基板処理装置
【課題】排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室２０１に基板処理用ガスとクリーニングガスをそれぞれ供給する供給手段２３２、２３４と、処理室２０１に連通された排気通路２３１と、基板２００を加熱する加熱手段２０７とを有し、少なくとも排気通路２３１の内部に生成された副生成物を除去するため、クリーニングガスを処理室２０１内に供給し排気通路２３１を介して排出する際、排気通路２３１の途中から不活性ガス供給システム２５１、２５３により高温の不活性ガスを導入する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室２０１に基板処理用ガスとクリーニングガスをそれぞれ供給する供給手段２３２、２３４と、処理室２０１に連通された排気通路２３１と、基板２００を加熱する加熱手段２０７とを有し、少なくとも排気通路２３１の内部に生成された副生成物を除去するため、クリーニングガスを処理室２０１内に供給し排気通路２３１を介して排出する際、排気通路２３１の途中から不活性ガス供給システム２５１、２５３により高温の不活性ガスを導入する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、Ｓｉ系原料ガスを用いてＳｉ基板に成膜を行う半導体ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、Ｓｉ２Ｃｌ４等のＳｉ系原料ガスを用いてＳｉ基板に成膜を行う半導体ＣＶＤ装置において、原料ガスが熱分解されると同時に高分子化（重合）が起こり、ａ−Ｓｉ（ＳｉｘＨｙ）、塩化シランポリマー（ＳｉｘＣｌｙ，ＳｉｘＨｙＣｌｚ）等の副生成物が低温の排気配管に堆積する。また、副生成物の種類によっては、メンテナンスの際に侵入した大気中の水分と反応して加水分解を起こし、高燃料性の加水分解物や爆発性の加水分解物を形成するため非常に危険である。さらに、加水分解の際にＨＣｌ等の有毒ガスが発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この排気配管に堆積した副生成物をＣｌＦ３ガスを使用したセルフクリーニングによって除去するが、従来は、排気配管を加熱することなく行っていた。そのために、セルフクリーニングの際、排気配管ではクリーニングガス自体の温度が低下するため、クリーニング効果が減少してしまい副生成物を効率よく除去できないという問題があった。
【０００４】
クリーニング効果を高めるために、排気配管をヒータで加熱することも考えられるが、ヒータによる加熱では、全体を均一に加熱することは難しく、温度が高い箇所ではクリーニング時に排気配管の腐食が生じやすくなる一方で、温度が低い箇所では充分はクリーニングを行えず、副生成物が完全に除去できないという問題が生じてしまうことが判明した。
【０００５】
従って、本発明の主な目的は、排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室に所望の基板処理用の処理ガスとクリーニングガスを供給する供給手段と、
前記処理室に連通された排気通路と、
前記基板を加熱する加熱手段と、を有する基板処理装置であって、
少なくとも前記排気通路の内部に生成された副生成物を除去するため、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給し前記排気通路を介して排出する際、前記排気通路の途中から高温の不活性ガスを導入することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【０００７】
このように、排気通路の途中から高温の不活性ガスを導入することにより、排気配管を均一に加熱することが可能となり、その結果、排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できるようになる。
【０００８】
好ましくは、成膜処理中にも排気通路の途中から高温の不活性ガスを導入する。このようにすれば、成膜中にも排気配管を均一に加熱することが可能となり、その結果、排気配管内に副生成物が付着するのを抑制することができると共に、排気配管内に副生成物が局所的に付着してしまうのを防止できるようになる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できる基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の好ましい実施例においては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、Ｓｉ２Ｃｌ４等のＳｉ系原料ガスを用いてＳｉ基板に成膜を行う半導体ＣＶＤ装置において、成膜処理中に排気配管内壁に付着する副生成物の量を削減させるために、当該装置の排気配管に、ＣＶＤ装置の処理炉とは別の手段で加熱されたＮ２、Ａｒ等の不活性ガスを導入する機構を有している。
【００１１】
また、ＣｌＦ３ガスによるセルフクリーニング時に、ＣｌＦ３ガスを活性化させクリーニング効果を増大させ、効率よく副生成物を除去するために、同様に加熱された不活性ガスを排気配管に導入する機構を有している。
【００１２】
次に、本発明の好ましい実施例を図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置を説明するための概略斜視図であり、図２は、本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置を説明するための概略構造縦断面図であり、図３は、本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置の処理炉を説明するための概略構造縦断面図である。
【００１４】
図１に示すように、筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取りつけられている。カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられ、カセット棚１０９はスライドステージ１２２上に横行可能に設けられている。又、カセット棚の上方にはカセット１００の載置手段としてのバッファカセット棚１１０が設けられている。更に、バッファカセット棚１１０の後側にはクリーンユニット１１８が設けられ、クリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００１５】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。この処理炉２０２内には、ウエハ２００に所定の処理を行う処理室２０１が形成されている。処理炉２０２の下側には、気密室としてのロードロック室１０２が仕切弁としてのゲートバルブ２４４により連接され、ロードロック室１０２の前面にはカセット棚１０９と対向する位置に仕切手段としてのロードロックドア１２３が設けられている。ロードロック室１０２内には、基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を、処理室２０１とロードロック室１０２との間で昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が内設され、ボートエレベータ１２１には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられボート２１７を垂直に支持している。ロードロック室１０２とカセット棚１０９との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、移載エレベータには搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。
