【課題】 プラズマ源が処理容器から離れていても、ラジカル又はプラズマを失活させることなく処理容器へ導入することが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｗに対して処理を施す処理容器２１と、ラジカル又はプラズマを生成するプラズマ源２６と、プラズマ源２６で生成されたラジカル又はプラズマを、処理容器２１に導入する導入配管３０と、を備え、導入配管３０の内壁が、ダイヤモンドライクカーボン膜３１、又はＣ−Ｈ系膜でコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】金属ブロック同士の間に形成される流路にろう材をはみ出させずに、複数の金属ブロックを密着させて接合させることにより、高品質のガス供給部材を製造する。
【解決手段】複数の金属ブロック６０〜６２同士の接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペースト７５を塗布し、複数の金属ブロック６０〜６２同士を圧接させ、加熱することにより、複数の金属ブロック６０〜６２同士をろう付けさせてガス供給部材４０を製造する。 （もっと読む）

【課題】載置台の中心部にクールスポットが発生することを阻止して、この載置台自体が破損することを防止することができると共に、被処理体に対する熱処理の面内均一性を高めることができる載置台構造を提供する。
【解決手段】熱処理装置の処理容器２２内に設けられて、熱処理すべき被処理体である半導体ウエハＷを載置するための載置台構造において、前記被処理体を載置するための載置台５２と、前記載置台の下面の中心部に連結されて前記載置台を支持する筒体状の支柱５４と、前記支柱内の上部に、前記載置台の下面に接近させて設けた熱反射部５６とを備える。これにより、載置台の中心部にクールスポットが発生することを阻止する。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの微小なパーティクルの付着を防止できる基板処理装置用の部品を提供する。
【解決手段】ウエハＷにプラズマエッチングを施す基板処理装置が備えるチャンバ１１を被覆するイットリア皮膜５０は、内壁に積層されたイットリア基層５１と、該イットリア基層５１の少なくとも一部に積層されたイットリア上層５２とからなり、イットリア上層５２の構造は、イットリア層を構成する粒子の大きさが２５０ｎｍ以上であることによりイットリア基層５１の構造よりも疎である。 （もっと読む）

微粒子発生は、腐食性の高いプラズマ環境における半導体デバイス処理において問題であった。この問題は、プラズマが還元プラズマの場合に深刻なものとなる。実験データは、酸化イットリウム、Ｙ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２固溶体、ＹＡＧ及びＹＦ_３等のプラズマ溶射被覆されたイットリウム含有セラミックの形成によって、約２２μｍ〜約０．１μｍの平均有効粒径を有する粉末原料からこのようなセラミックを溶射被覆すると、滑らかで緻密な表面を備えた低多孔率のコーティングが得られることを示した。これらの溶射被覆された材料によって、腐食性の還元プラズマ環境における微粒子の発生が減少する。
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【課題】ＣｌＦ_３を使用するにあたってＣｌＦ_３の濃度減少抑制することができる装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一部にＣｌＦ_３が暴露されることによるフッ化物の皮膜が形成されている金属材料により構成される反応室１１と、前記反応室１１に接続されている前記金属材料からなる配管１３とを備える装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体板の被処理体側の表面の形状をガス種に応じて適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、天井面に複数の誘電体板３１を有する。誘電体板３１の下面には、７つの凹部が形成されている。誘電体板内部の定在波の状態は、誘電体内部の電界エネルギーの分布を示し、プラズマからの反射波ｒｐに応じて変化する。プラズマからの反射波ｒｐは、ガス種に応じて変化し、プラズマの誘電率ε_ｒおよび誘電正接Ｔ_δによって表すことができる。よって、各誘電体板内部の定在波は、ガス種によって変化し、その状態は、プラズマの誘電率ε_ｒおよび誘電正接Ｔ_δから推定することができる。このようにして推定された結果に基づき、電界エネルギーの強い領域から弱い領域にエネルギーが伝わるように、誘電体板３１の下面の凹部の間の凸部を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】反応室内部の温度をその場で測定して精度良く反応室内の堆積物量を推定し得る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】サセプタ２および断熱材３を備えた反応室内の温度を監視して反応室内部の堆積・付着による堆積物量を推定する薄膜形成の装置洗浄システムにおいて、装置内加熱装置５の出力値測定用の熱電対温度計６の測定値と、反応室内の雰囲気温度測定手段用放射温度計７の測定値との相関を用いて堆積物量を推定する薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】温度分布が均一で、チャンバーが長寿命化された枚葉式熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板を熱処理する枚葉式熱処理装置であって、基板が投入されて熱処理が行なわれるチャンバー１０と、チャンバー１０の周囲に設けられた加熱体２５と、を有し、チャンバー１０は、お互いに対向する天板１０ｃと底板１０ｄとを備え、天板１０ｃが底板１０ｄと反対側に突出するアーチ形状に形成されている。このことから、天板１０ｃに加熱体２５を配置して天板１０ｃに熱が加わって天板１０ｃが軟化しても、天板１０ｃが自重などの上部の荷重を支え、底板１０ｄ側に垂れ下がることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】マニホールドの腐蝕防止およびマニホールドを原因とする金属汚染を防止。
【解決手段】反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、該加熱装置より外部に設けられた非金属材料で構成され、前記反応管の軸心に対し直交する方向の第一の厚さが、前記反応管に隣接する位置の前記反応管の軸心と平行方向の第二の厚さより厚く形成されており、少なくとも一部が前記反応管の内壁より内側に突き出された突出部を有し、少なくとも該突出部に、前記反応管内へガスを供給するガス供給部を備えるマニホールドと、を有する基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】アルマイト皮膜の破損によるパーティクルの発生を確実に防止することができる基板処理装置用の部品を提供する。
【解決手段】ウエハＷにプラズマ処理を施す基板処理装置１０の部品であるクーリングプレート３６は、アルミニウムにシリコンを含む合金を主成分とするアルミニウム基材５６と、クーリングプレート３６を電源の陽極に接続し且つシュウ酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によってアルミニウム基材５６の表面に形成されたアルマイト皮膜５７とを備え、該アルマイト皮膜５７にはエチルシリケートが含浸されている。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】寿命が長く、かつ、ダストの発生し難いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１はプラズマと接触する保護部材１４を有している。保護部材１４の表面にはイットリアを主成分とする保護層１８が露出しており、保護層１８はプラズマにエッチングされず、基体１６が保護される。保護層１８と基体１６の間には下地層１７が配置されている。下地層１７を構成する下地材料は熱膨張係数がイットリアとアルミニウムの中間にあるため、熱膨張や熱収縮がおこっても、保護層１８が基体１６上から剥離されない。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、薄膜を形成する工程は、基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

