【課題】成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制する。
【解決手段】処理室２０１内に設けられたコーティングガス供給ノズル２８０ｂによりコーティングガスを供給して処理室内の石英部材をコーティングし、処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給して基板上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板が積層されていない領域への処理ガスの流入を抑制し、基板が積層されている領域への処理ガスの供給を促進させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を収納して処理する処理室４と、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂと、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄと、処理室内を排気する排気ライン７ａと、を有し、一対の不活性ガス供給ノズルは、基板が積層されている領域に対向する位置及び前記基板が積層されていない領域に対向する位置に各１箇所以上の不活性ガス噴出口２４ｃ，３１ｃ，３１ｄ，３２ｃ，３２ｄをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置を用いて基板に対してシリコンの成膜処理例えばシリコンのエピタキシャル成長を行う場合にパーティクル汚染を低減することのできる技術を提供すること。
【解決手段】予めシラン系のガスにより反応管１内及びウエハボート２１にシリコン膜３をプリコートし、次いで、ウエハＷを反応管１内に搬入した後、混合ガス（ＨＦ＋ＮＨ_３）によりウエハＷの表面の自然酸化膜を除去し、その後シラン系のガスによりウエハＷに対してエピタキシャル成長処理を行う。混合ガスを供給する第３のインジェクタ１４の開口端１４ａの高さ位置は、反応管１内にプリコートされたシリコン膜よりも上方位置となるように設定されている。これにより、混合ガスによって反応管１がエッチングされ、パーティクルが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】高硬度であると共に、耐クラック性に優れた、陽極酸化皮膜を表面に形成した半導体液晶製造装置用のアルミニウム合金部材を提供することを課題とする。
【解決手段】硬質粒子が分散された陽極酸化皮膜が表面に形成された半導体液晶製造装置用アルミニウム合金部材であって、前記硬質粒子は、αＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＢＮ、ダイヤモンドから選択される１種または２種以上からなる硬質粒子であると共に、前記硬質粒子の粒径は１００ｎｍ〜１μｍであり、且つ、前記陽極酸化皮膜の表面には、１０００〜３５００個／ｍｍ^２の割合で前記硬質粒子が分散している （もっと読む）

【課題】原子層堆積法により均一な膜質の薄膜を基板上に成膜する原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、第１の内部空間を形成する第１の容器と、第１の容器の内部に設けられ、第２の内部空間を形成する筒形状の容器であって、第２の内部空間内に向けて、基板上に薄膜を形成する原料ガスが流れる第１の開口を筒形状の一端に備える第２の容器と、原料ガスを、第１の開口を通して第２の内部空間に供給するガス供給口を備え、かつ、第２の容器の筒形状の長手方向に第２の容器を押えることにより、第１の内部空間に対して第２の内部空間を隔てる押え部材と、を有する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】結晶の質と堆積プロセスの効率とを向上させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、プロセスチャンバー（１）の床を形成し、少なくとも１つの基板（５）が置かれるサセプタ（２）と、プロセスチャンバー（１）の天井を形成するカバープレート（３）と、プロセスチャンバー（１）の中にプロセスガスおよびキャリアガスを導入するためのガス注入エレメント（４）とを備える。サセプタ（２）の下には多数の加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）が互いに隣り合って配置され、プロセスチャンバー（１）に面するサセプタ（２）の表面とプロセスチャンバー（１）の中にあるガスとを加熱する。カバープレート（３）の上の熱消散エレメント（８）は、サセプタ（２）からカバープレート（３）に移る熱を消散させる。高い熱伝達能力を持つ熱伝達結合ゾーン（Ｚ１−Ｚ８）は高い熱出力
【数１３】


を持つ加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）の位置に対応する。 （もっと読む）

【課題】高々３００℃程度の低温処理を前提とされたアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物の発生が抑制できるようにする。
【解決手段】成膜室１０２の上部には、高周波発生源１０８が設けられ、また、高周波発生源１０８には、高周波電力を供給するための高周波電力供給部１０９が接続されている。また、ガス導入口１０５には、成膜室１０２にアルミニウムの原料ガスを供給するための原料ガス供給部１５１が接続している。また、ガス導入口１０６には、成膜室１０２に酸素ガスを供給する酸化ガス供給部１６１が接続している。また、有機樹脂から構成されて成膜室１０２の内壁に形成された堆積阻止膜１１１を備える。 （もっと読む）

基板に第III族金属窒化膜を蒸着させるための装置であり，窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と，基板に第III族金属窒化物を蒸着させるために，第III族金属を含む反応試薬を，窒素プラズマから生じる反応性窒素種と反応させる反応室と，プラズマ発生器から反応室への窒素プラズマの通過を促進させるプラズマ導入口と，窒素プラズマの通過用の１又はそれ以上の流路を有するバッフルとを備える。バッフルは，プラズマ導入口と基板との間に配置され，プラズマ導入口と基板との間で窒素プラズマが直通することを防止する。
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【課題】装置から取り外せない部分におけるパーティクルの発生を抑制するためにかかる時間とコストを低減する。
【解決手段】連通部１０８、ガス導入部１０９，および排気連通部１１０などの、成膜部１０３に連通する空間に接する面に、金属溶射被覆部１３１を備える。例えば、金属溶射被覆部１３１は、シール部１１４の領域にも形成されている。金属溶射被膜部１３１は、例えば、アルミニウムを溶射することで形成したものであり、例えば、中心線平均粗さＲａが１０〜２０μｍ程度に形成されている。また、金属溶射被膜部１３１は、膜厚５０μｍ程度の形成されている。 （もっと読む）