【００１６】
カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【００１７】
次に、本実施例の基板処理装置である減圧ＣＶＤ装置の処理炉周辺の構成を図２を参照して説明する。
【００１８】
気密室としてのロードロック室１０２の外面に下基板１４５が設けられ、下基板１４５に立設したガイドシャフト１４６の上端に上基板１４７が設けられ、下基板１４５と上基板１４７間に掛渡してボール螺子１４４が回転自在に設けられる。ボール螺子１４４は上基板１４７に設けられた昇降モータ１４８により回転される。ガイドシャフト１４６には昇降台１４９が昇降自在に嵌合し、昇降台１４９はボール螺子１４４に螺合している。
【００１９】
昇降台１４９には中空の昇降シャフト１５０が垂設され、昇降台１４９と昇降シャフト１５０の支持部は気密となっている。昇降シャフト１５０はロードロック室１０２の天板１５１を遊貫し、ロードロック室１０２の底面近くに到達する。天板１５１の貫通部は昇降シャフト１５０の昇降動に対して接触することがない様充分な余裕があり、又ロードロック室１０２と昇降台１４９間には昇降シャフト１５０の突出部を覆う伸縮性を有する壁（例えばベローズ１１９）が気密に設けられ、ベローズ１１９は昇降台１４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ１１９の内径は昇降シャフト１５０の外形に比べ充分に大きくベローズ１１９の伸縮で接触することがない様になっている。
【００２０】
昇降シャフト１５０の下端には昇降基板１５２が水平に固着される。昇降基板１５２の下面には駆動部カバー１５３が取付けられ、駆動部収納ケース１５４が構成されている。昇降基板１５２と駆動部カバー１５３との接合部にはＯリング等のシール部材により密閉される。従って、駆動部収納ケース１５４内部はロードロック室１０２内の雰囲気と隔離される。
【００２１】
また、昇降基板１５２の下面にはボート２１７の回転機構１５６が設けられ、回転機構１５２の周辺は、冷却手段１５７により、冷却される。
【００２２】
電力供給ケーブル１５８が昇降シャフト１５０の上端から昇降シャフト１５０の中空部を通って回転機構１５６に導かれて接続されている。また、冷却手段１５７およびシールキャップ２１９には冷却水経路１５９が形成されており、冷却水経路１５９には冷却水を供給する冷却水配管１６０が接続され、冷却水配管１６０は昇降シャフト１５０の上端から昇降シャフト１５０の中空部を通っている。
【００２３】
昇降基板１５２の上面には、シールキャップ２１９が気密に設けられる。昇降モータ１４８を駆動し、ボール螺子１４４を回転することで昇降台１４９、昇降シャフト１５０を介して駆動部収納ケース１５４を上昇させる。
【００２４】
昇降台１４９の上死点近傍でシールキャップ２１９が処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞し、ウエハ処理が可能な状態とする。ウエハ処理が完了すると、昇降モータ１４８が駆動されて、ボート２１７が降下され、ウエハを外部に搬出できる状態となる。
【００２５】
次に、本実施例の基板処理装置である減圧ＣＶＤ装置の処理炉の詳細を図３を参照して説明する。
【００２６】
図３に示すように、処理炉２０２は、アウタチューブ２０５よりなる反応管と、ガス排気管２３１と、ガス供給管２３２と、ガス供給管２３４と、マニホールド２０９と、マニホールド２０９の下端部（炉口１６１）を蓋し処理室２０１を密閉するシールキャップ２１９と、シールキャップ２１９上に設けられウエハ２００を垂直方向に多段に搭載するウエハ搭載体としてのボート２１７と、ボート２１７を回転する回転機構１５６と、図示しないヒータ素線と断熱部材を有しウエハ２００を加熱するヒータ２０７等を備えている。
アウタチューブ２０５、マニホールド２０９およびシールキャップ２１９等により処理室２０１を構成している。
【００２７】
この処理炉２０２の構成において、処理ガスは、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１および第３のガス供給源１８２から供給され、ガス流量制御手段としてのＭＦＣ（マスフローコントローラー）１８３、ＭＦＣ１８４およびＭＦＣ１８５でその流量がそれぞれ制御された後、バルブ１７７、１７８、１７９をそれぞれ介して一本のガス供給管２３２より処理室２０１の上部から導入される。なお、ガス供給管２３２は、マニホールド２０９を貫通し、アウタチューブ２０５内を処理室２０１の上部まで延在して設けられている。ガス供給管２３２にはバルブ１７６が設けられている。
【００２８】
クリーニングガス供給管２３４もマニホールド２０９を貫通して設けられている。クリーニングガスは、第４のガス供給源１８０から供給され、ガス流量制御手段としてのＭＦＣ１８８でその流量が制御された後、バルブ１８６、２３５を介してクリーニングガス供給管２３４処理室２０１内に導入される。
【００２９】
マニホールド２０９には、ガス排気管２３１が連通して設けられている。ガス排気管２３１には排気バルブ１７５、排気システムとしての真空ポンプ２４６および除害装置２４８が下流側に向かってこの順序で設けられている。処理室２０１内の雰囲気はガス排気管２３１に接続された真空ポンプ２４６により、処理室２０１から排気される。
【００３０】
排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１には、不活性ガス供給システム２５１が連通して設けられている。不活性ガス供給システム２５１から加熱された不活性ガス２５２が排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給される。真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１には、不活性ガス供給システム２５３が連通して設けられている。不活性ガス供給システム２５３から加熱された不活性ガス２５４が真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給される。
