【課題】気密シールに用いられるＯリングを熱から有効に保護できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】その内側で基板２００が処理される反応管２０５と、少なくとも基板２００が処理される箇所を加熱する加熱手段２０６と、反応管２０５を取り付けるインレットフランジ２０９と、反応管２０５とインレットフランジ２０９を気密にシールするＯリング２２０ａと、反応管２０５およびインレットフランジ２０９の少なくとも一方に気体を吹き付け、反応管２０５およびインレットフランジ２０９の少なくとも一方を介してＯリング２２０ａを冷却する気体吹き付け手段２１５、２２６を備える。 （もっと読む）

【課題】石英部品を床置きした場合、床の汚れがシール面に付着して炉内に持ち込まれることによる炉内の汚染を防止できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】石英からなるアウタチューブ１４とインナチューブからなる反応管と、前記アウタチューブと石英からなるマニホールド５０との間を気密に接合する第1の接合面と、前記マニホールドと石英からなるシールカバー３１との間を気密に接合する第２の接合面と、前記シールカバーとシールキャップ３０との間を気密に接合する第３の接合面と、を有する熱処理装置であって、前記第１または第２または第３の接合面の少なくとも１つの接合面にはＯリング５３が設けられており、前記接合面のＯリング部より外側に突起を設ける構成としたことを特徴とする熱処理装置。 （もっと読む）

本明細書において、プロセスチャンバで用いるためのプロセスキット・シールド、及びその使用方法が提供される。幾つかの実施形態において、プロセスキット・シールドは、第１の層と、該第１の層に結合された第２の層とを含む壁を有する本体を含み、第１の層は、処理中に該第１の層上に配置された材料を除去するために用いられる洗浄用化学物質に耐性がある第１の材料を含み、第２の層は、第１の材料とは異なり、第１の材料の熱膨張係数と実質的に類似した熱膨張係数を有する第２の材料を含む。幾つかの実施形態において、処理容積及び非処理容積を有するプロセスチャンバ内に、プロセスキット・シールドを配置することができる。プロセスキット・シールドは、処理容積と非処理容積との間に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】略漏斗状の石英部材の内側を一層確実に洗浄することができる石英部材の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明の石英部材の洗浄方法は、第１開口部Ｓ１１及びその反対側に位置し且つ第１開口部Ｓ１１に連通する第２開口部Ｓ２１を有し、第２開口部Ｓ２１側に管状部Ｓ２を備えると共に第１開口部Ｓ１１側に第１開口部Ｓ１１の開口面積が第２開口部Ｓ２１の開口面積よりも大きくなるように膨らんだ膨出部Ｓ１を備える中空の石英部材Ｓを洗浄する洗浄方法であって、第１開口部Ｓ１１を下に向けた状態の石英部材Ｓに対して、第２開口部Ｓ２１を塞いだ状態で、石英部材Ｓの内側に第２開口部Ｓ２１を介して洗浄用液Ｒ３を噴射して、管状部Ｓ２の内側を洗浄する管状部内側洗浄工程を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜への不純物の混入を抑制することができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法等を提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の反応管２内に処理ガスを供給して半導体ウエハ１０上にシリコン窒化膜を成膜した後、反応管２内にフッ素ガスを含むクリーニングガスを供給して熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素を除去する。次に、反応管２内を所定の温度に昇温し、昇温した反応管２内にアンモニアガスを供給する。これにより、供給されたアンモニアガスが活性化して、反応管２を構成する石英中に拡散したフッ素等と反応し、石英中からフッ素等が除去される。また、石英の表面が窒化される。 （もっと読む）

【課題】種々のマイクロ波周波数での使用に容易に適合できる、比較的大きな面積に亙って実質的に均一なプラズマを維持するための、マイクロ波プラズマ装置を提供する。
【解決手段】プラズマをプラズマ領域内２０，２０ａにおいて維持するための真空容器１２。真空容器１２内の、プラズマ領域２０，２０ａに並列に基板を支持するための手段。真空容器１２を望みの圧力に維持するための手段。真空容器１２に作用ガスを導入するための手段１８，１８ａ。遮断波長を制御するための手段を備えた非エバネッセントマイクロ波アプリケータ４０。前記アプリケータ４０は少なくともその一部が真空容器１２内に伸長しており且つ電源からのマイクロ波エネルギーを真空容器１２内へ放射し、プラズマ領域２０，２０ａから前記アプリケータ４０を気体絶縁するための手段６０を具備する。 （もっと読む）

