスを供給して付着物を除去する。 （もっと読む）

【課題】降温時の温度制御の精度を向上することのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】加熱装置２０７と加熱装置２０７内に設けられる外側反応管２０６および内側反応管２０３とを有する反応炉と、内側反応管２０３と外側反応管２０６との間に挿入される熱電対２６３と、外側反応管２０６と加熱装置２０７との間を吸引排気する吸引排気口３０１と、熱電対２６３の計測した値に基づき加熱装置２０７の温度制御を行う制御部１０１、１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 排気口部を処理容器と同様に迅速に降温させることができ、スループットの向上が図れる縦型熱処理装置及びその処理容器急速降温方法を提供する。
【解決手段】 被処理体ｗを収容して熱処理する処理容器２と、該処理容器２の周囲を囲んで加熱する急速冷却機能を有する主ヒータ７と、処理容器２の上部に排気管５を接続するために屈曲形成された排気口部６と、該排気口部６を加熱するために設けられた補助ヒータ２０とを備えた縦型熱処理装置１であって、前記補助ヒータ２０に主ヒータ７の急速冷却時に該補助ヒータ２０を排気口部６から退避させるための移動機構２１を設けると共に、排気口部６周辺の雰囲気を強制排気するための強制排気機構２２を設けている。 （もっと読む）

【課題】排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室２０１に基板処理用ガスとクリーニングガスをそれぞれ供給する供給手段２３２、２３４と、処理室２０１に連通された排気通路２３１と、基板２００を加熱する加熱手段２０７とを有し、少なくとも排気通路２３１の内部に生成された副生成物を除去するため、クリーニングガスを処理室２０１内に供給し排気通路２３１を介して排出する際、排気通路２３１の途中から不活性ガス供給システム２５１、２５３により高温の不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

励起された、および／またはイオン化された粒子をプラズマ内でプロセスガスから発
生するための装置が提供され、この装置は円筒状に形成され、内部でプラズマ帯域が発
生可能な内部空間（３）、同軸内側導体（１０）、同軸外側導体（１１）、プロセスガ
スが内部空間（３）へ供給可能な入口（１４）、プロセスガスが内部空間（３）から排
気可能な出口（１５）を有し、同軸内側導体（１０）が少なくとも部分的に曲がった形
状を有することを特徴とする。
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基板（４０、１２５）上におけるケイ素−窒素−含有膜の低温プラズマ化学蒸着のための方法である。前記方法は、プロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（４０、１２５）を提供し、リモートプラズマ源（９４、２０５）の反応物ガスを励起し、その後励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、及び化学蒸着プロセスで励起したガス混合物から基板（４０、１２５）上にケイ素−窒素−含有膜を堆積する段階を含む。ひとつの実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＨ膜を堆積するため窒素含有ガスを含んでよい。また他の実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＯＨ膜を堆積するため酸素含有ガスを含んでよい。
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【課題】プラズマ中に浮遊するダストが基体に付着して形成される構造欠陥を低減し、プラズマ処理による製造物の歩留まりの向上を図ること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体で形成された減圧可能な反応容器と、反応容器内に円筒状基体を設置する複数の基体支持体と、円筒状基体を加熱する基体加熱手段と、反応容器内にガスを供給するガス供給手段と、反応容器内を排気する排気手段と、反応容器の外側に設置された複数の高周波電極によって反応容器内に供給したガスのプラズマを生成するための高周波電力供給手段を備えたプラズマ処理装置において、反応容器の底面に前記排気手段を接続する排気口を設け、少なくとも排気口の周囲を冷却する冷却手段を設ける。 （もっと読む）

本発明の基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給系２３２ａ、２３２ｂと、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２３１、２４６と、処理ガスをプラズマ化するため、保護管２７５内に挿抜可能に収容された一対の電極２６９、２７０とを有し、電極２６９、２７０は可撓性の部材で構成され、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管２７５内に収容される。 （もっと読む）

本発明は、天井（２）と基板（４）を載せるための垂直に反対側の加熱された床（３）を有する反応チャンバー（１）中の少なくとも１の特に結晶基板の上に、特に結晶層を堆積するための装置に関するものである。垂直に重ねられたガス入口域（６、７）を形成するガス入口部材（５）は、少なくとも１の第一および１の第二ガス状出発物質を分離して導入し、前記出発物質は、キャリヤガスとともに前記反応チャンバー（１）を通過して水平方向に流れる。前記ガスの流れは、前記ガス入口部材（５）に直接隣接した入口域（ＥＺ）で均質化し、前記出発物質は少なくとも一部分解され、前記入口域（EZ）に隣接した成長域（GZ）中の基板（４）上に堆積される分解物を生成し、ガスの流れは連続的に使い尽くされる。前記入口域（EZ）の水平方向の広がりを減少させるためには、ガス入口部材（５）の追加ガス入口域（８）は、２つの出発物質のうちの一方に必須である。
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処理容器内において被処理基板表面に所定の処理温度で酸化膜を形成する成膜方法は、前記基板を前記所定の処理温度まで昇温する昇温工程を含み、前記昇温工程は前記基板を、前記基板の温度が４５０℃の温度に達する前に、酸素を含む雰囲気中に保持する工程を含む。 （もっと読む）

バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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【課題】高速性、均一性に優れ、原料ガスの使用効率を高めて成膜コストを低減することを可能とした成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】反応容器１と、該反応容器１内に設けられ、対向して設けられた少なくとも一対の基体７を支持するための支持体６と、該基体７を加熱する手段と、前記一対の基体７間に形成された空間に原料ガスを吐出するためのガス吐出口８ａと、ガスの排出口９と、前記支持体６を同一方向に回転させる手段とを具備することを特徴とし、前記加熱する手段が高周波誘導加熱であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷを支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷとの隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このとき、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）