本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。
（もっと読む）

【課題】
従来のプラズマ処理装置においては、複数種のガスを導入することによりプラズマ処理を行う場合、複数ガスの混合のためにミキシングボックスが設けられており、ガス導入配管の構成が複雑になるといった問題がある。
【解決手段】
本発明においては、反応ガスと比較して希釈ガスの流量が多い場合に、希釈ガス供給部とプラズマ処理反応容器を接続する希釈ガス導入管の一部に、反応ガス導入管を接続することにより、希釈ガス導入管内において希釈ガスと反応ガスを十分に混合することができ、かつ、ガス供給配管をより簡易な構成とすることができる。
（もっと読む）

原子層蒸着（ＡＬＤ）反応器へ１つまたはそれ以上のガスを分配するためのシステムおよび方法。シャワーヘッドアセンブリ上へ取り付けられる一体式のインレットマニホールドブロックは、前記アセンブリ上へ直に取り付けられる高温（２００℃まで）定格バルブと、容易にパージされる短い反応物ラインとを含む。一体式の通路および金属シールは、流路に沿ったＯリングおよび付帯的なデッドゾーンを省く。マニホールドは、反応物ラインを前記ブロックのインレットマニホールド内にパージするための内部不活性ガスチャネルを含む。
（もっと読む）

【課題】Ａｌ元素を含むIII族窒化物を作製する場合であっても、破損が生じることのない作製装置を提供する。
【解決手段】第１反応管１は、ＡｌＣｌとの反応性が十分に小さい物質、例えばサファイアによって形成する。第１反応ゾーンを１０００℃に、第２反応ゾーンを１２００℃に加熱する。第１反応管１にはＨＣｌを供給し、第２反応管２にはＮＨ₃を供給する。第１反応管１内部では、ＨＣｌと固体源８である固体Ａｌとが反応して、ＡｌＣｌガスが生成する。第１反応管１の内面はサファイアで形成されているので、ＡｌＣｌとは反応しない。ＡｌＣｌは、第２反応ゾーンへと送られる。第２反応管２内部では、ＮＨ₃ガス流が第１反応管１を取り囲むように存在するので、ＡｌＣｌは領域ＲＥ付近でＮＨ₃と直ちに反応し、気体ＡｌＮが生成される。ＡｌＣｌは全て消費されるので、第２反応管２が石英だとしてもこれと反応することはほとんどない。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を無くし、生産性を向上させる現場プラズマクリーニングを備えたプラズマCVD装置及び方法を与える。
【解決手段】遠隔プラズマ放電チャンバを通じて与えられるクリーニングガスを使って化学気相成長(CVD)反応チャンバをクリーニングするための方法は、1500Wから3000Wで300kHzから500kHzの高周波エネルギーを印加することによって遠隔プラズマ放電チャンバ内のクリーニングガスを解離する工程と、配管を通じて遠隔プラズマ放電チャンバから反応チャンバへ0.5slmから1.5slmの流量で活性種を供給する工程と、から成る。 （もっと読む）