【課題】アンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１でのプラズマ処理時と同じ圧力条件下で、チャンバ２の内部に向けて凸状の撓みを発生させる。誘電体窓３の撓みを維持させながら、チャンバ２の外側に向かう面を平坦に研磨する。そのため、プラズマ処理時に、誘電体窓３の撓みが発生した場合であっても、アンテナ４に接する面は平坦とすることができ、誘電体窓３とアンテナ４の密着性を向上させることができ、異常放電を防止することができる。また、アンテナ４と冷却ジャケット７の密着性を保つことで冷却効率を維持し、温度影響が少なく、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】金属材料の表面に、腐食性ガスに対する十分な耐食性を有する被膜を設けるとともに、この金属材料のプラズマＣＶＤ装置の基板加熱ヒーターとしての使用に耐え得る十分な厚みの被膜を設けることができる金属材料の表面処理法を提供する。
【解決手段】本発明の金属材料の表面処理法は、酸化マグネシウム粉末をフッ化炭素系化合物分散液に分散させ、金属材料の表面に、前記分散液を塗布した後、大気中もしくは酸素雰囲気中にて加熱することにより、前記金属材料の表面に、フッ化不動態膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属汚染を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室１６を形成したインナチューブ１５と、インナチューブ１５の外周側に設けられたアウタチューブ１４との間を下端で区画するアダプタ５０を設ける。インナチューブ１５、アウタチューブ１４およびアダプタ５０は石英によって形成する。アダプタ５０のアウタチューブ１４との接続部分の鉛直方向の厚みより水平方向の厚みを厚くする。ガス供給管２６と接続されるポート部５１をアダプタ５０の外側壁に形成し、ポート部５１からインナチューブ１５内まで貫通孔５２を形成し、貫通孔５２にガス供給ノズル５３を接続する。アダプタによる金属汚染の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】所定温度、所定圧力のガス雰囲気中で金属部品を熱処理することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室する処理室に用いられる金属部品の表面を熱処理する反応室３１と、この反応室３１にガスを供給するガス供給装置３２と、反応室３１を減圧排気する排気装置３３と、金属部品を保持する保持体３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板と原料ガスとの双方の温度を効果的に上げることができ、消費電力を更に低減できるとともに、より均一で高品質な半導体膜を形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応管１１は、原料ガスを基板１３に供給する原料ガス混合領域Ａと、該原料ガス混合領域Ａからの原料ガスを基板上で熱分解させる反応領域Ｂと、該反応領域Ｂから排出されるガスを排気する排気領域Ｃとを連続して備える。原料ガス混合領域Ａと反応領域Ｂと排気領域Ｃとに亘る天井壁１１ａを窒化ホウ素で形成し、基板１３と同一平面となる基板周囲の底壁１１ｂを石英ガラスで形成する。 （もっと読む）

【課題】多重シール構造の内部微小リークを検出することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理容器４７と、処理容器４７を閉塞する蓋部４６と、蓋部４６に設けられ処理容器４７内にガスを供給する第１ガス流路７２が形成された第１マニホールド７１と、処理容器４７に設けられ第１ガス流路７２に接続される第２ガス流路７４が形成された第２マニホールド７３と、第１マニホールド７１と第２マニホールド７３との間に第１ガス流路７２と第２ガス流路７４との接続部を囲むように設けられてシールする内側シール部材７６および外側シール部材７８と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に不活性ガスを導入するガス導入路８０と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に導入された不活性ガスを排気するガス排出路８１と、ガス排出路８１における排気圧を測定する圧力計８４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】角型の基板の周縁領域におけるローディング効果を抑えるための整流部材を当該基板を囲むように配置した載置台を内部に備えた処理容器において、この基板にエッチング処理を行うにあたり、このエッチング処理によって生成する生成物による基板の汚染を抑えること。
【解決手段】基板を囲むように設けられた整流部材の少なくとも当該基板に対向する面に多孔質体を配置する。そして、基板のエッチング処理により生成する生成物をこの多孔質体の表面に吸着させることによって、生成物と整流部材との密着強度を高めて当該生成物の脱落を抑える。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一かつ効率よく加熱する。
【解決手段】筐体１１とともに処理室１２を形成する誘電体ドーム１３と、高周波電力を整合器１６を介してコイル１４に供給する高周波電源１５と、処理室１２内を排気する排気管２０と、処理室１２内にガスを導入するガス導入管２２と、処理室１２内でウエハ１を保持するサセプタ２３とを備えた枚葉式プラズマ処理装置１０において、サセプタ２３上にマイクロ波吸収板２４を載置し、サセプタ２３下方にマイクロ波を導入するキャビティ２６を設け、キャビティ２６底にマイクロ波導入口３７を有する仕切り板２７を昇降可能に配置する。仕切り板２７下方に設置したエレベータ２８のシャフト２９に水平に固定した支持台３０上にマイクロ波電源３１を設置し、マイクロ波電源３１は複数の導波管、アイソレータ３３、整合器３５を介してマイクロ波導入口３７に接続する。 （もっと読む）

