【課題】成膜対象の基板であるＳｉＣウェハに対し、誘導加熱を利用して面内で均一な高温の加熱を行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、成膜室１０２と、成膜室１０２の上部に設けられたガス供給路１０３と、成膜室１０２内に配置された基板１０１を挟んで対向するよう配置されたコイル１３２と輻射部材１２１とを用いて構成し、ガス供給路１０３から反応ガス１１５を流下させながら、コイル１３２により対向する輻射部材１２１を誘導加熱し、輻射部材１２１からの輻射熱により基板１０１を加熱して、基板１０１上で成膜を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】高温下で行われる為に十分な断熱構造が構築されたＳｉＣエピタキシャル膜成膜装置を提供する。
【解決手段】所定の間隔で配列された複数枚の基板１４を処理する処理室と、前記基板の配列領域下部に設けられ、複数枚の断熱部材で構成された処理室下部断熱部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系が前記処理室内に処理ガスを供給し、前記基板上に炭化珪素膜を成膜するよう制御するコントローラと、を備える基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置用部品に形成された付着膜を、より効率よく除去することができる付着膜除去方法を提供する。
【解決手段】成膜装置用部品の付着膜除去方法は、成膜装置用部品に、水で処理することにより溶解または軟化プレコート層を形成する成層工程；前記プレコート層上に形成された付着膜５に水を噴射し、前記付着膜の少なくとも一部２を切除する切除工程；および、前記付着膜が切除された成膜装置用部品を水へと浸漬させる除去工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム用の改良された堆積シールドを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムの処理空間１２を包囲するための改良された堆積シールド１４は、内面８２、外面８４、上端面８６、及び下端面８８を有する円筒体を具備する。下端面８８は端部リップ面１２０を具備する。堆積シールド１４の複数の露出面１４５に保護バリア１５０が結合される。露出面１４５は、内面８２、上端面８６、及び端部リップ面１２０を含む。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁を保護するライナ上にシリコン結晶が形成されるのを抑制する。
【解決手段】チャンバ１の頂部にプロセスガスの供給部４、内部に半導体基板６を載置する回転可能なサセプタ７、内部の供給部４とサセプタ７との間にガス整流板２０、およびチャンバ内壁を被覆する筒状のライナ２とを備え、プロセスガスを供給部４からガス整流板２０を介してチャンバ１内を流下させ、下方のサセプタ７上の半導体基板６表面に結晶膜を形成する成膜装置５０において、ライナ２は、ガス整流板２０側の頭部３１と胴部３２との間に頭部３１および胴部３２より内径の小さい括れ部分３３を有し、さらに、ライナ２の括れ部分３４には、括れ部分３４の周囲を囲むように伝熱リング４０を配置して、伝熱リング４０を介してライナ２の熱をチャンバ１に伝えるようにする。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に付着する堆積物を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で、有機金属原料ガスを用いて被処理体Ｗの表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に疎水層を設けるように構成する。これにより、処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に付着する堆積物を抑制する。 （もっと読む）

【課題】基板上に膜を堆積させるにあたって、寄生堆積物を抑制することができるシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 （もっと読む）

【課題】金属を含む部材からの汚染が防止され、且つ、メンテナンス時における副生成物の除去が容易なシリコンウェーハの処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０と、チャンバー２０に取り付けられ金属を含む材料からなる複数の部材とを備える。前記複数の部材のうち、副生成物の付着が相対的に多い排気配管４１及びイグゾーストキャップ４２にはＤＬＣコーティングが施され、副生成物の付着が相対的に少ない他の部材には石英コーティングが施されている。本発明によれば、副生成物の付着のしやすさに応じてコーティング材料を選択していることから、金属汚染を防止しつつ、メンテナンス時において副生成物を容易に除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体および化合物半導体などを製造する装置内で高い耐プラズマ性を要求される部品に好適なフッ化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】高純度CaF₂粉末に高純度MgF₂粉末を１〜５wt.％混合し、さらに焼結助剤を０．１〜１wt.％添加して混合する工程、金型及びプレス成形機を用いてプレス圧０．２MPa/cm²以上で成形する工程、その成形品を大気雰囲気中で６００〜７００℃に加熱して仮焼結を行う工程、大気雰囲気中で１２５０〜１３７０℃の温度範囲で６〜１２時間加熱して緻密な構造のCaF₂−MgF₂二元系焼結体を形成する工程、を含むフッ化物焼結体の製造方法とする。 （もっと読む）