【００３１】
なお、ヒータ２０７、回転機構１５６、ＭＦＣ１８３、１８４、１８５、１８７、バルブ１７５、１７６、１７７、１７８、１７９、２３５、２６３、昇降モータ１４８、ロードロックドア１２３、ゲートバルブ２４４、真空ポンプ２４６、除害装置２４８、不活性ガス供給システム２５１、２５３等は制御装置１６２によって制御され、ウエハ２００を搭載したボート２１７の処理室２０１とローロック室１０２との間の昇降、ゲートバルブ２４４やロードロックドア１２３の開閉、処理炉２０２内の温度制御、処理室２０１内への処理ガスやクリーニングガスの供給、メンテナンスポート２６１からの大気またはＮＨ３の供給および処理室２０１の排気、ロードロック室１０２への不活性ガスとしての窒素ガスの供給、ロードロック室１０２の排気、冷却水経路１５９への冷却水の供給および停止、加熱された不活性ガス２５２、２５４のガス排気管２３１への供給やこれらの不活性ガスの温度等が制御装置１６２によって制御される。
【００３２】
次に、本実施例の基板処理装置である減圧ＣＶＤ装置における半導体ウエハ２００の処理の一例として、半導体シリコンウエハにＳｉＨ２Ｃｌ２、ＨＣｌおよびＨ２を用いてエピタキシャルＳｉ膜を成膜する場合を説明する。
【００３３】
図示しない外部搬送装置から搬送されたカセット１００は、カセットステージ１０５に載置され、カセットステージ１０５でカセット１００の姿勢を９０°変換され、更に、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及び、カセット移載機１１４の進退動作の協働によりカセット棚１０９又は、バッファカセット棚１１０に搬送される。
【００３４】
ウエハ移載機１１２によりカセット棚１０９からボート２１７へウエハ２００が移載される。ボート２１７へウエハ２００を移載する準備として、ボート２１７がボートエレベータ１２１により降下され、ゲートバルブ２４４により処理室２０１が閉塞され、更にロードロック室１０２の内部にパージノズル２３４から窒素ガスのパージガスが導入される。ロードロック室１０２が大気圧に復圧された後、ロードロックドア１２３が開かれる。
【００３５】
水平スライド機構１２２はカセット棚１０９を水平移動させ、移載の対象となるカセット１００をウエハ移載機１１２に対峙する様に位置決めする。ウエハ移載機１１２は昇降動作、回転動作の協働によりウエハ２００をカセット１００よりボート２１７へと移載する。ウエハ２００の移載はいくつかのカセット１００に対して行われ、ボート２１７へ所定枚数ウエハの移載が完了した後、ロードロックドア１２３が閉じられ、ロードロック室１０２が排気管２３６を介して真空引きされる。
【００３６】
真空引き完了後にガスパージノズル２３４より窒素ガスが導入され、ロードロック室１０２内部が窒素ガスにより大気圧に復圧されるとゲートバルブ２４４が開かれ、昇降モータ１４８を駆動することによりボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理室２０１内に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞することによって処理室２０１を閉塞する。ボート２１７を処理室２０１内に挿入する際には、処理室２０１内の温度は２００℃に保たれている。ロードロック室１０２は、ウエハ２００の処理が終了して再びボート２１７がロードロック室１０２に下降してくるまでは窒素ガスによりほぼ大気圧に保たれている。
【００３７】
次に、排気バルブ１７５を開けて、処理室２０１内の雰囲気を排気し、処理室２０１の圧力を０．１Ｐａ程度に減圧する。そして、制御装置１６２によりヒータ２０７を制御し、処理室２０１内の温度、ひいてはウエハ２００の温度を７５０℃に維持する。その後、回転機構１５６が駆動してボート２１７を所定の回転数で回転する。
【００３８】
第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２には、処理ガスとして、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＨＣｌおよびＨ２がそれぞれ封入されており、それぞれの流量はＭＦＣ１８３、ＭＦＣ１８４、ＭＦＣ１８５によってそれぞれ制御される。ガス供給管を開閉するバルブ１７７，１７８，１７８を開き、バルブ１７６を開いて、処理ガスをガス供給管２３２を通じて、処理室２０１に供給し、一方では、ガス排気管２３６によって排気することによって処理室２０１内の圧力を１００Ｐａに保って、減圧ＣＶＤ法により、ウエハ２００にエピタキシャルＳｉ膜を成膜する。この際に、不活性ガス供給システム２５１から１００〜２００℃に加熱された不活性ガス２５２であるＮ２ガスを排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給し、不活性ガス供給システム２５３から１００〜２００℃に加熱された不活性ガス２５４であるＮ２ガスを真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給する。
【００３９】
処理室２０１内でウエハ２００に所定の成膜処理がなされた後、処理室２０１内をパージガスとしての窒素ガスで置換する。すなわち、成膜後、（１）処理室２０１内を０．１Ｐａ程度までガス排気管２３１を介して減圧し、その後窒素ガス（Ｎ２）をガス供給管２３２より処理室２０１内が３０Ｐａ程度になるまで流して処理室２０１内をパージし、その後、（２）窒素ガスを止めて、再度処理室２０１内を０．１Ｐａ程度までガス排気管２３１を介して減圧し、その後窒素ガスをガス供給管２３２より処理室２０１内が３０Ｐａ程度になるまで流して処理室２０１内をパージする。この（１）、（２）の操作をパージ３ｍｉｎ、減圧３ｍｉｎで４回繰り返す。その後ガス供給管２３２より窒素ガスを処理室２０１内に導入し、窒素ガスで処理室２０１内をほぼ大気圧まで戻す。なお、ロードロック室１０２は、上述のとおり、窒素ガスによりほぼ大気圧に保たれている。
【００４０】
この状態で、昇降モータ１４８を駆動することによりボートエレベータ１２１によりウウエハ２００を搭載したボート２１７が処理室２０１からロードロック室１０２内に下降し、ゲートバルブ２４４が閉じられる。
【００４１】
その後、排気管２３６を介してロードロック室１０２内を１０Ｔｏｒｒ以下まで真空引きし、その後、窒素ガスをパージノズル２３４より処理室２０１内に導入してロードロック室１０２内を大気圧まで窒素ガスで戻す。
【００４２】
その後、ロードロックドア１２３を開き、処理後のウエハ２００は上記した操作の逆の手順によりボート２１７からカセット棚１０９を経てカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
