【課題】処理容器周辺部の温度上昇を抑制できるＭＭＴ装置を提供する。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、上側容器１３の外側表面に熱遮蔽部４２を形成する。ヒータおよびウエハから照射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線を熱遮蔽部によって遮蔽することにより、筒状電極や筒状磁石の温度上昇を抑制できる。
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【課題】周波数の低いマイクロ波を利用した場合でも、アンテナ部材に複数のスロット列を設けることができるようにする。
【解決手段】処理容器１０内に基板Ｗが収納され、処理容器１０内に導入されるマイクロ波により処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗが処理されるプラズマ処理装置１であって、処理容器１０内にマイクロ波を導入するアンテナ部材２３に、同心円状に配置されるスロット列２４，２５が複数列設けられ、アンテナ部材２３の上部に形成されるマイクロ波の導波箱３１の内部に、導波箱内誘電体３２が配置され、アンテナ部材２３の下部に、処理容器１０の天井を覆って配置された天井部誘電体２０と、天井部誘電体２０とアンテナ部材２３の下面との間に配置されたアンテナ下部誘電体３５が設けられ、導波箱内誘電体３２の誘電率およびアンテナ下部誘電体３５の誘電率が、天井部誘電体２０の誘電率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】成膜装置に用いる成膜装置部品表面に堆積膜が付着し、それらが剥離することによって装置内の発塵となり、成膜処理する製品の汚染原因となっていた。またその様な汚染を防止するため、装置に用いる部品に堆積膜が僅かに付着する度に頻繁に交換することが必要となり、生産性の低下をもたらしていた。
【解決手段】表面を粗面化した石英ガラス基材又は石英ガラス基材表面に深さ５０μｍ以上のクラックがない石英ガラス基材上に、シリコン溶射膜を形成させた成膜装置部品は、成膜中に堆積膜が厚く堆積しても、石英ガラス基材と堆積膜との熱膨張差、あるいは堆積膜に内在する応力を緩和し、堆積膜の保持性が高く、堆積膜の剥離によるパーティクルを減らし、装置の連続使用期間を特に長くする事ができる。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置を構成する部材からチャンバー内に金属が放出され、該放出された金属によりウェーハが汚染されることを防止して気相成長を行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、チャンバー１７と、前記チャンバー内に連通し、ガスを導入するガス導入管１３と、前記チャンバー内に連通し、ガスを排出するガス排出管１６と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハＷを載置するサセプタ１２とを具備する気相成長装置１０であって、該気相成長装置を構成する部材のうち、該部材の少なくとも一部が金属を含む材料からなり、該金属を含む材料からなる部位が、前記チャンバー並びに該チャンバーに連通する前記ガス導入管及び前記ガス排出管の内部に導通されるガスに対して露出されたものである金属露出部材において、前記金属露出部材の露出されている部位の少なくとも一部が保護膜で覆われている気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】腐食性／浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性／耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。
【解決手段】腐食性プラズマはハロゲン含有プラズマであってよい。特殊なセラミック材料は修正されて、制御された電気抵抗率を与えて、プラズマアーク放電の可能性を低減する。 （もっと読む）

【課題】生成物付着用部材から生成物の剥離を抑制することにより部品交換作業の頻度を低減し、生産性を向上することができる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】ガス供給口４１およびガス排出口４２を有する成長室１０と、表面に所望の膜を成長させるための基板Ｓを設置する成長室１０内に設けられた基板設置部１３と、基板設置部１３に設置した基板Ｓを加熱する成長室１０内に設けられたヒータ１２と、成長室１０内にガス供給口４１から原料ガスを供給するガス供給部と、成長室１０内のガスをガス排出口４２から外部に排出するガス排出部と、基板設置部１３に設置した基板Ｓと対向するように成長室１０内に着脱可能に設置される生成物付着用プレート５０とを備え、プレート５０は、基板Ｓの表面と対向する対向面５１に、基板成膜時に対向面５１に付着した生成物の剥離を抑制するための複数の溝状またはドット状凹部を有することを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】 セラミックゾルを基材表面にコーティングした後、２００℃〜３５０℃の低温熱処理を実施する場合、ゾルが微粒子であってもセラミック耐食膜を充分に緻密化しにくく、ゾル粒子間に腐食性ガスが浸入しやすい。