少なくとも１つの試料を支えるためのプロセスチューブであって、炭化ケイ素で構成され、シリコンを含浸され、炭化ケイ素で被覆されたプロセスチューブと、プロセスチューブを高真空へと真空排気するポンピングシステムと、１つ以上のプロセスガスを、真空排気されたプロセスチューブへと導入するための１つ以上のガス入口と、プロセスチューブを加熱し、それにより、プロセスチューブ内の１つ以上のプロセスガスと少なくとも１つの試料とを加熱してプロセスチューブ内で少なくとも１つの試料上に化学気相成長により材料を堆積させるヒータと、を備える化学気相成長システム。
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２つの電極間に電流のための電気的に対称なグラウンドパスまたはリターンパスを設けるための方法および装置が説明される。この装置は、電極の中の１つに結合され、処理チャンバの側壁および／または底部間に位置する少なくとも１つの高周波（ＲＦ）デバイスを備える。この方法は、ある電極を他の電極に対して移動させるステップと、側壁および電極に結合されたＲＦデバイス、チャンバの底部および電極に結合されたＲＦデバイス、またはそれらの組合せの中の１つまたは複数を使用して、変位された電極の位置に基づきグラウンドリターンパスを実現するステップとを含む。
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ガス配送システム内で粒子を削減させるための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、半導体プロセスチャンバ用ガス配気装置（ガス配気プレート又はノズル等）の製造方法は、ガスが貫通して流れるように適合された１以上の開口を有するガス配気装置を提供するステップを含む。スラリーが１以上の開口を通して流され、これによって複数の開口の側壁から損傷面を除去する。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、１以上の開口を通してスラリーを流す前又は後に酸化されてもよい。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、所望の時間の間、ガス配気プレートにＲＦ電力を供給することによってコンディショニングされてもよい。
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【課題】高温度で成膜処理を行うことが可能で、而も装置の製造コストを低減させ、太陽電池用シリコン膜の生成を安価且つ高効率で行える基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板３５を収納し処理する処理室１７と、前記基板を加熱するヒータ７と、前記処理室内にガスを供給するガス供給部２３，２５，２５ａ，３０とを有し、前記処理室は、少なくともモリブデン及びコバルトを含み、アルミニウムを含まない材質で形成される合金反応管１３より構成される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素製の部材に形成される酸化膜の剥がれが原因で発生する異物を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素製の反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に酸化性ガスを供給して熱酸化により基板表面に酸化膜を形成する処理を行う工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出する工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出した状態で、前記反応管内の温度を、一旦、前記熱酸化により前記反応管の内壁面に形成された酸化膜の温度が少なくともひずみ点に相当する温度に到達するまで昇温させた後、前記処理済基板を前記反応管内から搬出する時の温度よりも低い温度まで降温させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】 副生成ガスによる成膜速度の低下を抑制することができる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウエハ５０の表面に膜を成長させる成膜装置であって、内部にウエハ５０が設置されるチャンバ１５と、ウエハ５０の表面において反応して、ウエハの表面に固着する物質と、副生成ガスに変化する原料ガスをチャンバ内に導入するガス導入手段２５と、副生成ガスを反応させて、チャンバ内に原料ガスを生成する逆反応手段３０、３４を有していることを特徴とする成膜装置１０。 （もっと読む）

【課題】 金属汚染を効果的に防ぎ、白傷の発生が少ない高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内にガスを導入するためのガス導入管と、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタと、前記サセプタを回転させるためのサセプタ回転機構とを有し、前記ガス導入管から反応ガスを前記チャンバー内に導入しながら前記ウェーハ上に気相成長を行い、反応後のガスを前記ガス排出管から排出する気相成長装置において、前記ガスに接触し、かつ金属を含む材料からなる部位が、全て非金属の保護膜で覆ったものであり、前記気相成長装置を構成する部材の接合部に用いられるＯ−リングは、少なくとも、Ｔｉを含まないものである気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、プラズマ環境で使用したときに発生するパーティクルを低減できる耐食性部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】耐食性部材は、基材と、基材上に溶射により形成され、５％以上２０％以下の気孔率を有する酸化ガドリニウム皮膜とを備える。耐食性部材の皮膜は、低気孔率の酸化ガドリニウムにより形成されているため、耐食性に優れ、プラズマ環境で使用したときに発生するパーティクルを低減できる。また、酸化ガドリニウム皮膜の気孔率が２０％以下であるため、皮膜の強度が向上し、カケや剥離等が発生しにくく、プラズマが皮膜を透過して基材を損傷する可能性も低い。一方、酸化ガドリニウム皮膜の気孔率は５％以上であり、皮膜が緻密すぎないため、クラックが発生しにくい。 （もっと読む）

本発明が関連するのは、原則的に、中空の石英ピースからなる、エピタキシャル反応器の反応室であって、前記中空の石英ピースは、円柱型、角柱型、錐体型、あるいはピラミッド型の石英ピースの部分（１）と、前記石英ピースの部分（１）の中の軸が通る穴（２）とを備え、前記石英ピースの部分（１）は、三方向のうち二方向に準じて、反応沈着ゾーン（３）を定め、前記軸が通る穴（２）の中に、熱せられる、少なくとも一つのサセプター（４）を収容する。反応室は、石英に基づく物質で作られ、前記サセプター（４）によって放射される赤外線放射を反射し返すように適合された反射層（５）を備え、前記反射層（５）は、前記石英ピースの部分（１）、及び／または、前記反応室の石英の構成要素に塗布される。
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