【００４３】
以上のようにして、エピタキシャルＳｉ膜の成膜を所定回数行う毎に、ウエハ２００を搭載しない状態でボート２１７をボートエレベータ１２１により処理室２０１内に挿入し、シールキャップ２１９により処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞することによって処理室２０１を閉塞する。
【００４４】
次に、排気バルブ１７５を開けて、処理室２０１内の雰囲気を排気し、処理室２０１内を減圧する。そして、制御装置１６２によりヒータ２０７を制御し、処理室２０１内の温度を４００℃に維持する。その後、回転機構１５６が駆動してボート２１７を所定の回転数で回転する。
【００４５】
第４のガス供給源１８７には、クリーニングガスとしてのＣｌＦ３が封入されており、その流量はＭＦＣ１８８によって制御される。バルブ１８６を開き、バルブ２３５を開いて、クリーニングガスとしてのＣｌＦ３をガス供給管２３４を通じて、処理室２０１に供給し、一方では、ガス排気管２３１によって排気することによって処理室２０１内の圧力を所定の圧力に保って、クリーニングを行う。
【００４６】
この際に、不活性ガス供給システム２５１から５０〜１５０℃に加熱された不活性ガス２５２であるＮ２ガスを排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給し、不活性ガス供給システム２５３から５０〜１５０℃に加熱された不活性ガス２５４であるＮ２ガスを真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給する。
【００４７】
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、Ｓｉ２Ｃｌ４等のＳｉ系原料ガスを用いて６００〜９００℃でＳｉ基板に成膜を行う半導体ＣＶＤ装置においては、原料ガスが熱分解されると同時に高分子化（重合）が起こり、ａ−Ｓｉ（ＳｉｘＨｙ）、塩化シランポリマー（ＳｉｘＣｌｙ，ＳｉｘＨｙＣｌｚ）等の副生成物が低温の排気配管２３１に堆積する。また、副生成物の種類によっては、メンテナンスの際に侵入した大気中の水分と反応して加水分解を起こし、高燃料性の加水分解物や爆発性の加水分解物を形成するため非常に危険である。さらに、加水分解の際にＨＣｌ等の有毒ガスが発生する。
【００４８】
本実施例においては、成膜時に、不活性ガス供給システム２５１から１００〜２００℃に加熱された不活性ガス２５２であるＮ２ガスを排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給し、不活性ガス供給システム２５３から１００〜２００℃に加熱された不活性ガス２５４であるＮ２ガスを真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給しているので、ガス排気管２３１を均一に加熱でき、副生成物の付着を削減させることができる。なお、排気配管加熱ヒータと併用すれば更に効果は増大する。
【００４９】
また、本実施例においては、ＣｌＦ３セルフクリーニングの際に、不活性ガス供給システム２５１から５０〜１５０℃に加熱された不活性ガス２５２であるＮ２ガスを排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給し、不活性ガス供給システム２５３から５０〜１５０℃に加熱された不活性ガス２５４であるＮ２ガスを真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給しているので、ガス排気管２３１を均一に加熱でき、副生成物の除去効果を増大させることができる。
【００５０】
なお、ＣｌＦ３セルフクリーニングは通常処理室２０１の温度を４００℃程度としてクリーニングを導入するが、ガス排気管２３１の下流に向かうに従いガス温度が低下する。従って、本実施例のように、ガスの温度低下に合わせ適所に加熱した不活性ガスを導入することにより、副生成物の除去効果を増大させることができるようになる。
【００５１】
また、成膜時には、１００〜２００℃の不活性ガスをガス排気管２３１に供給し、ＣｌＦ３セルフクリーニングの際には不活性ガスの温度を下げて、５０〜１５０℃の不活性ガスをガス排気管２３１に供給しているが、不活性ガスの温度の切換は、成膜処理の終わったウエハ２００を搭載したボート２１７を処理室２０１からロードロック室１０２に取り出し、ロードロック室１０２に取り出されたボート２１７からウエハ２００を取り出し、その後、ウエハ２００を搭載しないボート２１７を処理室２０１に挿入し、処理室２０１内の雰囲気を排気し、クリーニングガスを処理室２０１に導入する間に行う。
【００５２】
以上説明したように、本実施例によれば、排気配管内に付着する副生成物の量を削減させるとともに、付着した副生成物の除去効率を向上させることにより、メンテナンス周期を延ばすことができる。また、副生成物の堆積を最小限に抑えることにより、副生成物の爆発や副生成物から発生する有毒ガスによる危険を軽減させ安全性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置を説明するための概略斜視図である。
【図２】本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置を説明するための概略構造縦断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置の処理炉を説明するための概略構造縦断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００…カセット
１０１…筐体
１０２…ロードロック室
１０９…カセット棚
１１２…ウエハ移載機
１１８…クリーンユニット
１１９…ベローズ
１２１…ボートエレベータ
１２３…ロードロックドア
１２４…搬送制御手段
１４８…昇降モータ
１４９…昇降台
１５６…回転機構
１６１…炉口
１６２…制御装置
１７５…排気バルブ
１７６、１７７、１７８、１７９、１８６…バルブ
１８３、１８４、１８５、１８８…ＭＦＣ
１８０…第１のガス供給源
１８１…第２のガス供給源
１８２…第３のガス供給源
１８７…第４のガス供給源
２００…ウエハ
２０１…処理室
２０２…処理炉
２０５…アウターチューブ
２０７…ヒータ
２０９…マニホールド
２１７…ボート
２１９…シールキャップ
２３１…ガス排気管
２３２…ガス供給管
２４６…排気システム
２４８…除害装置
２５１、２５３…不活性ガス供給システム
２５２、２５４…加熱された不活性ガス