【解決手段】 基材１の表面に、コーティング後に焼成したセラミックスからなる耐食膜２が形成されている耐食性部材Ｓにおいて、耐食膜２の主面を走査型電子顕微鏡観察によって組織表面を拡大した写真または画像において、結晶粒子の面積占有率を７０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する領域内にある部材の表面から拡散する金属原子による基板の汚染を生じにくくすることができる熱処理装置、熱処理用部材、及び熱処理用部材の製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、基板５４を熱処理する領域内に炭化珪素製の支持具３０を有し、支持具３０は、炭化珪素からなる基材３０ａ上にＳｉＣ層３０ｂが形成され、ＳｉＣ層３０ｂ上にＳｉ膜３０ｃが形成され、Ｓｉ膜３０ｃが酸化によりシリコン酸化膜３０ｄに変化されてなるか、Ｓｉ膜３０ｃが酸化によりシリコン酸化膜３０ｄに変化された後にシリコン酸化膜３０ｄが除去されることでＳｉＣ層３０ｂが露出されてなるか、あるいは、Ｓｉ膜３０ｃが除去されることでＳｉＣ層３０ｂが露出されてなる。 （もっと読む）

半導体処理装置に特殊セラミック材料を適用する方法であり、この特殊セラミック材料はハロゲン含有プラズマに耐性である。特殊セラミック材料は、少なくとも１種の酸化イットリウム含有固溶体を含有する。特殊セラミック材料の一部の実施形態は、半導体処理チャンバ内でのアーク放電の可能性を低下させる抵抗率を付与するように改質されている。
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本発明の一実施形態にしたがった化学気相堆積プロセス用のプロセスキットカバーが開示されている。該プロセスキットカバーは、該プロセスキットカバーの最上部表面からの突出部を含んでもよい。該突出部はウェーハ対向表面に隣接する。該突出部は、堆積プロセスの反復中、該プロセスキットカバーおよび該ウェーハ対向表面上の酸化物蓄積を減少させる。該プロセスキットカバーはまた、本発明の別の実施形態にしたがって、セラミックカラーやペデスタルなどの下部支持構造とのインタフェースにおいて最小限熱接触していてもよい。最小限の熱接触は、該プロセスキットカバーと該下部支持構造の間に絶縁体を配置することによって、あるいは該プロセスキットカバーと該下部支持構造の間に１つまたは複数のギャップを作成することによって達成されてもよい。大気が、該１つまたは複数のギャップ内に熱絶縁を提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】真空処理容器内におけるパーティクルの落下を低減し、半導体基板の製品歩留まりの低下を低減するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空処理容器内に配置され、マイクロ波を吸収し発熱、昇温するマイクロ波吸収発熱体を有するプラズマ処理装置であって、マイクロ波を使用する真空処理容器内での昇華物再付着防止のため、真空処理容器内部にマイクロ波吸収発熱体を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の処理工程でプラズマを励起せず、マイクロ波吸収発熱体を加熱し、第２の処理工程で被処理基板を挿入し、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の破損を防止することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】真空容器に処理ガスを供給しつつ排気して基板を処理する半導体製造装置において、前記基板を保持する基板保持手段が前記真空容器内に配置されており、前記基板保持手段内部には高周波電極を設置する空間が設けられ、前記高周波電極は前記空間を形成する壁と間隙を介して配置されており、前記空間は大気に連通されていることを特徴とする半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】耐スティッキング性に優れ、ＣＶＤ装置の下部電極等として好適かつ安定した形状を備え、プラズマ処理時の異常放電を抑制することが可能なプラズマ処理装置用部材を提供する。
【解決手段】機械加工で表面を平滑に仕上げたアルミニウム合金からなる基材２と、この基材２の表面に成膜された陽極酸化皮膜に水和処理を施して微細クラックを形成させた陽極酸化皮膜３と、からなるプラズマ処理装置用部材１であって、陽極酸化皮膜３は、印加電圧１００Ｖ時のリーク電流密度が０．９×１０^−５Ａ／ｃｍ^２を超え、膜厚が３μｍ以上、表面の算術平均粗さが１μｍ未満、リン酸−クロム酸浸漬試験における溶解速度が１００ｍｇ／ｄｍ^２／１５ｍｉｎ未満であって、この陽極酸化皮膜３を形成された表面の平面度は５０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材表面に高純度で高い耐食性を得ることが可能なＳｉＣ膜を形成した耐食性部材を提供する。