チャンバ表面に残った残留フッ素をプラズマデバイスの使用も昇温もなしに除去する方法が開示される。開示する方法は、堆積プロセスの次の工程がより迅速に行われることを可能にしうる。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ノズル内でのＳｉ原料ガスの分解や、ガス供給ノズルの内壁面等へのＳｉの析出を抑制することが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のガス供給部６０ａから少なくともシリコン含有ガス及び塩素含有ガス、若しくは、シリコン及び塩素含有ガスを反応室４４内へ供給し、第２のガス供給部６０ｂから少なくとも還元ガスを反応室内へ供給し、第１のガス供給部又は第２のガス供給部から少なくとも炭素含有ガスを前記反応室内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】真空容器の内部に設置した内筒の内部電位に起因するパーティクルを低減するプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】金属製の真空チャンバ１１の内部に、表面をアルマイト処理したアルミニウムからなる内筒１５を有し、プラズマ拡散領域に基板を配置して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、内筒１５の下端部に、真空チャンバ１１と点接触する複数の突起部１５ａを設けると共に、突起部１５ａの先端部１５ｂのアルマイト被覆１６を剥離して、真空チャンバ１１と電気的に導通させた。 （もっと読む）

【課題】多数枚の基板に、均一な膜厚でＳｉＣ膜を成膜することができる熱処理装置において、シリコンガス供給ノズルの閉塞を防止する。
【解決手段】熱処理装置１０は、ウエハ１４にＳｉＣ膜を成長させることを可能とする処理室４４と、ウエハ１４を縦方向に複数略水平に支持し、処理室４４内でウエハ１４を支持するボート３０と、処理室４４内に反応ガスであるカーボン含有ガスを供給するガス供給ノズル６０及びシリコン含有ガスを供給するガス供給口７０を備え、ガス供給口７０の上端は、シリコンの熱分解温度以下の温度領域である、反応管の下部領域で開口している。 （もっと読む）

【課題】連続するプロセスステップにおいて、厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させる。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバーの中でサセプタによって保持される基板上に少なくとも１つの層を堆積させるための装置においてプロセスチャンバーを構成する方法に関する。プロセスガスは、ガス注入エレメントを通ってキャリアガスを用いてプロセスチャンバーに導入される。プロセスガスは、プロセスチャンバーの中で分解生成物に分解する。分解生成物は層を形成する成分を含む。厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させるために、少なくともサセプタと向かい合うプロセスチャンバーの壁のプロセスチャンバーに面する表面に対して、層成長の間に堆積される層の光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率にそれぞれ相当する光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率を持つ材料を選択することが提案される。 （もっと読む）

【課題】多数枚の基板に、均一な膜厚で成膜することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、ウエハ１４にＳｉＣ膜を成長させることを可能とする処理室４４と、ウエハ１４を縦方向に複数略水平に支持し、処理室４４内でウエハ１４を支持するボート３０と、処理室４４内に設けられた発熱体と、反応ガスを供給するガス供給ノズル６０と、を有し、発熱体は、処理室４４内でボート３０の少なくとも一部を覆うサセプタ４８と、このサセプタ４８とボート３０との間に設けられたサセプタウォール１６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられる密閉部材の温度上昇を抑制、特にウェーハチャージ時に於ける前記密閉部材の温度上昇を抑制し、又該密閉部材の劣化、焼損を防止し、長寿命化を図る。
【解決手段】少なくとも下端であって外側に突出た鍔部４４と筒状に形成された筒部４３とを有し基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記鍔部に連設され非金属部材で構成されるマニホールド１２と、前記鍔部と前記マニホールドとの間に設けられる密閉部材５５と、前記反応管を前記鍔部にて支持しつつ前記反応管の前記筒部の外周面に迄延在した支持部４６，４７，４８，４９と、該支持部に設けられ前記密閉部材を冷却する冷却部５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】加熱されたウエハ上への薄膜成膜処理、及び、装置から取り外して常温下でのシールド板の洗浄処理を行っても、従来品に比べて損傷しにくいシールド板を備えた化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、ウエハを配置するため前記チャンバ内に配置されるステージと、前記ステージに配置されたウエハを加熱するためのヒータと、前記チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、曲面領域２０ｒおよび長手方向を有する形状であって前記チャンバ内に取り外し可能に取り付けられるシールド板と、を有し、前記シールド板は、曲面領域２０ｒに不活性ガスを放出するための複数の不活性ガス放出穴を有し、不活性ガス放出穴２０ａは、長穴であって長手方向が前記シールド板の長手方向と交わるよう設けられている化学気相成長装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】有機金属気相成長法により、成膜室内に載置される基板Ｗに成膜処理を行う成膜装置１は、成膜室を３以上備え、第１の成膜室２と第２の成膜室１０２と第３の成膜室２０２は、互いに独立に、少なくとも原料ガスの組成と、原料ガスの流量と、室内の温度と、室内の圧力とが制御され、それぞれが異なる膜を基板Ｗ上に形成するよう構成されている。成膜室２、１０２、２０２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。 （もっと読む）

組成物、方法、およびシステムは、反応器の金属部（チタンおよび／またはチタン合金など）における金属酸化物を選択的にエッチングできる。エッチング組成物はアルカリ金属水酸化物および没食子酸を含む。この方法は酸化アルミニウムなどの金属酸化膜の堆積に用いられる反応チャンバの洗浄に有用である。 （もっと読む）