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、Ｓｉ系原料ガスを用いてＳｉ基板に成膜を行う半導体ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、Ｓｉ２Ｃｌ４等のＳｉ系原料ガスを用いてＳｉ基板に成膜を行う半導体ＣＶＤ装置において、原料ガスが熱分解されると同時に高分子化（重合）が起こり、ａ−Ｓｉ（ＳｉｘＨｙ）、塩化シランポリマー（ＳｉｘＣｌｙ，ＳｉｘＨｙＣｌｚ）等の副生成物が低温の排気配管に堆積する。また、副生成物の種類によっては、メンテナンスの際に侵入した大気中の水分と反応して加水分解を起こし、高燃料性の加水分解物や爆発性の加水分解物を形成するため非常に危険である。さらに、加水分解の際にＨＣｌ等の有毒ガスが発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この排気配管に堆積した副生成物をＣｌＦ３ガスを使用したセルフクリーニングによって除去するが、従来は、排気配管を加熱することなく行っていた。そのために、セルフクリーニングの際、排気配管ではクリーニングガス自体の温度が低下するため、クリーニング効果が減少してしまい副生成物を効率よく除去できないという問題があった。
【０００４】
クリーニング効果を高めるために、排気配管をヒータで加熱することも考えられるが、ヒータによる加熱では、全体を均一に加熱することは難しく、温度が高い箇所ではクリーニング時に排気配管の腐食が生じやすくなる一方で、温度が低い箇所では充分はクリーニングを行えず、副生成物が完全に除去できないという問題が生じてしまうことが判明した。
【０００５】
従って、本発明の主な目的は、排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室に所望の基板処理用の処理ガスとクリーニングガスを供給する供給手段と、
前記処理室に連通された排気通路と、
前記基板を加熱する加熱手段と、を有する基板処理装置であって、
少なくとも前記排気通路の内部に生成された副生成物を除去するため、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給し前記排気通路を介して排出する際、前記排気通路の途中から高温の不活性ガスを導入することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【０００７】
このように、排気通路の途中から高温の不活性ガスを導入することにより、排気配管を均一に加熱することが可能となり、その結果、排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できるようになる。
【０００８】
好ましくは、成膜処理中にも排気通路の途中から高温の不活性ガスを導入する。このようにすれば、成膜中にも排気配管を均一に加熱することが可能となり、その結果、排気配管内に副生成物が付着するのを抑制することができると共に、排気配管内に副生成物が局所的に付着してしまうのを防止できるようになる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できる基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の好ましい実施例においては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、Ｓｉ２Ｃｌ４等のＳｉ系原料ガスを用いてＳｉ基板に成膜を行う半導体ＣＶＤ装置において、成膜処理中に排気配管内壁に付着する副生成物の量を削減させるために、当該装置の排気配管に、ＣＶＤ装置の処理炉とは別の手段で加熱されたＮ２、Ａｒ等の不活性ガスを導入する機構を有している。
【００１１】
また、ＣｌＦ３ガスによるセルフクリーニング時に、ＣｌＦ３ガスを活性化させクリーニング効果を増大させ、効率よく副生成物を除去するために、同様に加熱された不活性ガスを排気配管に導入する機構を有している。
【００１２】
次に、本発明の好ましい実施例を図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置を説明するための概略斜視図であり、図２は、本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置を説明するための概略構造縦断面図であり、図３は、本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置の処理炉を説明するための概略構造縦断面図である。
【００１４】
図１に示すように、筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取りつけられている。カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられ、カセット棚１０９はスライドステージ１２２上に横行可能に設けられている。又、カセット棚の上方にはカセット１００の載置手段としてのバッファカセット棚１１０が設けられている。更に、バッファカセット棚１１０の後側にはクリーンユニット１１８が設けられ、クリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００１５】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。この処理炉２０２内には、ウエハ２００に所定の処理を行う処理室２０１が形成されている。処理炉２０２の下側には、気密室としてのロードロック室１０２が仕切弁としてのゲートバルブ２４４により連接され、ロードロック室１０２の前面にはカセット棚１０９と対向する位置に仕切手段としてのロードロックドア１２３が設けられている。ロードロック室１０２内には、基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を、処理室２０１とロードロック室１０２との間で昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が内設され、ボートエレベータ１２１には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられボート２１７を垂直に支持している。ロードロック室１０２とカセット棚１０９との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、移載エレベータには搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。
【００１６】
カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【００１７】
次に、本実施例の基板処理装置である減圧ＣＶＤ装置の処理炉周辺の構成を図２を参照して説明する。
【００１８】
気密室としてのロードロック室１０２の外面に下基板１４５が設けられ、下基板１４５に立設したガイドシャフト１４６の上端に上基板１４７が設けられ、下基板１４５と上基板１４７間に掛渡してボール螺子１４４が回転自在に設けられる。ボール螺子１４４は上基板１４７に設けられた昇降モータ１４８により回転される。ガイドシャフト１４６には昇降台１４９が昇降自在に嵌合し、昇降台１４９はボール螺子１４４に螺合している。