【解決手段】耐食性部材において、カーボン基材の表面に、３Ｃと、６Ｈまたは４Ｈの結晶構造を含むＳｉＣ膜を備え、ＳｉＣ膜において、ＳｉＣ膜の最表面における６Ｈまたは４Ｈの割合が、カーボン基材側の面における６Ｈまたは４Ｈの割合より大きい。 （もっと読む）

【課題】効率的なクリーニングの可能な処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１と、被処理体を載置するサセプタ１７と、チャンバ１１と排気手段を接続する排気ラインＬ３と、所定のプロセスガスをチャンバ１１内に供給するプロセスガスラインＬ１と、プロセスガスラインＬ１に接続されてプロセスガスラインＬ１から導入されるプロセスガスを拡散させる拡散路２９ａと、拡散路２９ａに接続されて拡散路２９ａにより拡散されたプロセスガスをチャンバ１１内に供給する複数のガス孔２８ａと、を有するシャワーヘッドと、チャンバ１１の内部をクリーニングするためのクリーニングガスをチャンバ１１内に供給するクリーニングガスラインＬ２と、チャンバ１１内からクリーニングガスを排気するために、一端が拡散路２９ａに接続され、他端が排気ラインＬ３に接続されたクリーニングガス排気ラインＬ４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積において均一な高密度プラズマを励起し、原料ガス供給の均一化および反応副生成物ガスの高速除去ができるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】４４０６は真空容器、４４０７は電極Ｉ、４４０８は基体、４４１０はシャワープレート、４４１１は電極ＩＩ、４４１２はガス導入口、４４１３は磁場の印加ロ手段、４４１４は真空ポンプ。磁場の印加手段４４１３として、複数の永久磁石を環状に並べたダイポールリングマグネットが用いられている。ガス導入口４４１２から導入されたガスは、シャワープレート４４１０の多数の小孔からプロセス空間に放出される。この導入ガス、及び基体表面から放出された反応生成ガスは、基体側部の磁場の印加手段４４１３ａ及び４４１３ｂに挟まれた空間を通り、複数の真空ポンプ４４１４から外部へ排気される。真空ポンプ４４１４の上部には、ガスのコンダクタンスを低下させないよう比較的広い空間が設けてある。 （もっと読む）

【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。
【解決手段】セラミック物品は、典型的に、少なくとも２つの相又は３つの相を有する多相のセラミックを含む。第１の実施形態において、セラミックは、モル濃度が約５０モル％〜約７５モル％の酸化イットリウム、モル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化ジルコニウム、及びモル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの他の成分から形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバへの流れを提供する方法と装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、内容積部を有するチャンバ本体と、内容積部に配置された基板支持部と、非対称分布のガス注入ポートを有するガス分配アセンブリとを含む真空処理チャンバを提供する。他の実施形態において、基板を処理チャンバ内の基板支持部上に配置し、処理チャンバ内の基板上に配置されたガス分配板上に規定した空間に処理ガスを横方向に流し、処理ガスを存在させて基板を処理することを含む基板を真空処理する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】希土類窒化物は、イットリア以上の耐蝕性を持つ半導体製造装置用部材を作製できると期待されるが、希土類窒化物単体では酸化しやすい性質であり、例えば大気中では希土類酸化物に変化してしまう問題があった。
【解決手段】希土類窒化物からなるプラズマ耐蝕性材料であって、金属元素としてＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの中から少なくとも１種類の元素を金属元素の割合として０．１〜２０原子％含有することを特徴とするプラズマ耐蝕性材料は、プラズマに対する耐性が高く、このようなプラズマ耐蝕性材料は、希土類窒化物粉末に金属を混合した粉末を使用して溶射膜を形成することで製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマ処理装置において、プラズマ励起のためのガス導入経路での放電を防止する。
【解決手段】被処理基板を処理するプラズマ処理装置において、プラズマを励起するための空間と、プラズマを励起するためのプラズマガス導入経路を多孔質媒体、たとえば多孔質セラミック材料で分離することにより、前記プラズマガス導入経路でのプラズマの励起を防止して、所望のプラズマ励起空間において高密度かつ均一なプラズマを励起させることが可能とする。 （もっと読む）