【課題】効力が強い放電装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘電体が被覆された誘電体バリアの電極２をチャンバー１内に備え、チャンバー１内で放電させる。具体的には、誘電体バリアの電極２は、金属電極２３や誘電体バリア２４などを備え、金属電極２３を誘電体バリア２４が被覆して、誘電体バリア２４から放電させる。このような誘電体バリアの電極２をチャンバー１内に備え、チャンバー１内で放電させるので、投入電力（電極への印加電力）の放電効率がよく、省電力化を図ることができる。その結果、低コストで効力が強い放電装置（実施例ではプラズマ処理装置）を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高強度で、低誘電損失であるイットリア焼結体の提供。
【解決手段】イットリアを９９．９質量％以上含有し、気孔率が１％以下で、平均結晶粒径が３μｍ以下であり、かつ、下記（１）式から算出される累積頻度比が３以下であることを特徴とする、１〜２０ＧＨｚの周波数における誘電損失ｔａｎδが１×１０^-4以下であるイットリア焼結体。累積頻度比＝Ｄ９０／Ｄ５０・・・（１）但し、上記（１）式中の各記号の意味は下記の通りである。Ｄ９０：結晶粒の個数基準での粒度分布の小粒径側からの累計が９０％となる結晶粒径（μｍ）Ｄ５０：結晶粒の個数基準での粒度分布の小粒径側からの累計が５０％となる結晶粒径（μｍ） （もっと読む）

【課題】 被処理体を載置する載置台にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、高周波電流の経路を適正化して電力消費効率を向上させる。
【解決手段】 載置台５に埋設された電極７にバイアス用の高周波電力を供給するプラズマ酸化処理装置１００では、載置台５に対して対向電極として機能するアルミニウム製の蓋部２７のプラズマに曝される表面に、保護膜としてのシリコン膜４８がコーティングされている。シリコン膜４８に隣接して第２の容器３および第１の容器２の内面には、上部ライナー４９ａおよびこれよりも肉厚に形成された下部ライナー４９ｂが設けられ、これらの部位への短絡や異常放電が防止され、適正な高周波電流経路が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器内部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小なパーティクルを発生して処理容器内を汚染して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】めっき皮膜やＰＶＤ皮膜等からなるアンダーコート層を有する基材の表面に、そのアンダーコート層中に炭素と水素を主成分とする超微小固体粒子を侵入させると共に、該アンダーコート層材表面にも、これらの超微小固体粒子の集合体からなる皮膜を被覆形成してなる半導体加工装置用部材である。 （もっと読む）

【課題】繊維の破片の発生が効果的に抑制された粒子捕捉材を提供する
【解決手段】低圧雰囲気下で発生する微粒子を捕捉するために用いられる粒子捕捉材であって、第一のフッ素樹脂から形成され第一の開口１１が形成された第一の基部材１０と、第二のフッ素樹脂から形成され第二の開口２１が形成された第二の基部材２０と、１又は複数の無機繊維シート４０を含み前記第一の基部材１０と前記第二の基部材２０とに挟まれた無機繊維層と、を有し、前記無機繊維層において、１又は複数の前記無機繊維シート４０の一部が前記第一の開口１１及び前記第二の開口２１から露出し、前記一部を囲む前記無機繊維シート４０の外周部には、融点が前記第一のフッ素樹脂の融点及び前記第二のフッ素樹脂の融点のいずれよりも低い第三のフッ素樹脂が含浸されている粒子捕捉材とする。 （もっと読む）

【課題】半導体等の製造における静電チャック、ヒーター、プラズマ処理チャンバーなどの部材やパワーデバイスの放熱絶縁基板に使用する部材に優れた熱伝導率と絶縁性持つ窒化アルミニウムの溶射膜を形成することが望まれているため、気孔率が低く、窒化アルミニウムの含有量の高い溶射膜を提供する。
【解決手段】基材上の少なくとも一部が溶射膜を形成してなり、当該溶射膜を構成する粒子は平均的な直径が１μｍ以上１０μｍ以下の略球状をした窒化アルミニウム微粒子から構成されており、また、窒化アルミニウム粒子の隙間がＩＩＩＡ族及び／又はＩＩＡ族化合物で埋められて、気孔率が１５％以下であることを特徴とする窒化アルミニウム溶射部材に関し、このような部材は平均粒径が１〜１０μｍの窒化アルミニウム粉末、または同様の窒化アルミニウム粉末にＩＩＩＡ族及び／又はＩＩＡ族化合物を含有させた混合粉末を用いて溶射を行うことにより製造することができる。 （もっと読む）