【００１９】
昇降台１４９には中空の昇降シャフト１５０が垂設され、昇降台１４９と昇降シャフト１５０の支持部は気密となっている。昇降シャフト１５０はロードロック室１０２の天板１５１を遊貫し、ロードロック室１０２の底面近くに到達する。天板１５１の貫通部は昇降シャフト１５０の昇降動に対して接触することがない様充分な余裕があり、又ロードロック室１０２と昇降台１４９間には昇降シャフト１５０の突出部を覆う伸縮性を有する壁（例えばベローズ１１９）が気密に設けられ、ベローズ１１９は昇降台１４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ１１９の内径は昇降シャフト１５０の外形に比べ充分に大きくベローズ１１９の伸縮で接触することがない様になっている。
【００２０】
昇降シャフト１５０の下端には昇降基板１５２が水平に固着される。昇降基板１５２の下面には駆動部カバー１５３が取付けられ、駆動部収納ケース１５４が構成されている。昇降基板１５２と駆動部カバー１５３との接合部にはＯリング等のシール部材により密閉される。従って、駆動部収納ケース１５４内部はロードロック室１０２内の雰囲気と隔離される。
【００２１】
また、昇降基板１５２の下面にはボート２１７の回転機構１５６が設けられ、回転機構１５２の周辺は、冷却手段１５７により、冷却される。
【００２２】
電力供給ケーブル１５８が昇降シャフト１５０の上端から昇降シャフト１５０の中空部を通って回転機構１５６に導かれて接続されている。また、冷却手段１５７およびシールキャップ２１９には冷却水経路１５９が形成されており、冷却水経路１５９には冷却水を供給する冷却水配管１６０が接続され、冷却水配管１６０は昇降シャフト１５０の上端から昇降シャフト１５０の中空部を通っている。
【００２３】
昇降基板１５２の上面には、シールキャップ２１９が気密に設けられる。昇降モータ１４８を駆動し、ボール螺子１４４を回転することで昇降台１４９、昇降シャフト１５０を介して駆動部収納ケース１５４を上昇させる。
【００２４】
昇降台１４９の上死点近傍でシールキャップ２１９が処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞し、ウエハ処理が可能な状態とする。ウエハ処理が完了すると、昇降モータ１４８が駆動されて、ボート２１７が降下され、ウエハを外部に搬出できる状態となる。
【００２５】
次に、本実施例の基板処理装置である減圧ＣＶＤ装置の処理炉の詳細を図３を参照して説明する。
【００２６】
図３に示すように、処理炉２０２は、アウタチューブ２０５よりなる反応管と、ガス排気管２３１と、ガス供給管２３２と、ガス供給管２３４と、マニホールド２０９と、マニホールド２０９の下端部（炉口１６１）を蓋し処理室２０１を密閉するシールキャップ２１９と、シールキャップ２１９上に設けられウエハ２００を垂直方向に多段に搭載するウエハ搭載体としてのボート２１７と、ボート２１７を回転する回転機構１５６と、図示しないヒータ素線と断熱部材を有しウエハ２００を加熱するヒータ２０７等を備えている。
アウタチューブ２０５、マニホールド２０９およびシールキャップ２１９等により処理室２０１を構成している。
【００２７】
この処理炉２０２の構成において、処理ガスは、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１および第３のガス供給源１８２から供給され、ガス流量制御手段としてのＭＦＣ（マスフローコントローラー）１８３、ＭＦＣ１８４およびＭＦＣ１８５でその流量がそれぞれ制御された後、バルブ１７７、１７８、１７９をそれぞれ介して一本のガス供給管２３２より処理室２０１の上部から導入される。なお、ガス供給管２３２は、マニホールド２０９を貫通し、アウタチューブ２０５内を処理室２０１の上部まで延在して設けられている。ガス供給管２３２にはバルブ１７６が設けられている。
【００２８】
クリーニングガス供給管２３４もマニホールド２０９を貫通して設けられている。クリーニングガスは、第４のガス供給源１８０から供給され、ガス流量制御手段としてのＭＦＣ１８８でその流量が制御された後、バルブ１８６、２３５を介してクリーニングガス供給管２３４処理室２０１内に導入される。
【００２９】
マニホールド２０９には、ガス排気管２３１が連通して設けられている。ガス排気管２３１には排気バルブ１７５、排気システムとしての真空ポンプ２４６および除害装置２４８が下流側に向かってこの順序で設けられている。処理室２０１内の雰囲気はガス排気管２３１に接続された真空ポンプ２４６により、処理室２０１から排気される。
【００３０】
排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１には、不活性ガス供給システム２５１が連通して設けられている。不活性ガス供給システム２５１から加熱された不活性ガス２５２が排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給される。真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１には、不活性ガス供給システム２５３が連通して設けられている。不活性ガス供給システム２５３から加熱された不活性ガス２５４が真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給される。
【００３１】
なお、ヒータ２０７、回転機構１５６、ＭＦＣ１８３、１８４、１８５、１８７、バルブ１７５、１７６、１７７、１７８、１７９、２３５、２６３、昇降モータ１４８、ロードロックドア１２３、ゲートバルブ２４４、真空ポンプ２４６、除害装置２４８、不活性ガス供給システム２５１、２５３等は制御装置１６２によって制御され、ウエハ２００を搭載したボート２１７の処理室２０１とローロック室１０２との間の昇降、ゲートバルブ２４４やロードロックドア１２３の開閉、処理炉２０２内の温度制御、処理室２０１内への処理ガスやクリーニングガスの供給、メンテナンスポート２６１からの大気またはＮＨ３の供給および処理室２０１の排気、ロードロック室１０２への不活性ガスとしての窒素ガスの供給、ロードロック室１０２の排気、冷却水経路１５９への冷却水の供給および停止、加熱された不活性ガス２５２、２５４のガス排気管２３１への供給やこれらの不活性ガスの温度等が制御装置１６２によって制御される。
【００３２】
次に、本実施例の基板処理装置である減圧ＣＶＤ装置における半導体ウエハ２００の処理の一例として、半導体シリコンウエハにＳｉＨ２Ｃｌ２、ＨＣｌおよびＨ２を用いてエピタキシャルＳｉ膜を成膜する場合を説明する。
【００３３】