基板支持装置は、基板を支持する上部プレートと、上部プレートの下部に位置する下部プレートと、上部プレートと下部プレートとの間に介在される絶縁部材と、上部プレートと絶縁部材との間に介在され前記上部プレートに置かれる基板にプラズマを集中させるための電極と、絶縁部材と下部プレートとの間に介在され前記上部プレートによって支持された基板を加熱するヒッターと、を含む。ここで、絶縁部材は、ヒッターと電極との間の漏洩電流が減少するように約４００℃〜８００℃の温度で、約１０^６Ωｃｍ以上の体積抵抗を有する物質を含む。
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【課題】各種反応性ガスに反応せず、金属の外方拡散の遮断が可能な膜を金属部品の表面に形成する。
【解決手段】処理室内に少なくとも一部の金属表面が露出される金属部品を具備する基板処理装置であって、前記処理室内に露出される金属部品の表面には、予め、電界複合研磨が施された後、大気圧未満の圧力下でベーキング処理がなされている。 （もっと読む）

【課題】 大気プラズマ溶射法で、Ｙ_２Ｏ_３の溶射膜を備えたプラズマエロージョンに強いプラズマ処理容器内部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理容器内部材の製造方法は、１組のアノード１１とカソード１２を有するプラズマ溶射装置を用いて従来と同じ方法で気孔率５％以上のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２１を形成する。その後、この溶射膜２１の上に、気孔率が５％未満のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２２を形成する。気孔率が５％未満の溶射膜の形成方法は、つぎの通りである。１組のアノードとカソード間で放電し、作動ガスを供給して発生するプラズマに、粒径が１０〜４５μｍのＹ_２Ｏ_３の粉末状素材を供給する。粒径を通常のプラズマ溶射の場合より小さくすることで、気孔率が５％未満のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 大気プラズマ溶射法で、Ｙ_２Ｏ_３の溶射膜を備えたプラズマエロージョンに強いプラズマ処理容器内部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理容器内部材の製造方法は、１組のアノード１１とカソード１２を有するプラズマ溶射装置を用いて従来と同じ方法で気孔率５％以上のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２１を形成する。その後、この溶射膜２１の上に、気孔率が５％未満のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２２を形成する。気孔率が５％未満の溶射膜の形成方法は、つぎの通りである。１組のアノードとカソード間で放電し、作動ガスを供給して発生するプラズマに、粒径が１０〜４５μｍのＹ_２Ｏ_３の粉末状素材を供給する。粒径を通常のプラズマ溶射の場合より小さくすることで、気孔率が５％未満のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による化学気相蒸着装置は、ウェーハが搭載されるサセプタが備えられ上記ウェーハに対する化学気相蒸着が行われる反応炉を備える反応チャンバーと、上記反応炉の外側から上記反応炉の中心側に反応ガスが流動するように上記反応チャンバーの外部壁に備えられるガス流入部と、そして上記反応炉で反応が完了した反応ガスを上記反応チャンバーの上部または下部に排出するように上記反応チャンバーの中心部に備えられるガス排気部を含み、高温の蒸着膜の成長条件下で成長圧力を増加させる場合にもチャンバー内でガスの密度が実質的に均一になるようにすることができるという特徴がある。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、多数の半導体基板に同時に膜を成長させる。
【解決手段】囲い部材１１と、囲い部材１１内に設置され、支持棒１２ａで保持されて複数が重ねられた、半導体基板１０ａを搭載したサセプタ１２と、囲い部材１１に形成された、囲い部材１１の内部にガスを導入する導入路１３と、囲い部材１１に導入路１３と対向して形成された、ガスを排出する排出路１４と、囲い部材１１に形成された、サセプタ１２を加熱する加熱部１５と、を有し、対向する一対の導入路１３と排出路１４とが囲い部材１１に、異なる方向に複数組形成された半導体装置の製造装置１０によれば、製造および加工コストを削減でき、省スペースで多数の半導体基板１０ａ上に膜を膜質、膜厚、不純物濃度などの均一性よく同時に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置の耐食性を向上させる、半導体基板処理システム及び半導体基板を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体処理装置用コーティングのシステム及び方法である。半導体基板処理システムは、半導体処理ガスを封じ込めるためのエンクロージャを含む。エンクロージャは、その内側表面が少なくとも部分的に、炭化珪素コーティングで希望の厚さに被膜される。エンクロージャは、半導体基板を処理するための処理チャンバに半導体処理ガスを運ぶための吸込み配管、処理チャンバ、及び使用済み半導体処理ガスを処理チャンバから離れた場所に運ぶための吐出し管、或いはそのいずれかであることが可能である。内側表面は、珪素及びダイアモンド状炭素、或いはそのいずれかを含む追加コーティングを含むことができる。 （もっと読む）