本発明は、総括的には半導体処理用の堆積装置に関する。より具体的には、本発明の実施形態は、ガスマニホルドバルブクラスタ及び堆積装置に関する。本発明の一部の実施形態では、洗浄中に大気に曝露されることになるガスラインの長さ及び容積の縮小を可能にし、プロセスチャンバの保守を行うのに必要な時間を最少にすることでプロセスチャンバの生産性を高める、ガスマニホルドバルブクラスタ及びシステムが提供される。他の実施形態では、ガスマニホルドバルブクラスタ及びＡＬＤ堆積装置が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】 ＩＳＯ規格、ユニファイ規格又はインチ規格に準じた螺旋状の溝を有することを特徴とする希土類金属部品。
【効果】 本発明の希土類金属部品は、ハロゲン系腐食性ガス或いはそのプラズマに対しての耐食性が向上され、半導体製造装置やフラットパネルディスプレイ製造装置に用いた際のプラズマエッチングによるパーティクル汚染を抑制することができる。そのため、高品質製品を効率的に生産することができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ励起される処理ガスをプラズマ処理室に供給する処理ガス供給構造であって、プラズマによるダメージが抑制された処理ガス供給構造と、当該処理ガス供給構造を用いたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板を内部空間に保持する処理容器と、前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給構造と、前記処理ガスをプラズマ励起するプラズマ励起手段と、を有するプラズマ処理装置であって、前記処理ガス供給構造は、前記内部空間に設置される、前記処理ガスの通路を内部に有する複数の管状部と、前記管状部に形成された、前記処理ガスを前記通路から前記内部空間へ供給するガス穴と、を有し、前記管状部はセラミック材料により形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理室内の雰囲気を排気する排気系の一部に設けられ、複数の排気配管がマニホールドにそれぞれ接続される配管集合部の内部で、反応生成物の付着による閉塞を抑制または防止することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】処理室内の雰囲気を排気する排気系の一部に設けられ、複数の排気配管２０、２２がマニホールド１１にそれぞれ接続される集合部３０３において、複数の排気配管２０、２２のそれぞれは、マニホールド１１の内壁面１４、１５をそれぞれ越えて延在した状態で、マニホールド１１にそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】 高耐食性合金を用いることなく、金属腐食の塵による半導体ウェハの品質低下を抑制し得る半導体製造用熱処理装置を提供する。
【解決手段】 拡散装置２０では、炉体２１に接続されたスカベンジャ２８内に、炉心管２２に連通する石英ガラス製の外筒体３０αを設け、外筒体３０αの内部空間Ｋを通して炉心管２２に半導体ウェハＷを搬入搬出する。これにより、炉心管２２内で発生した金属腐食性の反応生成ガスが、外筒体３０αの内部空間Ｋを通過したり滞留したりするときに内壁面３１ｃに接触しても、当該反応生成ガスによって内壁面３１ｃが金属腐食されることがない。したがって、内部空間Ｋ内における金属腐食による生成物の発生を防止するため、炉心管２２に搬入出する際にこのような生成物の付着を原因とする半導体ウェハＷの品質低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 高品質のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長が可能なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法および有機金属化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】 有機金属化学気相成長装置を用いてＧａＮ系半導体などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長を行う場合に、反応管１１に原料ガスを供給するためのキャリアガスの不純物濃度を反応管１１の手前で１０ｐｐｂ以下にする。また、反応管１１に接続されたリアクトライン１０への二種以上の有機金属化合物ガスの供給時刻のずれを０．０１秒以下にする。また、反応管１１に接続されたリアクトライン１０に接続された有機金属化合物ガス供給用の配管１に流すキャリアガスの流量を毎分１００ｃｃ以上にする。また、ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物ガスとＶ族元素を含む化合物ガスとが反応管１１内で合流する部位から反応管内に設置される基板までの距離を２０ｃｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】基板処理用の反応性ガスの供給ラインの途中にガス溜を設けた基板処理装置のガス溜より下流側の反応性ガスを効率よく置換または処理できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１に基板処理用ガスを供給する第１のガス供給ライン２３２ｂと、基板処理用ガス供給ライン２３２ｂに設けられた第１のガス溜２４７と、第１のガス溜２４７の上流側で第１のガス供給ライン２３２ｂに接続され、パージガスまたは基板処理用ガスを処理するガスを供給する第２のガス供給ライン２３２ｃと、第２のガス供給ライン２３２ｃに設けられた第２のガス溜２５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガス導入配管内部及びガス導入孔でのプラズマ放電の発生を抑制し、汚染物質の付着を防止するプラズマ処理装置を与える。
【解決手段】反応チャンバと、反応チャンバ内部に反応ガスを導入するためのガス導入配管と、反応チャンバ内に設置され反応ガスを反応チャンバ内に導入するためのガス導入孔を設けた上部電極と、ガス導入配管と上部電極との間に装着されたリング状の絶縁体とを有するプラズマ処理装置において、ガス導入配管及びガス導入孔の内部に円筒状の絶縁体を装着したことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

本発明は、基板表面をムラなく効率的に処理することができるオゾン処理装置に関する。オゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、基板Ｋを加熱する加熱装置と、オゾンを含んだ処理ガスが流通する処理ガス流路３２及び冷却流体が流通する冷却流体流路を有するヘッド本体３１、ヘッド本体３１の下面に固設され、処理ガス流路３２と連通し且つ基板Ｋ上面に向けて開口した処理ガス吐出路を有するノズル体４０を具備した処理ガス供給ヘッド３０と、処理ガス流路３２に処理ガスを供給するガス供給装置と、冷却流体流路に冷却流体を供給，循環させる冷却流体循環装置とを備え、ヘッド本体３１とノズル体４０との間に断熱部材が介装される。断熱部材によりヘッド本体３１から断熱されたノズル体４０は、逆に加熱装置によって加熱され、ノズル体４０内を流通する処理ガスはその一部が熱分解した状態で吐出される。
（もっと読む）

【課題】 ガス供給ノズル内の反応生成物の堆積レートを遅くして、ガス供給ノズルのメンテナンスサイクルを、処理室内の他の構成部材と同程度に延ばすことができるようにする。
【解決手段】 反応管（処理室）を構成するインナチューブ２０４の内側に沿ってロングノズル（ガス供給ノズル）２３２が延在される。Ｌ字型のロングノズル２３２は、立上り部分内に圧力差が生じない程度に、立上り部分に十分大きな口径を持ち、それにより立上り部分内の圧力が処理室内の圧力と略同等となるように構成される。例えば、立上り部分の口径（φ）が４ｍｍと小さいと、その部分のノズル２３２内の圧力差が大きく、その部分のノズル内の圧力は処理室内の圧力と略同等とならないが、立上り部分の口径がφ１２ないしφ１６ｍｍと大きくなると、その部分のノズル内の圧力差が小さく、ノズル内の圧力は処理室内の圧力と略同等となる。 （もっと読む）

本発明によるプラズマ急速熱処理装置は、急速熱処理チャンバ内にラジカル状態の原子種を供給するプラズマ供給部を改善し、前記供給部は内側チューブと外側チューブを含み、前記内側チューブは、片側端は開放されて前記放電管と接続されて他側端は塞がれ、前記塞がれた部分の直径は他の部分に比べて小さく、この部分の側壁の周に第１噴射孔が形成されており、前記外側チューブは片側端は開放されて前記内側チューブの塞がれた先端がここに挿入されて入り、他側端には複数個の第２噴射孔が形成され、前記第２噴射孔が形成された先端は、前記内側チューブの塞がれた先端と所定の間隔が離隔される。本発明によれば、低いサーマルバジェットで低温でも高効率の均一な熱処理が可能となる。

（もっと読む）