図示しない外部搬送装置から搬送されたカセット１００は、カセットステージ１０５に載置され、カセットステージ１０５でカセット１００の姿勢を９０°変換され、更に、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及び、カセット移載機１１４の進退動作の協働によりカセット棚１０９又は、バッファカセット棚１１０に搬送される。
【００３４】
ウエハ移載機１１２によりカセット棚１０９からボート２１７へウエハ２００が移載される。ボート２１７へウエハ２００を移載する準備として、ボート２１７がボートエレベータ１２１により降下され、ゲートバルブ２４４により処理室２０１が閉塞され、更にロードロック室１０２の内部にパージノズル２３４から窒素ガスのパージガスが導入される。ロードロック室１０２が大気圧に復圧された後、ロードロックドア１２３が開かれる。
【００３５】
水平スライド機構１２２はカセット棚１０９を水平移動させ、移載の対象となるカセット１００をウエハ移載機１１２に対峙する様に位置決めする。ウエハ移載機１１２は昇降動作、回転動作の協働によりウエハ２００をカセット１００よりボート２１７へと移載する。ウエハ２００の移載はいくつかのカセット１００に対して行われ、ボート２１７へ所定枚数ウエハの移載が完了した後、ロードロックドア１２３が閉じられ、ロードロック室１０２が排気管２３６を介して真空引きされる。
【００３６】
真空引き完了後にガスパージノズル２３４より窒素ガスが導入され、ロードロック室１０２内部が窒素ガスにより大気圧に復圧されるとゲートバルブ２４４が開かれ、昇降モータ１４８を駆動することによりボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理室２０１内に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞することによって処理室２０１を閉塞する。ボート２１７を処理室２０１内に挿入する際には、処理室２０１内の温度は２００℃に保たれている。ロードロック室１０２は、ウエハ２００の処理が終了して再びボート２１７がロードロック室１０２に下降してくるまでは窒素ガスによりほぼ大気圧に保たれている。
【００３７】
次に、排気バルブ１７５を開けて、処理室２０１内の雰囲気を排気し、処理室２０１の圧力を０．１Ｐａ程度に減圧する。そして、制御装置１６２によりヒータ２０７を制御し、処理室２０１内の温度、ひいてはウエハ２００の温度を７５０℃に維持する。その後、回転機構１５６が駆動してボート２１７を所定の回転数で回転する。
【００３８】
第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２には、処理ガスとして、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＨＣｌおよびＨ２がそれぞれ封入されており、それぞれの流量はＭＦＣ１８３、ＭＦＣ１８４、ＭＦＣ１８５によってそれぞれ制御される。ガス供給管を開閉するバルブ１７７，１７８，１７８を開き、バルブ１７６を開いて、処理ガスをガス供給管２３２を通じて、処理室２０１に供給し、一方では、ガス排気管２３６によって排気することによって処理室２０１内の圧力を１００Ｐａに保って、減圧ＣＶＤ法により、ウエハ２００にエピタキシャルＳｉ膜を成膜する。この際に、不活性ガス供給システム２５１から１００〜２００℃に加熱された不活性ガス２５２であるＮ２ガスを排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給し、不活性ガス供給システム２５３から１００〜２００℃に加熱された不活性ガス２５４であるＮ２ガスを真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給する。
【００３９】
処理室２０１内でウエハ２００に所定の成膜処理がなされた後、処理室２０１内をパージガスとしての窒素ガスで置換する。すなわち、成膜後、（１）処理室２０１内を０．１Ｐａ程度までガス排気管２３１を介して減圧し、その後窒素ガス（Ｎ２）をガス供給管２３２より処理室２０１内が３０Ｐａ程度になるまで流して処理室２０１内をパージし、その後、（２）窒素ガスを止めて、再度処理室２０１内を０．１Ｐａ程度までガス排気管２３１を介して減圧し、その後窒素ガスをガス供給管２３２より処理室２０１内が３０Ｐａ程度になるまで流して処理室２０１内をパージする。この（１）、（２）の操作をパージ３ｍｉｎ、減圧３ｍｉｎで４回繰り返す。その後ガス供給管２３２より窒素ガスを処理室２０１内に導入し、窒素ガスで処理室２０１内をほぼ大気圧まで戻す。なお、ロードロック室１０２は、上述のとおり、窒素ガスによりほぼ大気圧に保たれている。
【００４０】
この状態で、昇降モータ１４８を駆動することによりボートエレベータ１２１によりウウエハ２００を搭載したボート２１７が処理室２０１からロードロック室１０２内に下降し、ゲートバルブ２４４が閉じられる。
【００４１】
その後、排気管２３６を介してロードロック室１０２内を１０Ｔｏｒｒ以下まで真空引きし、その後、窒素ガスをパージノズル２３４より処理室２０１内に導入してロードロック室１０２内を大気圧まで窒素ガスで戻す。
【００４２】
その後、ロードロックドア１２３を開き、処理後のウエハ２００は上記した操作の逆の手順によりボート２１７からカセット棚１０９を経てカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
【００４３】
以上のようにして、エピタキシャルＳｉ膜の成膜を所定回数行う毎に、ウエハ２００を搭載しない状態でボート２１７をボートエレベータ１２１により処理室２０１内に挿入し、シールキャップ２１９により処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞することによって処理室２０１を閉塞する。
【００４４】
次に、排気バルブ１７５を開けて、処理室２０１内の雰囲気を排気し、処理室２０１内を減圧する。そして、制御装置１６２によりヒータ２０７を制御し、処理室２０１内の温度を４００℃に維持する。その後、回転機構１５６が駆動してボート２１７を所定の回転数で回転する。
【００４５】
第４のガス供給源１８７には、クリーニングガスとしてのＣｌＦ３が封入されており、その流量はＭＦＣ１８８によって制御される。バルブ１８６を開き、バルブ２３５を開いて、クリーニングガスとしてのＣｌＦ３をガス供給管２３４を通じて、処理室２０１に供給し、一方では、ガス排気管２３１によって排気することによって処理室２０１内の圧力を所定の圧力に保って、クリーニングを行う。
【００４６】
この際に、不活性ガス供給システム２５１から５０〜１５０℃に加熱された不活性ガス２５２であるＮ２ガスを排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給し、不活性ガス供給システム２５３から５０〜１５０℃に加熱された不活性ガス２５４であるＮ２ガスを真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給する。
【００４７】
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、Ｓｉ２Ｃｌ４等のＳｉ系原料ガスを用いて６００〜９００℃でＳｉ基板に成膜を行う半導体ＣＶＤ装置においては、原料ガスが熱分解されると同時に高分子化（重合）が起こり、ａ−Ｓｉ（ＳｉｘＨｙ）、塩化シランポリマー（ＳｉｘＣｌｙ，ＳｉｘＨｙＣｌｚ）等の副生成物が低温の排気配管２３１に堆積する。また、副生成物の種類によっては、メンテナンスの際に侵入した大気中の水分と反応して加水分解を起こし、高燃料性の加水分解物や爆発性の加水分解物を形成するため非常に危険である。さらに、加水分解の際にＨＣｌ等の有毒ガスが発生する。
【００４８】
本実施例においては、成膜時に、不活性ガス供給システム２５１から１００〜２００℃に加熱された不活性ガス２５２であるＮ２ガスを排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給し、不活性ガス供給システム２５３から１００〜２００℃に加熱された不活性ガス２５４であるＮ２ガスを真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給しているので、ガス排気管２３１を均一に加熱でき、副生成物の付着を削減させることができる。なお、排気配管加熱ヒータと併用すれば更に効果は増大する。
【００４９】
また、本実施例においては、ＣｌＦ３セルフクリーニングの際に、不活性ガス供給システム２５１から５０〜１５０℃に加熱された不活性ガス２５２であるＮ２ガスを排気バルブ１７５と真空ポンプ２４６との間のガス排気管２３１に供給し、不活性ガス供給システム２５３から５０〜１５０℃に加熱された不活性ガス２５４であるＮ２ガスを真空ポンプ２４６と除害装置との間のガス排気管２３１に供給しているので、ガス排気管２３１を均一に加熱でき、副生成物の除去効果を増大させることができる。
【００５０】
なお、ＣｌＦ３セルフクリーニングは通常処理室２０１の温度を４００℃程度としてクリーニングを導入するが、ガス排気管２３１の下流に向かうに従いガス温度が低下する。従って、本実施例のように、ガスの温度低下に合わせ適所に加熱した不活性ガスを導入することにより、副生成物の除去効果を増大させることができるようになる。
【００５１】
また、成膜時には、１００〜２００℃の不活性ガスをガス排気管２３１に供給し、ＣｌＦ３セルフクリーニングの際には不活性ガスの温度を下げて、５０〜１５０℃の不活性ガスをガス排気管２３１に供給しているが、不活性ガスの温度の切換は、成膜処理の終わったウエハ２００を搭載したボート２１７を処理室２０１からロードロック室１０２に取り出し、ロードロック室１０２に取り出されたボート２１７からウエハ２００を取り出し、その後、ウエハ２００を搭載しないボート２１７を処理室２０１に挿入し、処理室２０１内の雰囲気を排気し、クリーニングガスを処理室２０１に導入する間に行う。
【００５２】
以上説明したように、本実施例によれば、排気配管内に付着する副生成物の量を削減させるとともに、付着した副生成物の除去効率を向上させることにより、メンテナンス周期を延ばすことができる。また、副生成物の堆積を最小限に抑えることにより、副生成物の爆発や副生成物から発生する有毒ガスによる危険を軽減させ安全性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置を説明するための概略斜視図である。
【図２】本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置を説明するための概略構造縦断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例における減圧ＣＶＤ装置の処理炉を説明するための概略構造縦断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００…カセット
１０１…筐体
１０２…ロードロック室
１０９…カセット棚
１１２…ウエハ移載機
１１８…クリーンユニット
１１９…ベローズ
１２１…ボートエレベータ
１２３…ロードロックドア
１２４…搬送制御手段
１４８…昇降モータ
１４９…昇降台
１５６…回転機構
１６１…炉口
１６２…制御装置
１７５…排気バルブ
１７６、１７７、１７８、１７９、１８６…バルブ
１８３、１８４、１８５、１８８…ＭＦＣ
１８０…第１のガス供給源
１８１…第２のガス供給源
１８２…第３のガス供給源
１８７…第４のガス供給源
２００…ウエハ
２０１…処理室
２０２…処理炉
２０５…アウターチューブ
２０７…ヒータ
２０９…マニホールド
２１７…ボート
２１９…シールキャップ
２３１…ガス排気管
２３２…ガス供給管
２４６…排気システム
２４８…除害装置
２５１、２５３…不活性ガス供給システム
２５２、２５４…加熱された不活性ガス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に所望の基板処理用の処理ガスとクリーニングガスを供給する供給手段と、
前記処理室に連通された排気通路と、
前記基板を加熱する加熱手段と、を有する基板処理装置であって、
少なくとも前記排気通路の内部に生成された副生成物を除去するため、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給し前記排気通路を介して排出する際、前記排気通路の途中から高温の不活性ガスを導入することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に所望の基板処理用の処理ガスとクリーニングガスを供給する供給手段と、
前記処理室に連通された排気通路と、
前記基板を加熱する加熱手段と、を有する基板処理装置であって、
少なくとも前記排気通路の内部に生成された副生成物を除去するため、前記クリーニングガスを前記処理室内に供給し前記排気通路を介して排出する際、前記排気通路の途中から高温の不活性ガスを導入することを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−５９９３８（Ｐ２００６−５９９３８Ａ）
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２３８９６４（Ｐ２００４−２３８９６４）
【出願日】平成１６年８月１９日（２００４．８．１９）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年８月１９日（２００４．８．１９）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
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